镧对碳化硅超细粉合成温度与粒度的影响

众多研究表明,提高反应物起始原料的均匀混合程度、添加适量的添加剂是改善碳热还原法制备碳化硅超细粉体的有效途径。由于稀土元素对众多的化学反应都能起到有效的促进作用,于是,以纳米二氧化硅和活性炭为起始原料,以稀土镧为添加剂,采用碳热还原法制备碳化硅超细粉体,并借助X射线衍射仪和激光粒度仪分别对合成的粉体进行物相和粒度分析,实验结果表明:添加一定量的稀土镧有助于降低碳化硅超细粉的合成温度及粉体粒度。     

溶胶-凝胶法制备纳米碳化硅粉末的研究

以工业硅溶胶和炭黑为主要原料，采用溶胶一凝胶法和碳热还原法制备了纳米碳化硅粉末，研究了原料组成和制备工艺对超细粉末质量的影响。结果表明：该方法可直接制备纯度较高，颗粒直径分布范围小，粒径在一定范围内可控制的纳米碳化硅粉末。     

碳化硅纳米粉体研究进展

碳化硅纳米粉体性能优于传统的碳化硅粉体，能够达到高新技术领域的严格要求，具有更为广泛的用途。综述了近年来在高新技术领域发展起来的碳化硅纳米粉体的制备方法，对一些新的制备方法进行了重点介绍，阐述了各种方法的基本原理、特点及研究现状，并对各种方法进行了比较。碳热还原法原料便宜，质量稳定，易实现工业化生产；液相法可制得纯度高的纳米级微粉；气相法是目前比较先进的方法，但不易实现大批量生产。未来碳热还原法将继续占主导地位，提出了该领域科学工作者的努力方向。     

研发动态

高比表面积多孔碳化硅渭南师范学院的王冬华以康醇为碳源、正硅酸乙酯为硅源、含氢硅油为结构助剂,通过溶胶-凝胶法制备了碳化硅前驱体;再经碳热还原法得到高比表面积多孔碳化硅。研究发现,含氢硅油的特殊结构有利于形成多孔碳化硅,且对碳化     

锆催化的碳化硅纳米线的制备及表征

以酚醛树脂为碳源、正硅酸乙酯为硅源、硝酸锆为催化荆,通过溶胶-凝胶法和碳热还原法制备出碳化硅纳米线.用X射线衍射仪和透射电子显微镜进行了表征.结果表明,通过此法制备的碳化硅为β - SiC,具有光滑的表面、长而直的线状结构;氧化锆在低于熔点时也起到液相催化作用,为碳化硅的生长提供有利生长点.     

磷肥副产硅胶生产碳化硅的实验研究

磷肥副产硅胶产量可观,其主要成分是二氧化硅,是加工硅系列产品很好的原料.碳化硅属第三代半导体材料,经济价值高,应用前景好.概述了以二氧化硅为硅源制备碳化硅粉体的主要方法,并介绍利用磷肥副产硅胶碳热还原法生产碳化硅的实验研究.     

碳化硅纳米线光催化分解甲基橙性能研究

以石墨粉提供碳源,正硅酸乙酯提供硅源,在催化剂硝酸镍的作用下,通过溶胶-凝胶法和碳热还原法制备纯的碳化硅纳米线。采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对其所制备的样品物相结构和表面形貌进行表征,探讨了碳化硅纳米线对甲基橙的光催化分解性能。结果表明,碳化硅纳米线的加入量和不同的光照时间均会影响甲基橙溶液的降解率。当碳化硅纳米线的加入量为150mg时甲基橙的降解率最大;光照3h甲基橙的降解率最大。     

核用碳化硼制备工艺研究进展

碳化硼是一种被广泛应用在耐火材料、模具、轴承、喷嘴和核工业中的新型材料,主要介绍了有关制备碳化硼的工艺,其主要包括碳热还原法、自蔓延热还原法、化学气相沉积法和溶胶-凝胶碳热还原法。通过对比指出各种方法的优缺点,探讨了碳化硼制备的研究现状、存在的问题及发展方向。     

原料粒度对合成碳化硅的影响研究

以轮胎半焦为碳源,石英砂为硅源,在1520℃下通过碳热还原法制备了碳化硅。采用XRD、SEM和红外光谱仪等对不同原料粒度条件下制备的碳化硅进行了表征,探究了原料粒度对合成碳化硅物相、形貌、粒度和反应程度的影响规律。结果表明：原料粒度对碳化硅的合成反应进行程度及产物碳化硅的物相组成、形貌、粒度均有十分重要的影响。在一定粒度范围内,随着石英砂粒度的减小,碳化硅晶型变完整,且晶须逐渐减少,碳化硅的粒径分布没有明显变化;随着轮胎半焦粒度的增大,产物物相逐渐变为单一,碳化硅的粒径和晶须所占的比例逐渐减小。此外,通过对产物中C/Si 比的测定和存在中间产物SiO的证实,推测出了碳化硅颗粒的生成机理为气-固（VS）反应,而碳化硅晶须的生成机理为气-气（VV）反应。     

化工用高耐磨耐腐蚀精细陶瓷

南京化工大学采用碳热还原法合成碳化硅粉末及高耐磨、耐腐蚀碳化硅、碳化硼精细陶瓷 ,并用此制备碳化物陶瓷喷咀、喷片等产品 ,并成功地将其应用于石油化工高浓度含油、含碱废液喷雾焚烧喷头、压力式喷雾干燥机陶瓷料浆喷片、除锈喷砂和喷枪喷头等。材料的技术指标符合要求 ,防腐蚀性能优良 ,已通过江苏省科委组织的技术鉴定。化工用高耐磨耐腐蚀精细陶瓷@江镇海     

纳米碳化硅对染料罗丹明B的光降解性能研究

以石墨作为碳源，正硅酸乙酯作为硅源，硝酸钴作为催化剂，采用溶胶-凝胶法和碳热还原法制备纳米碳化硅，并对其光催化性能进行研究。讨论了不同Si C用量、不同p H值、不同光源下纳米碳化硅对罗丹明B的光催化降解效果。结果表明：在250W紫外灯照射条件下，当p H=1，催化剂量为100mg时，罗丹明B的光降解效果最好，最高降解率可达58.52%。     

碳化物及碳化硅基复合粉体制备的新进展

综述了采用碳热还原天然矿物、工业固体废弃物和前驱体制备碳化物(Si C、Ti C、B4C、Zr C、Mo2C和Al8B4C7)及碳化硅基复合粉体(Si C-Al2O3、Si C-Zr O2、Si C-Zr B2、Si C-Si Al ON、Si C-Al6Si2O13、Si C-Ti C、Si C-Zr C)的最新研究进展,分析了碳热还原法制备陶瓷粉体的优缺点及合成反应机制,并展望了由天然矿物、固体废弃物和前驱体制备碳化物及碳化硅基复合粉体的发展前景。     

多相催化酯交换制备生物柴油的过程强化技术研究进展

近年来,多相催化酯交换制备生物柴油因其环境和经济效益突出而成为研究热点。但由于多相催化过程存在的非均相和催化界面导致酯交换反应时间过长、转化率低。针对多相催化酯交换生物柴油中存在的这些问题,人们研究了一些过程强化技术。本文概述了近期有关超声波、微波等过程强化技术在多相催化酯交换制备生物柴油中的应用。     

氮化铝粉末制备方法研究进展

综述了AIN粉末制备方法的特点和研究进展,包括直接氮化法、碳热还原法、电弧熔炼法、气相反应法、等离子体法、裂解法、自蔓延高温合成法、高能球磨法和微波合成法。根据合成的原理及反应物的状态对这些方法进行了归类,重点论述了直接氮化法和碳热还原法的研究动态。     

碳化硅纳米纤维薄膜的制备及表征

通过溶胶-凝胶碳热还原法制备了超长碳化硅纳米纤维(SiCNF),并采用丙酮辅助滚压法制备了新型自支撑SiCNF薄膜。通过X射线衍射、场发射扫描电镜、红外光谱等测试手段,分析了SiCNF的形貌、晶相和成分,表明产物为直径约50nm的超长立方相β-SiCNF。自支撑纳米薄膜作为NF的宏观体材料,在柔性电子器件、复合材料、能源材料、高温过滤、高温催化载体、环境治理、生物工程等领域具有广阔的应用前景。     

添加切割废料对硅灰制备碳化硅的影响

为回收利用硅灰,将硅灰通过碳热还原法制备了SiC粉体.研究不添加切割废料时温度(1550、1650、1750、1850℃)对冶炼效果的影响.在较优冶炼温度基础上,研究了切割废料添加质量(分别为硅灰添加质量的5％、15％、25％、35％、50％)对制备碳化硅粉体的影响.结果表明:最佳冶炼温度为1750℃,此时产物中SiC...     

碳热还原法制备氮化硅的研究进展

本文分析了碳热还原合成氮化硅的反应机理,综述了用碳热还原制备氮化硅粉末和多孔氮化硅陶瓷的研究现状和进展,阐述了碳热还原法现有问题,并展望了用碳热还原法制备氮化硅的发展.     

化学腐蚀对碳化硅纳米线的光致发光性能的影响

以石墨为原料,正硅酸乙酯为硅源,硝酸铁为催化剂,采用溶胶-凝胶法和碳热还原法得到了碳化硅纳米线,随后用比例为1∶3的浓硝酸和氢氟酸对所制备的样品进行腐蚀。用X射线衍射仪(XRD)、红外光谱仪(IR)、场发射扫描电镜(FESEM)、荧光光谱仪(PL)对腐蚀前后的碳化硅样品分别进行结构及性能的表征。结果表明,化学腐蚀前后的晶体形貌差异较大,而且光致发光特性产生明显不同。强发射峰位置出现明显蓝移是由于晶体结构缺陷和表面形貌导致的。     

碳化硅涂层在单晶硅用炭/炭热场材料中的应用及研究进展北大核心

碳化硅涂层是目前解决单晶硅生产用炭/炭热场材料高温侵蚀的有效手段之一,本文介绍了碳化硅涂层的制备技术及优缺点,综述了碳化硅涂层在炭/炭热场材料领域的应用及研究进展,对炭/炭热场材料高温抗侵蚀涂层的发展提出了建议和方向。     

碳化硅涂层在单晶硅用炭/炭热场材料中的应用及研究进展

碳化硅涂层是目前解决单晶硅生产用炭/炭热场材料高温侵蚀的有效手段之一,本文介绍了碳化硅涂层的制备技术及优缺点,综述了碳化硅涂层在炭/炭热场材料领域的应用及研究进展,对炭/炭热场材料高温抗侵蚀涂层的发展提出了建议和方向。