共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管期待作为几千兆赫以上具有优良性能的微波放大器件,一些单位都在积极开展研究。然而目前只有少数的硅双极晶体管在6千兆赫以上实现了比较优良的性能,已有几家市售产品,然而考虑到将来砷化镓场效应晶体管大有希望,可能取而代之。另外,使用砷化镓场效应晶体管的各种微波仪器的研究也极其活跃起来,预计不久将来,使用砷化镓场效应晶体管的 X 波段低噪声放大器将实用化,它必将取代过去所用的低噪声行波放大器(TWT)。 相似文献
2.
“微波宽带低噪声高增益场效应放大器优化设计研究”达国内领先水平微波宽带低噪声高增益场效应晶体管放大器是雷达、通信和电子对抗等电子系统中关键的微波前端,有广泛的军用和民用价值。西安电子科技大学八系陈开周教授最近完成并通过鉴定的电科院军事电子预研基金项目... 相似文献
3.
4.
1 引言 微波小功率低噪声晶体管和微波功率晶体管是机电部十三所传统的研究领域之一。作为主要的三端微波半导体器件之一的硅微波器件在六十年代末期低噪声器件已趋成熟,器件性能已经接近理论设计的物理极限。1966年,美国的米德提出砷化镓金属半导体场效应晶体管,或称砷化镓场效应管(简称GaAsMES FET)。砷化镓材料在迁移率等方面的性能比硅材料优越得多,GaAs MES FET的微波性能更使硅微波器件望尘莫及,因此, 相似文献
5.
施恩泽 《固体电子学研究与进展》1982,(1)
中华人民共和国的工程师们正在微波技术领域内进行广泛的研究,即从生长自已的砷化镓单晶到制造出低噪声场效应晶体管,从制造微波混合集成电路一直到单片砷化镓集成电路. 相似文献
6.
7.
最近,外刊上报导了两种新的混合型微波放大器,现将有关这方面的报导,加以综合介绍如下: 1.混合型场效应——双极晶体管放大器这种放大器兼有场效应晶体管低噪声和双极晶体管高增益的优点。通常放大器由几级构成,第一级用砷化镓微波场效应晶体管放大器,作为前置放大器,获得最低的噪声系数。而其余几级用双极晶体管放大器,在最佳的匹配条件下,获得足够高的增益。比如,由飞歌—福特公司设计的一个混合型放大器就是采用这种技术,其工作在3.7~4.2 相似文献
8.
9.
一、引言砷化镓肖特基势垒场效应晶体管是在X波段和更高频率上显示线性功率放大性能的第一个三端固体器件。它的独特的信号处理能力和低噪声特性已为许多工作者所证明。例如,在10千兆赫时,其噪声系数接近3分贝的已有报导,而理论上预计的还低一些。目前,从低的C波段往上,砷化镓场效应晶体管已在低噪声放大器中被采用。就这点而论,它很出色地弥补了硅双极晶体管仍然只能控制C波段以下的微波波段的状况,然而,现在正用具有缓冲层的场效应晶体管来实现降低噪声,双极晶体管的这一独特频率范围不会继续存在多久。图1是根据1975年7月用硅双极晶体管和砷化镓场效应晶体管 相似文献
10.
11.
代月波 《卫星电视与宽带多媒体》2011,(19):30-35
卫星高频头(LNB,也称电视低噪声下变频器或卫星电视室外单元,台湾称低杂讯降频器)是卫星电视接收系统中不可获缺的器材,它由微波低噪声放大器、微波混频器、第一本振和第一中频前置放大器组成。LNB中的低噪声放大器一般是将波导同轴转换器与低噪声放大器合成一个部件,包含3~4级放大,前两级为低噪声放大器,采用高电子迁移率晶体管HEMT器件,后两级为高增益放大器,采用砷化镓场效应晶体管GaAsFET。 相似文献
12.
S.YegnaNavayan 《电子器件》1980,(Z1)
近几年来,人们对于数字和微波(模拟)单块集成电路两方面的兴趣在增加。由于GaAs的优越的高频半导电的特性,以及半绝缘GaAs的存在,这些振奋人心的发展已成为可能。对于象微波(?)输线和低损耗内部连接和遍及各处GaAs场效应晶体管的界限来说,半绝缘GaAs是一种很好的电介质,GaAs场效应晶体管已应用于超高速开关,低噪声和中功率放大,信号发生和控 相似文献
13.
一引言 1965年,RCA公司的Becke成功地制造了第一个微波场效应晶体管,使场效应晶体管开始进入微波领域。但是,在其后一段很长的时间进展较为缓慢。随着半导体材料和工艺技术的进步,从1974年开始又有了新的突破。最近几年进展迅速,现在已从实验室阶段走向实用阶段。目前,各国半导体厂家和研究部门纷纷成立微波场效应晶体管的研制机构开展研制工作。有关微波场效应晶体管及其应用的文章亦大量发表,似乎大有微波场效应晶体管热之趋势。 相似文献
14.
微波砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)的出现和应用可以说是七十年代固态微波的最辉煌成果.自1971年研制成GaAs FET以来,由于它在微波频段具有低噪声、高增益、低三阶交调失真、高反向隔离、低工作电压、高输入阻抗和热稳定性好等特点,因此已广泛用于通信、雷达、电子对抗等设备中.随着设计和工艺水平的不断突破,近年来GaAs FET的应用领域已迅速扩展到诸如低噪声UHF电子调谐器、卫星直播电视接收机前端、闯入报警器、多卜勒雷达、汽车电话及TV中继接收站等民用电器方面.一、GaA8 FET的分类和结构用于微波频段的GaAs FET,按栅的不同结构,可分为金属半导体接触栅场效应晶体管(MESFET)、PN结栅场效应晶体管(JFET)和绝缘栅场效应晶体管(IGFET或MOSFET)三类.其中以MESFET发展 相似文献
15.
现在,微波晶体管,硅双极晶体管已开始广泛地用来做4千兆赫下低噪声和功率等各种放大器。由于晶体管放大器和其他结构的放大器相比,具有许多优良的性质,可望研制在更高频率下具有低噪声,高增益、高输出功率等特性的晶体管。然而,硅双极晶体管的特性目前已大致接近其极限,作为其代替者,GaAs肖特基势垒场效应晶体管(GaAsSBEET或GaAsMESFET)近年来引起人们极大的注意。自Mead(1966)提出了GaAsFET,Hooper(1967)等人确定了其作为微波晶体管的可能性,到Drangeid(1970)等人试制了最高振荡频率为30千兆赫的器件,这段时间为该器件作为微波晶体管的试制期。到1972年,Liecht等人成功地制 相似文献
16.
一、引言目前,半导体微波技术,正在电子对抗、卫星通信、遥控、遥测、相控阵雷达以及民用微波通信等现代化整机方面广泛地得到应用。半导体微波器件的发展,业已促进了整机的固体化和小型化的实现。而现代化的整机,又对半导体微波器件提出了更高的要求。比如在微波波段要有大功率信号源以作固体发射源,又如在微波领域要有低噪声器件以作固体接收部件。目前,在半导体微波器件中进展最快的是微波晶体管。双极晶体管和场效应晶体管 相似文献
17.
本文讲述了微波小信号低噪声场效应晶体管(GaAsFET)放大器的主要特性,提出了该器件在收信系统中的不同使用方案,还对每种方案进行了分析、探讨和系统噪声系数计算。 相似文献
18.
19.
光电二极管后接结型场效应晶体管的光电探测电路,可提供低频散粒噪声限性能。采用现有的微波场效应晶体管,散粒噪声限性能的频带宽可扩展到兆赫范围。低噪声光电探测器用光电二极管可探测的最小信号功率通常受放大器噪声,而不是光电二极管噪声的限制。不过,在光电二极管后接一个场效应晶体管放大器,可大大改进信噪比。对于临界频率f_c以下的频率,可获得散粒噪声限性能,所以,光电二极管与场效应晶体管组合就成了光电参量上变频器、光电倍增管及低频雪崩光电二极管的劲敌。在下面的讨论中,假定光电二极管接到共源组态的场效应晶体管的栅极上。参照图1,信噪比很容易计算。此图中,反向偏置光电二极管由结电容C_d与串联电阻R_s表 相似文献
20.
卫星通信用的低噪声放大器近年来取得了重大的发展。本报告介绍低噪声放大器最近的发展状况和在各频段中应用的噪声温度特性和设计特点。由于12千兆赫频段的场效应晶体管正在取得巨大的进展,所以对12千兆赫场效应晶体管低噪声放大器作较详细的介绍。最后,讨论改善噪声温度和应用等方面的将来的技术发展趋势。 相似文献