发光二极管及其芯片研究和生产进展

Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体是制作显示器件的重要材料，随着制作工艺日趋成熟，发光二极管已广泛应用于国民经济各部门，文章主要介绍日本及中华台北的发光二极管的结构、特性。     

负电子亲和势Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展

阐明了负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能，论述了关于其物理机制的四种理论模型见解，介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。     

负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展

阐明了负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能，论述了关于其物理机制的四种理论模型见解，介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。     

读者之窗

信息产业部电子情报所黄史坚研究员答读者问1．可见光二极管激光器和发光二极管是什么材料制成的？答：蓝绿光二极管激光器和发光二极管的制作材料有II－VI族Inse材料系列、Ⅲ－V族GaN材料系列和IV－IV族SiC材料系列等。衬底材料多为Ⅲ－V族GaAS材料。黄橙红光二极管激光器工作波长为550～750nm,主要材料是AlxGa1－xAS／GaAs和AlGaInP／GaInP。目前,以输出650nm波长的后种材料性能最好。红光发光二极管的材料有GaP、GaASP／GaP、GaAIAs／GaAs等,工作波长600-620nm。橙光发光二极管的材料主要有GaAlP／GaP,工作波长…     

蓝绿光激光二极管技术的进展

蓝绿光激光二极管技术的进展砷化镓和有关Ⅲ－Ⅴ族材料之类的化合物半导体一般在红外光谱区发射，这类器件的应用是光纤通信线路和ＣＤ唱机。但宽带隙Ｄ－Ｗ族化合物半导体可有一系列直接能隙，能在整个可见光谱范围发射，潜在效率较高。因此，直接带隙Ｄ－Ｉ族半导体器件...     

化合物半导体禁带宽度和熔点的人工神经网络预报

利用经标志样本集训练的人工神经网络对Ⅲ－Ⅴ、Ⅱ－Ⅵ族二元化合物和Ⅰ－Ⅲ－Ⅵ２、Ⅱ－Ⅳ－Ⅴ２族三元化合物半导体的禁带宽度和熔点进行了预报，计算结果与实验结果符合较好     

Ⅱ—Ⅵ族半导体薄膜的特性

重点介绍Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体薄膜的特性，特别是ＣｄＳ和ＣｄＳｅ。利用密封空间汽化传输技术制作的ＣｄＳ薄膜具有低的电阻（３００Ｋ时，σ为０．８８～１．３４Ω＾－１·ｃｍ＾－１）、高的载流子迁移率。Ｘ射线衍射仪分析表明：在（００２）面择优生长，薄膜特性与制膜工艺有明显的关系，淀积后的退火和就地腐蚀能增大晶粒尺寸，减少晶粒边界。同时介绍了ＣｄＳｅ太阳电池的特性。     

半导体量子线场效应管研究现状及趋势

综述了Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难,并展望了进一步的发展趋势。     

FED的新材料--碳微管薄膜

介绍了一种制作FED器件的新材料－－碳微管薄膜，并对其制作，性能作了说明。     

蓝光半导体激光器室温脉冲振荡首次成功

蓝光半导体激光器室温脉冲振荡首次成功眼下，用１－ＶＩ族半导体的蓝一绿光激光器室温振荡的探索研究竞争激烈，开发范围不断扩大，索尼公司用以Ｚｎｓｅ为基础的！－ＶＩ族半导体激光器，在世界首次获得振荡波长为４９８．ｓｕｍ的蓝光激光的室温振荡。脉冲驱动时的峰值...     

半导体材料的新发展

近来,半导体科学主要的发展方向是制作高完整性和大面积杂质均匀的衬底材料和超薄外廷材料,并研究它们的特殊性能。本文主要对半导体材料的发展作一简单评述。     

2006/2007年全球半导体设备市场

预测了2006/2007年全球半导体市场及半导体设备市场。2006年全球半导体市场增长率为8%～11%,2007年为10%～11%。2006年全球半导体设备市场增长率为18%,2007年为10%以上。2006年中国半导体市场增长率为30%,2007年为31%。2006年中国半导体设备市场增长率为78.11%,2007年为1%。     

2003年世界半导体设备市场分析

讨论了2003年世界半导体市场和世界半导体设备市场。2003年两大市场都将真正复苏。     

LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。     

2005/2010年的全球半导体

讨论了2005/2010年的全球半导体市场、半导体工艺、半导体设备和中国半导体产业。同时, 还介绍了ITRS2001、摩尔定律对2005/2010年全球半导体的预测。     

Amorphous Silicon 16—bit Array Photodetector

Abstract: An amorphous silicon 16 - bit array photodetector with the a - SiC/a -Si heterojunction diode is presented. The fabrication processes of the device were studied systematically. By the optimum of the diode structure and the preparation procedures, the diode with Id< 10 -12 A/mm2 and photocurrent Ip^0.35 A/W has been obtained at the wavelength of 632 nm.     

Amorphous Silicon 16—bit Array Photodetector^①

An amorphous silicon 16-bit array photodetector with the a-SiC/a -Si heterojunction diode is presented. The fabrication processes of the device were studied systematically. By the optimum of the diode structure and the preparation procedures, the diode with Id< 10 -12 A/mm2 and photocurrent Ip^0.35 A/W has been obtained at the wavelength of 632 nm.     

半导体器件与集成电路制造中的亚微米技术

本文叙述了当前世界上亚微米、深亚微米技术的发展趋势,分析了我国亚微米技术的现状,最后介绍了机械电子工业部第十三研究所在亚微米技术方面的进展及其在半导体器件与集成电路制造中的成功应用。     

国外SiGe器件及其应用

本文主要叙述SiGe器件的材料、制作工艺及其器件应用。     

应用于EEPROM的超薄SiO2 TDDB特性的研究

阐述了应用于EEPROM中的超薄隧道氧化层随时间的击穿特性。比较和分析了不同的可靠性测试方法，并对超薄氧化层生长工艺的优化进行了探讨。