资料简介索引

用液相外延技术已成功地生长了波长～1.33微米的Hg_(1-x)Cd_xTe外延层。制备和测量了光电二极管。异质结分析表明在室温下正向偏压的结电流是以产生-复合机理为主。计算得出产生-复合有效寿命为2×10~(-7)秒。在30伏反向偏压下观察到9×10~(-6)安/厘米~2的漏电流密度,二极管击穿电压为70伏。     

资料简介索引

发展了一种新的方法,它可以分析不同红外镶嵌焦平面几何结构的效应,以便为某一应用选择最好的结构。此法已包括到一个计算机模拟工程中。文中举例说明最近的一项应用     

资料简介索引

激光火箭系统对激光传输功率能节约传输费用。它能把16MW空间激光动力站或37.5MW的地面站间的传输成本降低24％,把490MW空间激光动力站或1000MW地面站间的传输费用降低1/7。(谢)     

资料简介索引

用直拉法已取得高质量的 Pb_xHg_(1-x)Te合金单晶。在拉晶过程中,真空室要用氮稍微加压。在远红外区采用了反射率测量,观察到用布里奇曼法或直拉法所制Pb_xHg_(1-x)Te样品的等离子体频率位置有显著不同。     

资料简介索引

激光器件,2001翻吸铝忆中协的荧光 Lumilleseen:e of bismuth in yttrium alum- inum borate,F.Kellendonk,Chem.I,hys.Lett., 1979,61一2,239一241. 介绍在YA13B4O;:中掺Bi卜的荧光光谱。在液曳温度下发射带显示出振动结构。测量了能量由Bs 转移给Tb3于和Ces于转移给Tb翻奋。结果表明,由Bis十转移给Tb卜比由Ces 转移更为有效。 12002 Nd吕‘滋光.体的效率 N沪 lase:erystal effieieney,M.synek et al.,Phys.Lett.,Vol.70A,No.4,19 Mar 1979,pp.283一6. 本文分析了各种掺Nda个晶体的激光效率参数,与Nd“十:l。F3作比较。 120D3…     

资料简介索引

红外应用 5001 红外技术概论赤外线技术概论,高木亨,映像情报,第10卷,第19期,第10～19页(1978年12月)。本文通俗地介绍了红外辐射的基本原理、基础的红外技术和红外装置等问题。 5002 72元8～12微米高性能HgcdTe探测器列阵     

资料简介索引

红外器件11001 Hg_(0.6)Cd_(0.4)Te液相外延层富Te、富Hg和富HgTe生长法的比较Comparison of HgCdTe LPE layer growthfrom Te-,Hg-and HgTe-rich solutions,T.E.Bowers,Honeywell,IEEE Trans.on ElectronDevices,1980,Vol.ED-27,No.1,pp.24-8.介绍不同组份过量的三种液相外延法。富碲法外延层成份有梯度的厚度范围为3微米,横向和纵向成份不均匀性小于±1％(克分子)CdTe;系在常压下生长,但只能生长p型层。富HgTe法是种闭管生长法,在原理上可以生长p或n型,纵向成份有梯度的范围为20微米。11002 三靶射频溅射的HgCdTe薄膜RF triode-sputtered MCT thin films,R.N.Cornely,Bell,IEEE Trans.on Electron Devi-ces,1980,Vol.ED-27,No.1,pp.29-32.     

资料简介索引

红外技术5001 Hg_(1-x)Cd_xTe半导体内部成分变化的光声成像 Photoacoustic imaging of compositional variations in Hg_(1-x)Cd_xTe semiconductors, J. F. McClland, IS-M-308, 12p(1980). 本方法系由材料样品吸收光子,把所吸收的部分热量传导给相邻的气体。气体的热膨胀产生声信号,用传感器接收此种信号进行成像。     

资料简介索引

红外器件 2Q01 Hg,一二cd汀e的红外光学吸收 Infrared optieal absorption of Hgl一二Cd言Te, E .Finkman,Israel Institu七e of Teehno土ogy,J Appl.P!1丁5.5 June 1979,Vol 50,No6,pp. 4356一4361. 在80到300K温度下测量了整个0 .205成x蕊0.220组分范围的接近Hgl一二Cd二Te基础吸收边缘的吸收。根据干涉图案得出了Hg,一考C(坛Te折射率的色散。发现吸收尾部服从于改进的urbach法则,并用20落a(厘米一‘)(2000的a=aoexp〔a(百一E。)/(T+T。)〕表示。拟合参数a。,a,T。和E。随x有规则地变化。表示式用于求作为二和T函数的能隙吸收…     

资料简介索引

红外器件4001 P型碲镉汞的少子寿命和扩散长度Minority carrier lifetime and diffusionlength in p-type mercury cadmium tellurideJ.L.Schmit,Honeywell Electro-Optics Center,AD.A071 094,153p(1979).研究少子性质与多子空穴受主浓度的关系。得出主要复合机理是肖克莱-里德复合,而不是辐时复合。复合中心处在价带顶以上140毫电子伏处,其浓度与受主浓度成比例。文中也介绍了材料的生长和退火问题。     

资料简介索引

红外应用 1201多盛成象在环境洲,的应用(会议录) Workshop for environmental applieations of multispeetral imaging,1975,KingmanBuil- ding,FT,Belvoir,Va,USA. 介绍24篇文章,包括多传感器、多波段、多谱成象和成象处理方法,用于陆地分类,测水和大气污染,自然资源利用,军事地理信息等遥感问题。 1202红外前视袭t的目标肺选系统 Target sereener/Flir:ystem,M.Geokezas, Honeywell,Proe,SPIE,Vol.101,Airborne re- eonnaissanee,1977,84一91. 讨论这种系统的性能。它从红外前视系统的图案可以探测出人为目标,在有人为目标的地方…     

资料简介索引

红外器件 9001 半导体材料 Semiconducting materials,Th.J.Gray,State Univ.New York,AD.244415,22p(1960)。介绍铋化物、硼化物、镉化物、硒化物和碲化物等半导体材料。 9002 半导体材料 Semicoaducting materials,Th.Gray,State     

资料简介索引

一、固体激光材并与器件 8001滋光玻瑞.近研究 Reeent developments in laser glasses,M.J. Weber,N83一34318. 玻璃组分包括氧化物、卤化物、卤氧化物等,大大扩大激光器的光学特性和光谱参数。本文评述受激Nd3 离子激光作用的很多军要特性,如线性、非线性折射率、基质玻璃的损     

资料简介索引

由Ⅱ一Ⅵ族源合金Hg_(1-x)Cd_xTe生长在CdTe和Cd_(1-z)Zn_zTe衬底上时观察到,外延层生长时衬底中的螺纹位错向界面弯曲,从而防止了向外延层扩散。用高倍立体显微方法进行图象分析发现界面位错是平面网络状,这同其他研究人员在以前报道的Ⅲ     

资料简介索引

用通用电容电桥或锁定技术研究了以Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.2或0.27)为基础的MOS电容器。样品性能的差异视型别和化学配比x而定。例如,与n型样品相反,p型样品在1兆赫以下始终具有低频电容性能。处于带隙的表面态密度高,两个峰值接近带缘。在有些结构上出现了分立的表面态。低温下可能会引起简并累积或n型反型层,其作用有如一双维气体。外加一磁场就可观察到Shubnikovde     

资料简介索引

一、气体激光器5001 在某些应用中CO_2激光器的频率稳定性Frequency stabilization of CO_2 laser in someapplications, Charles Freed, SPIE Vol. 335, PP.59-68 (1982).本文评述了林肯实验室的稳频技术和某些应用。[戎]5002 横向射频波导CO_2激光器放电均匀性改进Improved discharge uniformity for transverseradio frequency waveguide CO_2 laser, G. A. Gri-fith, SPIE Vol, 335, pp. 69-71 (1982).横向射频激励波导激光器存在一种不希望的不均匀气体放电,它与光波导的电气传输线特性有关。当用周期性电感分流时,可以修正电压驻波比,对电气长度超过2/3λ、频率200MHz的激光器,其激光器效率增加4倍。当激光效率为10％时,峰值输出功     

资料简介索引

本文介绍一种由三反射镜组成的激光扩束器,其中一面是非球面反射镜,从而修正了球差、彗差、象散和泊兹瓦耳曲率,而且在定中心方式中也可用此面反射镜。新激光扩束器的扩束倍数一般为4倍、8倍两种。     

资料简介索引

红外技术 6001 Hg_(1-x)Cd_xTe的缺陷化学和鉴定 Defect chemistry aad characterization of Hg_(1-x) Cd_xTe,H.R.Vydyanath,N.81.23 924,105p(1981). 碲镉汞晶体未掺杂,置于400～655℃和不同汞压下进行平衡。对淬火到室温随后作高温平衡的晶体作霍尔放应和迁移率测量。根据此种样品在77K下空穴浓度随Hg分压的变化以及与掺铟和磷样品的比较,得出未掺杂晶体的缺陷模型。根据模型阐述了晶体缺陷和p-n转型的性质。     

资料简介索引

红外技术2001 红外用优质 HgCdTe 等温生长法的改进A modified approach to isothermal growth ofultra high quailty HgCdTe for infrared applicat-ions,P.Becla,J.Electrochem Soc.,1981.Vol.128,№,5,pp.1171-1173.用等温生长法在 CdTe 衬底上生长的 Hg_(1-x)Cd_xTe 外延层具有镜面状表面形态,高径向组分均匀度和突出的电子特性(即 x 接近0.15的电子迁移率数值为500000厘米~2/伏秒)。生长法新特点是利用富碲 HgCdTe而不是以前采用的 HgTe(或化学配比 Hg_(1-x)Cd_xTe)作     

资料简介索引

红外技术 4001 碲镉汞的溅射研究 Mercury cadmium telluride sputtering research,R.H.Cornely, AD. A094 671,18p(1980). 在三靶射频溅射中,通过提高Hg蒸汽压及CdTe或Si衬底温度提高了(Hg,Cd)Te(CdTe占25克分子％)生成态溅射膜的迁移率。用4探针霍尔测量法测得在296和89K时电子迁移率分别为2200和3720厘米~2/伏秒,n型载流子浓度分别为5和2.8×10~(16)/厘米~3。