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研制了一台新型纵向磁场中的Zeeman稳频激光器。两个圆偏振光的频差为1.25MHz、625kHz或312.5kHz,其变化量为±1Hz,1秒或10秒的频率稳定度优于2×10~(-11)。两个月内的频率再现性为±1×10~(-8)。频率可在150MHz范围内连续可调谐。 相似文献
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碘-127稳频640nm氦氖激光器的研究(英文) 总被引:1,自引:1,他引:0
使用自行研制的~3He-~(22)Ne激光管,首次在640nm波段发现了碘-127分子强的超精细结构谱线。我们从理论上对这些谱线进行了分类计算,确认它们属于碘-127分子P(10)8-5和R(16)8-5超精细结构能级的跃迁。通过对这些超精细谱线频率间隔的精确测量,从理论上修正了碘-127分子的超精细结构耦合常数。用修正后的耦合常数计算的谱线间隔值与实验值的标准偏差仅为32kHz。用这些谱线中的a_9分量作为频率参考谱线,研制成功了碘-127饱和吸收稳频640nm氦氖激光器,其频率稳定性为8×10~(-12)(平均时间10秒),频率重复性优于1×10~(-11)。并测量了它的波长值。碘-127稳频640nm激光器有可能为复现新米定义和为激光光谱学提供一条新的波长标准。 相似文献
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我国的碘稳频633nm氦氖激光器曾在1980年与国际计量局的同类激光器进行过比对。此后更换了吸收室、激光管和谐振腔镜,稳频器中某些器件及拍频测试系统也作了更新,因此有必要作一次检验。按照亚洲及太平洋地区计量规划组织的安排,新西兰国家物理工程研究所(PEL)的R.B.Hurst博士于1984年携带该所的碘稳频633nm氦氖激光器到北美、西欧及亚太地区共九个国家进行巡回比对,四月份到达北京,在中国计量科学研究院(NIM)与我国作为长度基准的同类激光器进行了比对。 整个比对共进行了两组,测量了碘127的d、e、f、g四个吸收峰的频差矩阵,采样时间为10秒。比对的结果是:频差△f_(PEL-NIM)为 28.6kHz,每组测量值的Allan方差为2×10~(-11)~5×10~(-12)。两组测量中计算得到的△f_(PEL-NIM)的均方差为1.3kHz。 PEL激光器的工作条件为:输出功率32μW(腔镜透射率0.13%),冷指温度18℃,峰- 相似文献
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针对镱离子光钟实验中激光冷却并操控离子时,激光器频率漂移影响原子钟系统的问题,基于数字PID控制方法,设计了一种新的多通道频率-数字信号转换稳频方法,将多路多波长激光频率锁定在波长计的参考频率上。对激光器锁定前和锁定后的频率进行一定时长的数据采集及数据对比,激光频率漂移由800 MHz控制在± 0.8 MHz,激光频率稳定度由9.29 × 10-10@1 s优化至2.79 × 10-10@1 s,频率千秒稳达到3.85 × 10-12。该系统简单、易实现,具有小型化、适应性强的优点。 相似文献
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一种锁定半导体激光器频率的新方法 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了一种实现半导体激光器频率锁定的新方法:通过交流磁场对法拉第反常色散光学滤波器(FADOF)的透射谱进行调制,将半导体激光器的频率锁定在FADOF的透射谱上。在B=1.76×10~(-2)T、T=120℃条件下,利用一阶导数稳频技术,测得1s和10s取样时间的频率稳定度分别为1.5×10~(-10)和5.8×10~(-11)。 相似文献
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提出了一种利用特殊多层反射膜—应力双反射膜制作的偏振双反射膜He Ne双频激光器 ,这种膜对不同偏振光在垂直入射时反射系数相位跃变不同。利用横向Zeeman效应减小模式耦合 ,使激光器能够输出 5MHz频差的正交线偏振光。进行了横向磁场的方向及激光器的偏振特性的实验研究。采用热补偿法稳频后 ,与中国计量科学研究院的碘稳频激光器 (波长扩展不确定度为 2 5× 10 - 1 1 )进行了拍频比对 ,比对结果表明 :激光器的频率稳定度为 1 4× 10 - 1 0 (10s采样 ) ,平均真空波长扩展不确定度为 3× 10 - 8(K =3)。这种双频激光器结构简单 ,光束特性好 ,频差合适 ,适于制作高测速外差干涉仪。 相似文献
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本文所述的转速标准装置系采用差频稳速系统,用频率综合器作为频率给定,控制部分采用线性差频器和逻辑差频器并联方案,调节部分采用可控硅供电的双环路调节系统,测量部分采用频闪测速系统,且用数字测速法作旁证。整个装置的测量范围为50~100000转/分,准确度优于±5.0×10~(-5)。 相似文献
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掺Nb的SrTiO_3内边界层高介电常数材料 总被引:5,自引:1,他引:4
掺 Nb 的 SrTiO_3内边界层高介电常数材料,其相对介电常数(?)值高达7.2×10~4,介电耗损角正切 tgδ<2.5×10~(-2),介电常数的温度系数α_r<2.0×10~(-3)K~(-1),电压系数α_v<5.0×10~(-3)V~(-1)。它不仅是制作电容器的极好材料,而且是压敏电阻材料,其微分电导 dI/dV 在小于击穿电压范围为:(1.15/V~(1/2))×10~(a+bV~(1/2))。材料的特性跟烧结后的晶粒尺寸、过量的 TiO_2和扩散杂质的选择有极其密切的关系。 相似文献
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