聚酞菁硅氧烷薄膜晶体的分子像

聚酞菁硅氧烷是一种新型的低维度电子导电聚合物。它由酞菁硅二醇脱水缩聚而成。聚合物的分子链轴-Si-O-Si-与酞菁环平面垂直。把酞菁硅二醇升华到NaCl单晶体的新解理面上进行聚合和外延生长可制得薄膜状晶体。在这种晶体中分子链垂直于薄膜平面。其红外光谱图的720cm~(-1)处有一强峰,950-1000cm~(-1)处有一宽峰,证明确为聚酞青硅氧烷。而且在780cm~(-1)和830cm~(-1)处没有峰,说明不存在酞菁硅二醇。将所得的薄膜晶体用JEOL-200CX型高分辨电子显微镜进行观察,所用加速电压为200KV。得到的分子像如图1所示。每个黑点是沿聚合物链轴方向酞菁环电荷密度的投影。黑点的形状表明在聚合     

掺杂与不掺杂〔Ge(Pc)O〕n的HREM象研究

用H-600TEM拍摄到掺杂与不掺杂的电子导电聚合物[Ge(Pc)O]n晶体的晶格条纹象。条纹象显示出在[Ge(Pc)0]n晶体中的缺陷形式有位错偶极、位错群和小角晶界。分子链位何不同的二类晶体具有不同的缺陷密度。[Ge(Pc)O]n用碘掺杂以后,晶面间距发生了变化,出现了条带结构和取何差晶粒间界。     

(Bi,Yb)4Ti3O12铁电薄膜的制备

采用稀有金属镱元素对钛酸铋进行掺杂,以期获得性能较好的(Bi,Yb)4Ti3O12铁电薄膜.采用溶胶-凝胶旋涂法在p型Si(100)基底上成功地沉积出(Bi34,Yb06)Ti3O12[BYT]铁电薄膜.用X射线衍射法对其结构及其成份进行了表征,用铁电分析仪(RT66A)测试了其铁电性.并就影响BYT薄膜铁电性能的因素进行了分析.     

Si基Er2O3薄膜初始生长的原位RHEED和AES研究

采用分子束外延(MBE)法在Si(001)衬底上生长Er2O3高k薄膜材料。X射线衍射结果表明,用这一方法得到的硅基Er2O3薄膜是(440)取向的单晶,电学测试预示在Si和Er2O3薄膜的界面有一层很薄的界面层。为了研究Si/Er2O3异质结的界面,通过原位反射式高能电子衍射(RHEED)和俄歇能谱(AES)的方法对Er2O3薄膜在Si衬底上的初始生长情况进行研究。发现在清洁的Si衬底和有SiO2的Si衬底上生长Er2O3薄膜,原位RHEED图谱和AES都有不同的结果,预示着这两种不同的衬底上生长Er2O3薄膜的初始阶段有不同的化学反应。这一现象可能阐释了界面的演变和控制机理。     

Er2O3单晶薄膜的生长及Er2O3/Si异质结的能带偏移

利用分子束外延方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃0.93mPa的条件下实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.较低的温度和氧气压下在薄膜内易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化.还利用光电子能谱对Er2O3/Si异质结的能带偏差进行了初步的研究.     

Er2O3单晶薄膜的生长及Er2O3/Si异质结的能带偏移

利用分子束外延方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃0.93mPa的条件下实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.较低的温度和氧气压下在薄膜内易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化.还利用光电子能谱对Er2O3/Si异质结的能带偏差进行了初步的研究.     

Er2O3单晶薄膜的生长及Er2O3/Si异质结的能带偏移

利用分子束外延方法在p型Si(001)和Si (111)衬底上，在700℃ 0.93mPa的条件下实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.较低的温度和氧气压下在薄膜内易生成硅化铒，薄膜也趋于多晶化.还利用光电子能谱对Er2O3/Si异质结的能带偏差进行了初步的研究.     

用200 kV高分辨电子显微镜辨认3C-SiC中的硅和碳原子

用200 kV六硼化镧灯丝的高分辨电子显微镜拍摄了外延生长在硅衬底的3C-SiC薄膜的[110]显微像.经过解卷处理和衍射振幅校正,把实验像转换为直接反映晶体投影结构的结构像,近邻Si、C原子柱显现为黑(灰)的像点对,即所谓的哑铃.测量了结构像中不同厚度区域哑铃的灰度变化,分析了哑铃中二个端点的相对灰度值随厚度的变化关系,结合赝弱相位物体近似像衬理论进行分析,辨认出Si与C原子柱.     

交联剂对PDLC膜电-光性能的影响

在PDLC薄膜中,聚合物网络网孔的大小直接影响着PDLC薄膜的电-光性能。该实验选用光可聚合单体/交联剂/液晶复合材料,经紫外光照射制备PDLC薄膜,研究了交联剂对PDLC薄膜电-光性能的影响。在混合物体系中引入长柔性链的PEGDA1000和短分子链的BDDA,影响了聚合物网络的微观形貌。交联剂分子链的长短对聚合物网络网孔的大小有明显的影响,进而影响了PDLC膜的电-光性能。     

溶剂蒸发退火聚合物诱导红荧烯的结晶

在掺杂氟的二氧化锡(FTO)透明导电玻璃衬底上分别以聚碳酸酯(PC)、聚乳酸(PLA)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)作为异质诱导层,采用溶剂蒸发退火(SVA)的方法制备了红荧烯晶体薄膜,通过偏光显微镜(POM)、X射线衍射仪(XRD)研究了晶体薄膜的结构和形态,探讨了聚合物种类、聚合物溶液质量浓度以及红荧烯溶液质量浓度对结晶的影响。分析发现,PC作为基底对红荧烯结晶的诱导效果优于PLA和PET,并分别确定了以PC为基底时聚合物和红荧烯溶液的最佳旋涂质量浓度。结果表明,在退火过程中,随着红荧烯溶液质量浓度的增加,晶体薄膜经历了从以三斜晶系为主到以正交晶系为主的晶型转变,在PC溶液质量浓度为5 mg/mL、红荧烯溶液质量浓度为9 mg/mL时,红荧烯结晶覆盖率高,结晶效果较好。     

聚合物先驱溶液法制备La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_x薄膜

利用聚合物先驱溶液法在 Si O2 基片上制备了 L a0 .6 7Ca0 .33Mn Ox 薄膜 ,用 X-射线衍射仪分析的薄膜结晶情况表明了材料是一种多晶薄膜。用标准四探针法测量了薄膜的庞磁电阻效应性能。发现用这种方法在 Si O2 基片上所制得的薄膜在 2 34K左右和 5 .5 T时的磁电阻 MR达到了 4 4 % ,结果表明这种方法能够在普通 Si O2 基片上制备出具有应用价值的巨磁阻薄膜     

6H-SiC同质外延层上Si1-yCy合金的生长

用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射等方法对所得的样品进行了表征测量, 着重研究了生长得到的Si1-yCy合金的晶体结构。SEM结果显示6H-SiC外延层上生长的Si1-yCy合金薄膜表面平整, 晶粒大小均匀; XRD衍射谱仅显示单一的特征衍射峰(2θ约为28.5°), 表明得到的合金薄膜晶体取向单一, 其晶体类型为4H型; 粗略估算, 合金薄膜中C含量约为3.7%。拉曼谱显示：随生长气源中的C/Si比的增加, Si1-yCy合金薄膜中替位式C含量逐渐增大, 当C/Si比达到一定值时, 合金薄膜中有间隙式C出现, 造成晶体缺陷, Si1-yCy合金薄膜晶体质量下降。     

Si和GaAs中的(112)孪晶界

在形变的半导体外延薄膜中经常观察到微孪晶。这种微孪晶的HREM像中往往出现一种三倍于晶格周期性的条纹。本文利用HREM和图像模拟计算技术研究这种条纹的本领。材料有两种:①激光再结晶多晶Si/Si层和②MB EGaAs/Si层。图(1)是Si中的微孪晶的HREM像。图中a和b处是具有敏锐边界的晶界,a处的大白点呈明显的三倍周期性。C处是一个模糊的边界区域。三倍周期条纹的图样特征随着离晶界C的距离而逐渐改变。我们认为这种三倍周期的条纹是两个成孪晶关系的区域重叠而形成的。这种微孪晶片的主晶界是[111]面,而其侧面的晶界应为[112]面。晶界的原子模型如图(2)。按晶界与膜面的取向关系可分成两类,如图(3)。     

碲镉汞;高密勒指数表面;钝化;吸附;置换

文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe (211) B /Si (211)材料的CdTe 外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe /Si结构,随着CdTe厚度的增加, [ 12121 ]、[ 0121 ]两个方向的剪切角γ[ 12121 ]和γ[ 0121 ]都有变小的趋势,且γ[ 12121 ]的大小约为γ[ 0121 ]的两倍;对CdTe /ZnTe /Si, ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变。CdTe层的正应变表现为张应变,主要来源于CdTe和Si的热膨胀系数存在差异,而在从生长温度280℃降至室温20℃的过程产生的热应变。     

光学测量与仪器

本文集为扫描型探测器显微镜专辑。收录的8篇论文主要涉及:自组织化单分子膜与 SPM 的新的可能性,有机/金属、有机/有机界面中的光电流增倍现象与界面圾微细结构,基于 AFM 力变换技术的有机薄膜有机分子的高分解能观察,采用压敏阻抗悬臂阵列的AFM 像观察,采用扫描型麦克斯韦应力显微镜的有机薄膜中的电气像的毫微米刻度图象,采用扫描型探针的 Si 的表面电位与 STS 的同时测定,PAH/PAA 电解质聚合物交互吸附膜的 AFM 像观察等。     

尖晶石型LiMn2O4晶体中单斜相的鉴定

在缺氧或含A1的尖晶石型LiMn2O4晶体中经常观察到成孪晶关系的单斜晶系的晶体(见附图)。图e为沿立方的[111]方向的选区电子衍射花样(EDP)。显见除了过原点的[440]^ 方向的衍射斑点之外，左右的倒易点列的每一衍射斑都沿着[440]^ 方向分裂成两个斑点，且距中线的垂直距离越大的     

聚芳醚酮晶体中缺陷的高分辨电子显微象观察

高分子材料的一个显著特点就是其分子量非常大,它的聚集态结构就由此而显示出特殊性。高分子晶体与小分子或原子晶体间的差异表现在高分子晶体的点阵基元不是完整的分子或原子,而是高分子长链中的一部分。这样高分子晶体中的缺陷也有可能存在特殊形式。虽然高分辨电子显微术已能从原子水平分析晶体的结构,但是由于高分子晶体不耐电子辐照,它应用于高分子晶体方面的研究受到了一定的限制。我们采用了最小剂量高分辨象拍摄方法对聚芳醚酮晶体进行了研究。图1是聚芳醚酮晶体[012]高分辨晶格象,分子链轴方向[001]。标有箭头区域是由晶格象(100)所表现的混合位错。通过晶体完整区域围绕缺陷作布氏回路,得到布氏矢量1(?)=7(?)+n(?) 2。此处混合位错     

氧化锌宽禁带半导体薄膜的发光及其p-n结特性

报道了用直流反应溅射法制备的氧化锌薄膜的近紫外发射以及热处理条件对受激发射谱的影响。同时用化学反应辅助掺杂方法生长了 p型和 n型 Zn O薄膜 ,研究了 Zn O/ Si异质结和氧化锌同质 p-n结的电压 -电流特性 (I-V特性 )     

衬底对V2O5薄膜微观结构的影响

在常温下,用sol-gel法在普通玻璃和单晶Si衬底上制备了V2O5薄膜,并将样品在空气中于500℃进行热处理。通过XRD和SEM对比分析了不同衬底上样品的微观结构,用分光光度计测试了玻璃衬底上样品在350~850nm的光学特性。结果表明:在玻璃和Si衬底上分别得到了β-V2O5和α-V2O5薄膜,两种样品的纯度高、相结构单一和结晶度好。β-V2O5薄膜的光学带隙Eg为2.33eV。     

测量聚合物薄膜电光系数的一种简单方法——干涉法

报道了一种测量聚合物薄膜电光系数的简单方法。这种方法是用石英晶体的逆压电效应补偿聚合物薄膜电光效应引起的光程变化,测量聚合物薄膜电光系数相对于石英晶体压电常数d