TiO2/ Al2O3复合薄膜的亲水性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了TiO2／Al2O3复合薄膜，通过XRD、XPS、UV透射光谱的分析及薄膜表面接触角的测量，研究了Al2O3与TiO2配比、热处理温度、膜厚度等因素对复合膜的亲水性、透光率的影响。结果表明：Al2O3的加入和膜厚度的增加均有利于TiO2薄膜亲水性的改善；热处理温度对TiO2／Al2O3复合膜的亲水性有较大影响，其中经450℃热处理的薄膜亲水性最好；Al2O3的加入未降低复合膜的可见光透光率，其平均透光率大于80％。     

多晶Al2O3薄膜的制备及工艺研究

高能氩离子束溅射金属铝靶,沉积在SiO2基片上的非晶薄膜是Al和Al2O3的混合物.非晶薄膜在空气中800～1000℃退火后将完全氧化并晶化而成γ-Al2O3、oc-Al2O3.对溅射镀膜的工艺条件也进行了探索.     

不锈钢基Al2O3/SiC双层薄膜的制备和性能

用磁控溅射法在奥氏体不锈钢上分别制备了SiC单层膜和Al2O3/SiC双层膜,研究了溅射气压,溅 射功率以及退火温度对性能的影响.对比了二者的结构、硬度以及耐腐蚀性.结果表明,Al2O3缓冲层降低了SiC薄膜与奥氏体不锈钢基底的热失配和晶格失配,减少了因其而产生的缺陷,从而改善了奥氏体不锈钢上SiC薄膜的结晶质量.     

多晶Al2O3薄膜的制备及其红外吸收谱研究

高能氢离子束溅射金属铝靶,沉积在单晶Si基片上的非晶薄膜是Al和Al2O3的混合物.在空气中对其进行900～1200℃的热处理,成功地制备了以不同结晶形式存在的多晶Al2 O3薄膜,讨论了不同退火温度对其结晶性能、表面形貌及红外吸收光谱的影响.为Al2O3薄膜制备与应用提供了良好借鉴.     

Ge-SiO2薄膜的结构及其发光特性的研究

采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜，在N2气氛下进行了不同温度的退火处理，分析了样品在室温下的光致发光（PL）特性，为探讨其发光机制，对薄膜的结构进行了表征，XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应，394nmPL由GeO缺陷引起，580nmPL与Ge纳米晶粒和基质SiO2界面处的发光光中心相联系。     

掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce3+薄膜发光性能的影响

应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为90分钟的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能.通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+.Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域.     

ZrO2、SiO2改性对Al2O3薄膜的影响

Al2O3薄膜的应用近年受到很大的关注，它在过滤和分离等领域内具有极大的应用前景，但就其本身而言，仍存在一些不足之处。本文用Sol-Gel法制备了掺杂ZrO2、SiO2的改性Al2O3薄膜，并通过SEM、XRD等方法进行了表征。实验表明，掺杂后能提高Al2O3薄膜的化学稳定性和延缓烧结过程中的相变，使薄膜的性能得到提高。     

Al2 O3/Al 复合涂层对贫铀的保护性能研究

为探讨Al2O3/Al复合涂层在贫铀表面保护中应用的可行性,采用盐雾腐蚀试验和磨损试验方法,结合SEM/EDS和XRD表征,分析了贫铀表面Al2O3/Al复合涂层的保护性能.结果表明,贫铀表面反应磁控溅射Al2O3/Al涂层没有明显的腐蚀特征,而等离子喷涂Al2O3/Al涂层发生了严重的腐蚀剥落现象.Al2O3/Al涂层表现为磨粒磨损行为,抗磨损性好.作为对比样的贫铀表面Al涂层则表现为粘着磨损行为,抗磨损性差.讨论了贫铀表面涂层的腐蚀和磨损行为.     

掺杂浓度对Al2O3:Ce3+薄膜发光性能的影响

应用中频反应磁控溅射技术在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为43ml/min,氧流量为10ml/min,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3 离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能.通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3 浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3 .Al2O3:Ce3 发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域.     

FeS2薄膜的制备和性能

研究了不同热硫化条件下用纯Ｆｅ膜反应形成的ＦｅＳ２多晶薄膜成分、结晶形态和电阻率的变化规律，结果表明，在４００℃等温２０～３０ｈ时，生成的ＦｅＳ２比较充分，薄膜中的Ｆｅ、Ｓ含量接近ＦｅＳ２计量成分，随硫化温度升高，ＦｅＳ２晶粒明显增大，电阻率显著上升，当在４００℃硫化充分形成ＦｅＳ２晶粒后，继续延长等温时间对组织形态无明显影响。     

Fe-Ni-N薄膜的结构及磁性

用双离子束溅射法在玻璃基片上制得了Fe-Ni-N薄膜，研究了Ni含,源气氛及退火温度对Fe-Ni-N薄膜的结构，磁性及热稳定性的影响。选择合适的工艺条件，可制得在（100）面方向有100％晶粒取向度的单一γ′（Fe,Ni)4N相，Ni含量为6．7％（摩尔分数）的Fe-Ni-N薄膜具有较的软磁性能，其饱和磁化强度Ms为2．04T，矫顽力Hc为0.68kA/m。但是随着Ni含量的提高，Fe-Ni-N薄膜的热稳定下降，在主源气压比PN2／PAr较低时，有利于氮含量较低的γ′相的形成，在较高的PN2／PAr条件下，则形成氮含量较高的ε-（Fe,Ni)2-3N相和ξ－（Fe,Ni)2N相。     

YSZ薄膜材料的制备及电导性能

检测了用微波等离子体化学气相淀积制备的ＹＳＺ薄膜的光学性能，样品对２３０－９００ｎｍ光的透过率在７２％左右，用交流阻抗谱技术测定了ＹＳＺ薄膜在１００－７００℃的电导性能，以倒扭摆法检测了样品的低频内耗。并分析了ＹＳＺ薄膜中氧空位激活和晶界原子豫引起的电导变化。     

TO与ITO透明导电薄膜光学性质研究

研究了非标准配比SnO_x(TO)及In_2O_3重掺杂锡(ITO)的透明导电薄膜的光学性质,采用透-反射法及透射法确定了它们的光学常数n与k,讨论了透-反法中的多值问题。俄歇电子分析表明ITO中Sn原子浓度约6.5%。     

等离子体聚丙烯薄膜的电气及湿敏性能

在射频辉光放电条件下制备出等离子体聚丙烯薄膜．用红外吸收光谱（ＩＲ）、用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析了聚合膜的本体及表面结构；测量了聚合膜的电气特性和湿敏特性。     

等离子体聚丙烯薄膜的电子及温敏性能

在射频辉光放电条件下制备出等离子体聚丙烯薄膜，用红外吸收光谱、用Ｘ射线光电子能谱分析了聚合膜的本体及表面结构；测量了聚膜的电气特性和湿敏特笥。     

溅射TiN薄膜的机械性能与光学性质

运用直流磁控溅射技术,在加温与具有偏压的硬质合金与奥氏体不锈钢衬底上,在N_2与Ar压强比在3%～13%内沉积TiN薄膜。对这种TiN薄膜的机械与光学性能作了研究,测定了它们的表面粗糙度、显微硬度可达23520N/mm~2和划刻临界负载可达80N,给出了TiN薄膜晶格常数变化与SEM的断面形貌图。测定了两种基体上TiN薄膜的近于垂直的镜反射率、漫反射率与总反射率。还确定了TiN薄膜的光学常数n—折射率,k—消光系数。     

含氧量对NiOx薄膜光电特性的影响

采用直流溅射方法制备了厚度小于０．１μｍ的ＮｉＯｘ薄膜，研究薄膜的加热氧化及其光电特性，测量了它们的透射光谱和电阻率随薄膜中的氧一及热处理温度的变化。     

薄膜成分,微结构及力学性能表征

简要综述了表征薄膜成分，微结构及力学性能的常用方法。     

TaOx离子导电薄膜的制备与性能

采用直流反应磁控溅射方法制备Ta2O5薄膜,并研究了其制备工艺;在Amoldussen法的基础上,采用了一种新的方法对Ta2O5薄膜离子导电性能进行了测试。结果表明,制备的Ta2O5,薄膜具有良好的离子导电性能。