硅一MOS型三维磁场敏感器结构研究

本文提出了一种硅一! & ? 型三维磁场敏感器结构, 它是将讨( ) 分量歌惑的一维 横向? ! & ? ?+ ? ! & ? % 与对( 二和( , 分量教感的两维的纵向? ! & ?? , ? ! & ?% 并合集成在 一起? 该磁场敏感器的最小空间分辫率为) ??. 户/ 0 ??1 件/ 0 2 ? 3 “/ , 相时灵教度? ) 4 优 予1 0 ??. 一’5 一‘ 。 当外加磁感应强度低于& ? 6 5 时该器件非线性误差低于7 0 ?? .8 ’ ? 由于本器 件采用了特珠的相容性制造工艺, 可易于得到与磁敏器件接口的电路优化设计     

晶体膜碘离子半导体传感器的研究

本文报导以Si_3N_4/SiO_4为绝缘膜,用AgI-Ag_2S晶体为敏感膜的碘离子敏感半导体器件,并对其敏感机理进行了分析.测试结构表明,该器件具有良好的稳定性和重现性,对碘离子的线性响应范围为1×10~(-6)～1×10~(-1)mol·L~(-1),响应斜率为54mV/pl(20℃).     

涂丝锰离子场效应传感器的研制

离子敏感场效应传感器(简称 ISFET)是1970年由 P.Bergveld 首先报道的,此后国内外不少学者如此做了研究。作者利用高锰酸十六烷基三甲基铵缔合物为电活性物质,用二正辛基苯基磷酸酯为增塑剂,研制成新型 Mn~(2+)-ISFET。经测定该器件的性能参数为:线性范围10~(-1)～3.2×10~(-4)mol/L,检测下限可达1.6×10~(-4)mol/L,灵敏度为29±1mV。     

乌头碱-半导体场效应传感器的研制及应用

本文研制了剧毒生物碱(乌头碱)一半导体场效应传感器,测量了器件的性能参数。它的线性范围在1.0×10~(-2)～5.0×10~(-6)mol/L 之间,检测下限为1.5×10~(-6)mol/L,斜率为58.0～60.0mV,斜率转换系数在98—101%。作者利用器件测出了对乌头碱水解物的选择系数 K_(i,j)=3.0×10~(-3)说明器件在乌头碱水解物的存在下,对剧毒乌头碱具有较好的选择性。并用该器件对中药生、制乌头中的总有毒成份—双酯型二萜类生物碱进行了测定,并与分光光度法进行了比较,获得满意结果。     

氯离子敏场效应器件的研制

本文介绍以AgCl难溶盐镀层作为电极第一层,以双酚A型环氧树脂、氯化十八烷基二甲基苯甲胺和聚酰胺的混合物作为电极第二层而制出的一种新型涂丝氯离子敏场效应器件(C1-ISFET)。该器件在Cl~-浓度5×10~(-5)～1×10~(-1)M范围内具有较好的Nernstian响应。本文也讨论了器件的选择性、pH范围及稳定性。     

CH-1型硅集成热电堆红外传感器

本文报导了应用塞贝克效应的CH—1型硅集成热电堆红外传感器的研究结果。该器件采用集成电路工艺技术及硅的微细加工技术研制而成。测得器件性能为:波段为8～14μm,电阻值为4±1kΩ,响应率为10～15V/W,时间常数<100ms,探测值D~*～1×10~8cm (Hz)~(1/2)/W。并对器件的膜厚与响应率关系、电阻值、响应与温度的关系进行了初步讨论。     

溴化银单晶半导体传感器的研制

我们研制的 AgBr 单晶溴离子敏感半导体传感器(简称 Br~--ISFET)它是在场效应晶体管的绝缘栅上制备一层 AgBr 单晶敏感层。这种传感器灵敏度高、稳定性好、使用寿命长,且与一般溴离子选择电极比较,具有全固体化和易集成化等特点。特别是适应于生物、医学、航天、遥测和遥控等方面。该传感器经测试性能良好,其线性响应范围为:1.0×10°mol·L~(-1)～1.0×10~(-5)mol·L~(-1)NaBr,灵敏度为:56mV/PBr~-,对溴离子的检测下限为:5.0×10~(-6)mol·L~(-1)NaBr。     

双冠醚钠离子选择电极的研制

本文用新合成的2—氯—4,6—双(4′—亚氨基苯并—12—冠—4)三嗪(以下简称双冠醚)作电活性物质,制成钠离子选择电极。其电极性能、线性范围:10°～5×10~(-5)M,斜率为55±1mv,对Li~+、NH_4~+、Mg~(2+)、Zn~(2+)和Ca~(2+)的选择系数分别为7.7×10~(-2)、1.1×10~(-2)、8.4×10~(-4)、4.0×10~(-4)和4.6×10~(-4)。     

锂的电化学传感器的研制

用合成的新材料1,1,1—三[1′-(2′-氧杂-4′-氧代-5′-氮杂-5′-辛基)十三烷基]丙烷为中性载体,磷酸三[2-乙基己基]酯(TEHP)为增塑剂,制成了三种锂的电化学传感器:PVC 膜电极、涂碳电极和锂离子敏感场效应晶体管(Li ISFET),比较了它们的性能。PVC 膜电极的线性响应范围是5×10~(-5)～1mol·dm~(-3)(LiCl),涂碳电极和 Li ISFET 的线性响应范围分别为10~(-4)～1mol·dm~(-3)和10~(-3)～1mol·dm~(-3)。三种锂的电化学传感器中,PVC 膜电极的选择性较好,K_(Li,Na)~(Pot)为4×10~(-2),K_(Li,K)~(Pot)为8×10~(-3),Li ISFET 的选择性较差,K_(Li,N?)~(Pot)为9·6×10~(-2),K_(Li,K)~(Pot)为1.6×10~(-2)。     

DrugFET的研究(Ⅵ)——硅钨酸-普鲁卡因FET的研制与应用

本研究是将离子敏感场效应晶体管(ISFET)与药敏感膜相结合,而研制成的一种对普鲁卡因有良好响应的药物敏感场效应晶体管传感器(DrugFET).它是一种以硅钨酸为电活性物质,制成的PVC膜ISFET.对盐酸普鲁卡因响应的线性范围是1.0×10~(-1)—3.0×10~(-5)mol/L,斜率为57.5mV/pC(C:mol/L),检测下限为1.0×10~(5)mol/L.适宜pH范围为3.0~8.0.利用该传感器分析盐酸普鲁卡因注射液的含量分析结果和药典方法相一致.