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采用激光烧蚀法,在不同功率条件下,制备出氧化锌纳米颗粒,并对其进行了尺寸表征、光致发光和拉曼光谱测量。结果表明:在不同功率条件下获得的氧化锌纳米颗粒尺寸分布均为10~50 nm,但是随着激光烧蚀功率的增加,颗粒的凝聚程度增大,导致其光致发光谱发生红移;而其拉曼光谱不发生变化。最后,对氧化锌纳米颗粒的激光烧蚀机制进行了解释。 相似文献
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为了制作性能良好的光电子集成、光波导等器件,研究纳米多孔氧化硅膜的制备和表征具有重要意义。采用高温氧化多孔硅的方法制备了纳米多孔氧化硅,进行了两种样品的荧光光谱和傅里叶变换红外吸收谱对比检测。相比于多孔硅,多孔氧化硅的发光峰值向短波方向"蓝移"并且发光强度明显降低。多孔硅表面基本是由氢饱和的,而经氧化后的多孔氧化硅表面的Si—H键大部分被Si—O键所代替。结果表明,量子限制效应是样品的荧光光谱"蓝移"的原因,而发光强度的降低则归因于样品表面辐射复合中心的减少和内部纳米硅柱(硅晶粒)尺寸的减小。 相似文献
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通过将纳米管解压缩可以很容易地生产石墨烯纳米带,因为碳纳米管结构可以被认为是卷起的石墨烯筒。这是一种特殊的2D石墨结构,具有出色的性能。应用领域广泛,包括晶体管、光学和微波通信设备、生物传感器、化学传感器、电子存储和处理设备以及纳米机电系统和复合材料。通过扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜的形貌,通过拉曼光谱法表征石墨烯的性质,并通过半导体参数测量系统测量薄膜的电导率。拉曼光谱表明,通过优化工艺可以增强石墨烯的拉曼特性。碳纳米管制备石墨烯带的两个重要参数是激光能量密度和辐照时间。在这项研究中,通过准分子激光辐照碳纳米管薄膜来生产石墨烯纳米带。实验结果表明,在150 mJ的激光能量下,观察到连接时碳纳米管没有打开。在450 mJ的能量下,可以有效地破坏碳纳米管,并且使其部分地形成石墨烯带。此时,膜的电导率达到最大值。由于蓄热作用,在碳纳米管壁上出现大量的多孔结构。 相似文献
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纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料.利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分、结构和发光特性进行研究,发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒,并计算出其平均尺寸.在510 nm光激发下,观察到纳米硅发光峰,对样品发光机制进行了讨论,认为其较强的发光起因于缺陷态和纳米硅发光. 相似文献
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激光诱导气相沉积法是制备纳米氮化硅粉末的主要方法之一。在制备纳米粉体过程中,各工艺参数的变化对粉体特征有很大的影响。在激光制Si3N4纳米粉中基本的运行参数有:激光强度(I),反应池压力(P),反应火焰温度(T),反应气体配比(ΦSiH4/ΦNH3),反应气体流速(V)等。通过实验研究了各个工艺参数对粉体特征的影响并分析了其影响的原因。 相似文献
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采用脉冲激光沉积法在锗基底制备无氢SiC薄膜,研究了激光能量对SiC薄膜显微结构、成分和红外光学性能的影响规律。利用傅里叶红外光谱仪测量了锗基底SiC薄膜样品的红外透射光谱,其在785 cm-1附近有一个强烈Si-C键特征吸收峰,并在红外波数4 000~1 300 cm-1之间具有良好的透过性。通过对透射光谱拟合计算可知:在红外波段2.5~7.7 m之间,SiC薄膜的折射率和消光系数均随着激光能量的增加而增大,折射率大约从2.15上升到2.33,激光能量从400 mJ增加到600 mJ,且当激光能量为400、500 mJ时,消光系数均在10-3量级以内,光学吸收很小。研究表明,SiC薄膜在红外2.5~7.7 m波段是一种优异的光学薄膜材料。 相似文献
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拉曼光谱检测常常受到荧光干扰,而移频激发拉曼差分光谱法(SERDS)是一种有效抑制拉曼光谱荧光背景的方法。基于该方法,采用两个波长相近、基于体布拉格光栅技术的固定波长激光器,设计了一套拉曼光谱测试系统。通过控制激光器的功率和温度,保证了输出波长的稳定性。采用高灵敏度的薄型背照式面阵CCD,设计了光谱数据采集光路和电路。同时,在软件上实现了差分光谱的三种重构算法,即简单积分算法、带数值插值的简单积分算法和多重约束解卷积算法。在实验中,利用文中系统对强荧光背景的某品牌香油进行了拉曼光谱测量,分别采用这三种算法处理差分光谱进行光谱重构,并对比了重构效果。实验结果表明,设计的系统能够有效抑制荧光对拉曼光谱检测的影响。 相似文献
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用CO2红外激光诱志化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大,则SiH4受热温度越高,纳米Si的成核率越高,纳米Si核的密度越大,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少,从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值,则SiH4温度太低,不能裂解。SiH4的流速越快,则纳米Si成核后生长期越短,纳米Si粒也小而均匀。当SiH4流速快到一个高限阈值,则SiH4受热时间太短,升不到裂解所需的高温。以上2个产生纳米Si的阈值正相关。纳米Si制取后退火脱H,3440cm^-1光谱带红移并增强,2150cm^-1光谱带形状变化,1100cm^-1光谱带形状变化,1100cm^-1光谱带由低频处蓝移而来并展宽。这都表明含O键在纳米Si很大的表面上出现。为了减轻含O键出现,纳米Si应在Ar气氛中而不是在空气中,从低于300℃的温度开始退火。 相似文献
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LICVD制备纳米SiO2粉末工艺研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对LICVD制备纳米SiO2粉末工艺了理论分析,探索了工艺参数与粒子特征的关系,并且利用正安装置成功地制备纳米SiO2粉末。 相似文献
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氮化硅(Si_3N_4)是优良的陶瓷材料,应用十分广泛。本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米Si_3N_4的工作原理,提出了减少游离硅的措施,采用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米 Si_3N_4粉体。 相似文献
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Shizuo Fujita Hideo Toyoshima Michinori Nishihara Akio Sasaki 《Journal of Electronic Materials》1982,11(4):795-812
This study is concerned with deep trap densities and energy levels in CVD Si3N4 layers deposited on Si substrates at 700°C with various gas flow ratio NH3/SiH4. As the ratio NH3/SiH4 increases from 10 to 1000, the trap density decreases from 8 × 10l9 t0 2 x l019cm−3, and energetical distribution of trap states becomes lower and/or electron emission probability from trap states less. The
results are discussed in terms of chemical and optical properties of Si3N4 film revealed by infrared absorption, Auger electron spectroscopy, and ellipsometry. It is shown that (i) Si dangling bonds
create deep trap states and (ii) 0 and H atoms act as terminators to decrease trap density.
A part of this paper was presented at the 23rd Annual Electronic Materials Conference, University of California, Santa Barbara,
1981.
On leave from Yasu Plant, IBM Japan Ltd., Yasu-cho Shiga 520-23, Japan. 相似文献
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PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究 总被引:4,自引:1,他引:3
对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件,制出了高质量的氮化硅介质膜,对样品进行了湿法腐蚀和超声实验,在显微镜下观察无膜脱落现象发生。阐述了几种工艺参数对介质膜生长的影响。 相似文献
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Reeson K.J. Hemment P.L.F. Peart R.F. Meekison C.D. Booker G.R. Davis J. 《Electronics letters》1986,22(9):467-469
Buried double-layered nitride structures in single-crystal (100) silicon have been produced by the implantation of doses of 0.75 × 1018 N+ cm-2 at 350 keV and 200 keV, respectively. Observations by RBS and channelling on the structure before and after high-temperature annealing and by TEM after annealing have shown two distinct buried nitride layers of different thicknesses. The mechanisms responsible for the formation of such a structure are discussed, together with possible routes for nitrogen migration. The processing conditions to form multilayer structures which are suitable for device applications are proposed. 相似文献
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The composition and morphology of obtained products depended on the processing atmosphere using the raw materials of nanosilicon, nanosilica and graphite, with N2-generating several millimeters long single-crystal Si3N4 nanobelts (NBs) and Ar SiC nanobelts. The width and thickness of in situ NBs ranged from 100 to 300 nm and 50–100 nm with an average width of 196 nm, while the width and thickness of ex situ NBs fluctuated from 150 to 500 nm and 80–200 nm with an average width of 436 nm. Alumina-assisted VS mechanism was proposed for the growth mode of in situ growth of Si3N4 nanobelts, while a combined mechanism involving VS and VLS was controlled the growth of Si3N4 nanobelts obtained on the inner walls of the crucible due to the presence of Fe2O3, which provides an effective means of fabricating ultra-long Si3N4 nanobelts on an industrial scale. 相似文献