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发光二极管及其芯片研究和生产进展 总被引:1,自引:1,他引:0
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是制作显示器件的重要材料,随着制作工艺日趋成熟,发光二极管已广泛应用于国民经济各部门,文章主要介绍日本及中华台北的发光二极管的结构、特性。 相似文献
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负电子亲和势Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展 总被引:1,自引:0,他引:1
阐明了负电子亲和势Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能,论述了关于其物理机制的四种理论模型见解,介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。 相似文献
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信息产业部电子情报所黄史坚研究员答读者问1.可见光二极管激光器和发光二极管是什么材料制成的?答:蓝绿光二极管激光器和发光二极管的制作材料有II-VI族Inse材料系列、Ⅲ-V族GaN材料系列和IV-IV族SiC材料系列等。衬底材料多为Ⅲ-V族GaAS材料。黄橙红光二极管激光器工作波长为550~750nm,主要材料是AlxGa1-xAS/GaAs和AlGaInP/GaInP。目前,以输出650nm波长的后种材料性能最好。红光发光二极管的材料有GaP、GaASP/GaP、GaAIAs/GaAs等,工作波长600-620nm。橙光发光二极管的材料主要有GaAlP/GaP,工作波长… 相似文献
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友清 《激光与光电子学进展》1996,33(2):17-19
蓝绿光激光二极管技术的进展砷化镓和有关Ⅲ-Ⅴ族材料之类的化合物半导体一般在红外光谱区发射,这类器件的应用是光纤通信线路和CD唱机。但宽带隙D-W族化合物半导体可有一系列直接能隙,能在整个可见光谱范围发射,潜在效率较高。因此,直接带隙D-I族半导体器件... 相似文献
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重点介绍Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜的特性,特别是CdS和CdSe。利用密封空间汽化传输技术制作的CdS薄膜具有低的电阻(300K时,σ为0.88~1.34Ω^-1·cm^-1)、高的载流子迁移率。X射线衍射仪分析表明:在(002)面择优生长,薄膜特性与制膜工艺有明显的关系,淀积后的退火和就地腐蚀能增大晶粒尺寸,减少晶粒边界。同时介绍了CdSe太阳电池的特性。 相似文献
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半导体量子线场效应管研究现状及趋势 总被引:2,自引:0,他引:2
综述了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难,并展望了进一步的发展趋势。 相似文献
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蓝光半导体激光器室温脉冲振荡首次成功眼下,用1-VI族半导体的蓝一绿光激光器室温振荡的探索研究竞争激烈,开发范围不断扩大,索尼公司用以Znse为基础的!-VI族半导体激光器,在世界首次获得振荡波长为498.sum的蓝光激光的室温振荡。脉冲驱动时的峰值... 相似文献
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翁寿松 《电子工业专用设备》2006,35(12):14-16
预测了2006/2007年全球半导体市场及半导体设备市场。2006年全球半导体市场增长率为8%~11%,2007年为10%~11%。2006年全球半导体设备市场增长率为18%,2007年为10%以上。2006年中国半导体市场增长率为30%,2007年为31%。2006年中国半导体设备市场增长率为78.11%,2007年为1%。 相似文献
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翁寿松 《电子工业专用设备》2003,32(6):8-12
讨论了2005/2010年的全球半导体市场、半导体工艺、半导体设备和中国半导体产业。同时, 还介绍了ITRS2001、摩尔定律对2005/2010年全球半导体的预测。 相似文献
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Abstract: An amorphous silicon 16 - bit array photodetector with the a - SiC/a -Si heterojunction diode is presented. The fabrication processes of the device were studied systematically. By the optimum of the diode structure and the preparation procedures, the diode with Id< 10 -12 A/mm2 and photocurrent Ip^0.35 A/W has been obtained at the wavelength of 632 nm. 相似文献
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ZHANG Shaoqiang XU Zhongyang ZOU Xuecheng WANG Changan ZHOU Xuemei ZHAO Bofang 《半导体光子学与技术》1997,3(1):20-23
An amorphous silicon 16-bit array photodetector with the a-SiC/a -Si heterojunction diode is presented. The fabrication processes of the device were studied systematically. By the optimum of the diode structure and the preparation procedures, the diode with Id< 10 -12 A/mm2 and photocurrent Ip^0.35 A/W has been obtained at the wavelength of 632 nm. 相似文献
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本文叙述了当前世界上亚微米、深亚微米技术的发展趋势,分析了我国亚微米技术的现状,最后介绍了机械电子工业部第十三研究所在亚微米技术方面的进展及其在半导体器件与集成电路制造中的成功应用。 相似文献
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阐述了应用于EEPROM中的超薄隧道氧化层随时间的击穿特性。比较和分析了不同的可靠性测试方法,并对超薄氧化层生长工艺的优化进行了探讨。 相似文献