中芯国际开发出0.11微米CIS工艺技术

中芯国际近日宣布成功开发出0.11微米CMOS图像传感器（CIS）工艺技术，在此工艺下生产的CIS器件，其分辨率、暗光噪声和相对照度都将得到增强。     

中芯国际推出多元化eNVM技术平台

为客户提供更低成本,更佳性能和更灵活的设计,中芯国际集成电路制造有限公司,中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,宣布推出多元化嵌入式非挥发性记忆体（eNVM）平台。     

奇梦达扩展与中芯国际技术合作协议

<正>全球领先的存储产品供货商奇梦达公司与中芯国际集成电路制造有限公司——世界领先的集成电路芯片代工公司之一,于8月21日宣布签署协议,扩大双方于标准内存芯片(DRAM)的技术合作。     

华虹设计基于中芯国际0.162微米 EEPROM工艺产品成功进入量产

作为国内领先的智能卡芯片解决方案供应商,上海华虹集成电路有限责任公司（以下简称华虹设计）近日宣布,公司基于中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”,纽约证交所股份代号：SMI。     

中芯国际获特许SAIFUN NROM技术

中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）以及SAIFUN半导体日前共同发布公告，中芯国际已经在其以闪存为基础的产品上获特许使用SAIFUNNROM技术。     

灿芯半导体研发出基于中芯国际0．11微米和0.13微米工艺的USB2．0OTGPHY

灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）日前宣布基于中芯国际集成电路制造有限公司（简称“中芯国际”）的0．11微米和0．13微米工艺平台成功开发了USB2．0物理层设计（PHY）,该设计为采用USB2．0的器件提供了尺寸更小、性能更好以及更经济的解决方案。     

中芯国际发布0．11微米UHDIP库解决方案

中芯国际集成电路制造有限公司近日发布了0．11微米后段铜制程（Cu—BEoL）超高密度IP库解决方案,可为客户平均节省31％芯片面积。通过硅验证的0．11微米超高密度IP库解决方案包含中芯国际基于更小存储单元自主研发的超高密度IP,     

中芯国际举办先进技术专题研讨会

中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”）,近日于上海举办了“2012年先进技术专题研讨会”。会上展示了中芯国际最新的研发成果、先进技术设计方法介绍、IP和Library解决方案、防静电（ESD）方法介绍等。     

中芯国际和卓胜微电子合作开发55纳米射频IP平台

正中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)和卓胜微电子(中国知名射频IP公司),近日共同宣布卓胜微电子的蓝牙射频IP已在中芯国际55纳米低功耗逻辑工艺上通过硅验证,并已集成到中芯国际某客户的产品流片当中。     

中芯国际和Dolphin公司宣布合作推出便携式媒体播放器

中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”），世界领先的集成电路代工公司之一，和领先的高解析度音频应用虚拟元件厂商Dolphin公司于4月17日宣布合作推出最新数模音频转换器，其利用Dolphin公司的专长，具备超低功耗的特点。通过这一战略联盟，双方表示将在设计和制造上结合各自优势，以提供客户成熟制程上最先进的解决方案。     

中芯国际采用Mentor CaIibre PERC产品

MentorGraphics公司与中芯国际集成电路制造有限公司今天共同宣布中芯国际已采用MentorGraphicsCalibre@PERC电路可靠性验证解决方案为其最新的防静电（ESD）保护设计法之一。这有助于客户大型、复杂的系统级芯片（SoC）的设计,包括I／0、中芯国际或第三方的嵌入式IP模块、以及eFuse嵌入式存储器,皆能达到ESD保护的要求。     

中芯国际2008年技术研讨会在上海召开

中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC）今年9月在上海举行中芯国际2008年技术研讨会,也是中芯国际举办的第八届技术研讨会。本次研讨会吸引了三百多位来自全球各地的客户、芯片设计工程师、技术合作伙伴与供应商等的参与。     

中芯国际针对40及28纳米举办先进技术研讨会

中芯国际集成电路制造有限公司日前在上海举办其2013（第五届）先进技术专题研讨会。此次研讨会以40纳米及28纳米IP解决方案为主题,旨在促进中芯国际与客户在高端设计技术上有更深入的交流,以推动技术创新和商务合作。     

中芯国际举办第六届技术专题研讨会

正中芯国际集成电路制造有限公司日前在上海举办了第六届年度技术专题研讨会,推广其最新的先进及特色工艺平台。会上,中芯国际公布了28纳米和40纳米等先进工艺取得的最新成就和重要进展,以及基于特殊工艺如eNVM、PMIC、RF、IoT、MTE(成熟技术优化)等项目的新特色产品。中芯国际资深副总裁兼中国区总经理彭进先生,在开幕致辞上发表了主题为"专注产品应用,创建工艺平台组合"的演讲。他特别提到中国集成     

中芯国际背照式成像传感技术取得突破

中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展,首款背照式CMOS成像传感测试芯片一次流片即获得成功,在低照度下同样获得高质量的清晰图像。这标志着中芯国际自主开发的背照式CMOS成像传感芯片全套晶圆工艺核心技术接近成熟,步人产业化阶段,更好地满足高端智能移动终端的需要。该技术将于2013年与客户伙伴进行试产。     

中芯国际推出自主研发的38nm NAND闪存工艺

正中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布38nm NAND闪存工艺已准备就绪,中芯国际凭此成为唯一一家可为客户生产NAND产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发,可满足特殊存储器无晶圆厂客户对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需求。NAND闪存是近年来发展最为迅速的非易失性存储(NVM)产品。38nm NAND闪存主要面向嵌入     

中芯国际和卓胜微合作开发55纳米射频IP平台通过硅验证

中芯国际集成电路制造有限公司和卓胜微电子,中国知名射频IP公司共同发布:卓胜微电子的蓝牙射频IP已在中芯国际55纳米低功耗逻辑工艺上通过硅验证,并已集成到中芯国际的客户产品流片之中。验证成功的蓝牙射频IP是中芯国际和卓胜微电子合作开发的成果,也是中芯国际建立射频IP平台的重要里程碑。此IP已达到业内领先地位,可为双方共     

Synopsys和中芯国际合作推出65-nm到40-nm的SoC设计解决方案

全球领先的半导体设计、验证、和制造软件及知识产权（IP）的供应商新思科技有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司宣布已正式提供用于中芯国际先进65-nm工艺的系统级芯片（SoC）综合设计解决方案。该解决方案将Synopsys丰富的DesignWare接口、模拟IP产品组合和其他基础性IP,通过可调参考流程与Galaxy TM实施平台集成在一起。     

中芯国际和新思科技携手推出Reference Flow4．0

新思科技公司与中国内地芯片代工企业中芯国际集成电路制造有限公司将携手推出全新的65nm RTL-to-GDSII参考设计流程4.0（Reference Flow 4.0）。作为新思科技专业化服务部与中芯国际共同开发的成果,该参考流程中增加了Synopsys Eclypse低功耗解决方案及IC Compiler Zroute布线技术,为设计人员解决更精细工艺节点中遇到的低功耗和可制造性设计等问题提供更多的可用资源。