Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析

用手册提供的元素相对灵敏度因子,将基体效应修正和离子溅射效应的修正用于Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱(AES)定量分析获得了比较满意的结果.在这种方法中避免了采用As为内标的内标法时测量元素相对灵敏度因子方面的不足.文中就文献给出的相对灵敏度因子及其离子溅射修正因子之间的差别进行了讨论.     

俄歇电子能谱表面定量分析

本文叙述了表面定量俄歇分析的一些方法:(1)多元素标样法,(2)纯元素标样法,(3)灵敏度因子法。给出了利用JAMP-10型俄歇电子谱仪进行定量分析(包括深度定量分析)的一些结果。     

高频溅射SiO2膜掩蔽GaAs和AlGaAs／GaAs中Zn扩散的研究

本文报导了在GaAs、AlGaAs表面上用高频溅射法制备SiO_2膜的淀积规律,特别对用SiO_2膜掩蔽GaAs、AlGaAs/GaAs中的Zn扩散进行了实验研究,结果证明用高频溅射制备SiO_2膜可以有效地掩蔽GaAs,AlGaAs/GaAs中的Zn扩散。     

氮离子注入对GaAs肖特基势垒性能影响的研究

本文利用离子注入方法,用不同剂量的氮离子对GaAs衬底进行注入实验。结果表明,氮注入明显地改善了Ti/n-GaAs肖特基势垒特性。     

难熔金属氮化物栅的技术研究

本文采用衬底负偏压溅射方法对比研究了ZrN薄膜及其与GaAs的肖特基势垒特性,结果表明,该法不仅能降低ZrN薄膜电阻率,而且能增高GaAs肖特基势垒高度.文中还用不同剂量的氮离子对GaAs衬底进行注入实验,可以看出,氮注入明显地改善了Ti/n-GaAs肖特基势垒特性.     

In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析

采用As元素作为内标对分子束外延生长In_xGa_(1-x)As进行定量俄歇分析。实验测定了元素相对灵敏度因子、基体修正因子和离子溅射修正因子,给出一个定量修正公式。检测结果与电子探针、X射线双晶衍射和手册灵敏度因子法等结果进行了比较。     

黄昆X射线漫散射的实验研究

本文描述了黄昆X射线漫散射的实验方法及其所需的实验条件,并利用它研究了离子注入CaAs中点缺陷所引起的黄昆散射,在同一GaAs晶片上的不同部分分别注入Mo和Er,浓度均为1×10~(15)cm~(-2),注入电压为500keV,经850℃退火30分钟后分别在77K的条件下进行黄昆散射测量,实验观测到注入Er元素比Mo元素引起的黄昆散射要强,这一结果表明Er元素在GaAs中大多处于间隙状态,而Mo元素在GaAs中大多处于替换状态.     

质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整

摘要　本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进行微调,通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对禁带宽度及导带内子带位置的影响,荧光光谱峰位随注入剂量(5×10     

用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd∶YAG激光器中的被动调Q

对半绝缘GaAs晶片进行As 注入,注入能量为400keV,剂量为1016cm-2.用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd∶YAG激光器上获得了62ns的单脉冲宽度.这是迄今为止国内最好的报道结果.     

用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd∶YAG激光器中的被动调Q

对半绝缘GaAs晶片进行As+注入,注入能量为400keV,剂量为1016cm-2.用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd∶YAG激光器上获得了62ns的单脉冲宽度.这是迄今为止国内最好的报道结果.     

用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd：YAG激光器中的被动调Q

对半绝缘GaAs晶片进行As^ 注入，注入能量为400keV，剂量为10^16’cm^-2，用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜，在被动调Q闪光灯泵浦的Nd：YAG激光器上获得了62ns的单脉冲宽度，这是迄今为止国内最好的报道结果。     

GaAs的B~+注入隔离

本文报告了在注Si~+的GaAs有源层上进行B~+注入实现隔离的实验研究.结果表明,低剂量和高剂量的B~+注入都能形成高阻区,但低剂量注入形成的高阻区具有更好的隔离特性.本文还讨论了B~+注入n型GaAs消除载流子的补偿机理.     

GaAs中的低温Zn扩散

本文研究了低温条件下Zn向GaAs中的扩散。实验是用ZnAs2源在抽真空的石英管中进行的。研究了结深Xj,扩散温度T和扩散时间t的关系。结果表明,表面层电阻Rs随Xj,的增加而降低;表面浓度Cs随1/T的增加而降低;迁移率随Cs的增加而降低。将Cs对1/(RsXj)作图表明,Cs随1/(RsXj)的增加而增加。这一关系可作为判断多层GaAlAs/GaAs外延层扩Zn后表面浓度的简便方法。文中讨论了Zn在GaAs和InP中的扩散机理,比较了Zn在InP和GaAs扩散层中的参数。 该扩散工艺可获得表面光亮、无损伤的高浓度表面层,并已在GaAs/Ga1-xAlxAs双异质结发光管的制备工艺中应用。制得了光输出功率为24mW、串联电阻为35、压降为2.4V的GaAs/Ga1-xAlxAs双异质结发光管。     

镁基金属复合材料表面激光熔覆铜合金研究

采用喷涂铜合金的两步法工艺,用2kW-NdYAG激光对Mg-SiC复合材料进行了激光熔覆,熔覆后表层的Cu60Zn40合金与Mg-SiC基体熔合良好.激光熔覆试样相对腐蚀电动势Ecorr比未处理提高3.7倍,其相对腐蚀电流密度icorr低约22倍,激光熔覆Cu60Zn40层可以显著提高Mg-SiC复合材料的耐蚀性.     

离子注入半导体的溅射效应

本文中给出了离子注入过程中的离子溅射效应。这包括入射离子在注入过程中所引起的表面溅射效应、注入离子浓度的剖面修正、注入离子在靶子中的收集量等参数与注入能量、剂量和元素种类的关系。特别地分析了Sb、As、P、N和O注入Si过程中的溅射问题。并给出了注入过程中注入杂质的溅射量和溅射的深度。对上述那些元素注入时,给出了注入到靶中的实际量(称为收集量)与注入能量和注入剂量的关系。最后,讨论了避免溅射效应所应利用的条件。     

InP和GaAs中的Mg~+离子注入

本文研究了Mg~+离子注入InP和GaAs中的电学性能和辐射损伤行为.范德堡霍尔方法测量和电化学C-V测量均表明,快速热退火方法优于常规热退火方法,共P~+注入结合快速热退火方法能进一步减小注入Mg杂质的再分布,使电激活率大大提高。卢瑟福沟道分析则表明,相同注入条件下,InP中的辐射损伤较GaAs中大得多,大剂量注入损伤经热退火难于完全消除.     

Te离子注入GaAs的穆斯堡尔谱研究

<正> 对GaAs注入施主型杂质离子Te(或Se,S),在高注入剂量下经高温退火后仍有大量注入原子不能电激活。过去,利用穆斯堡尔谱(简称MS)研究GaAs中Te有过一些工作。William-son等测量了LEP掺125Te的GaAs的MS,Schroyen等及Niesen等测量了129Te注入GaAs的MS,均发现经一定温度退火后GaAs中有相当多的Te不处在代位式。但对非代位式的原因有不同判断,曾提出过的模型有Ga2Te3沉淀、Te-空位组合体和TeASVGa对等。故此问题仍需进一步研究。     

InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制

采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As及晶格失配InP/In_(0.82)Ga_(0.18)AS两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究.SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大.SCM法是一种新颖快捷的半导体结深测试法,对于半导体器件工艺研究具有重要的指导意义.     

SI GaAS中S~+注入的电学特性

本文研究了经常规热退火和快速热退火后SIGaAs中S~+注入的电学特性.热退火后,GaAs中注入S~+的快扩散和再分布不决定于S~+或砷空位V_(AS)的扩散而决定于离子注入增强扩散.使用快速热退火方法能抑制注入S~+在GaAs中的增强扩散,明显减小S~+的再分布,可以获得适合于制造GaAs MESFET器件的薄有源层.     

用PECVD法制备SiO_2进行Zn在GaAs中掩蔽扩散研究

本文报导丁GaAs表面上淀积液态源PECVD-SiO_2膜掩蔽Zn扩散的规律,估算了Zn在SiO_2膜和GaAs中扩散系数的比值为(1.04～1.85)×10~(-3),在700℃下Zn在GaAs中的横向扩散为结深的3～7倍。这种方法制备的SiO_2膜已应用于GaAs电调变容二极管和LPE-Ga_(1-x)Al-xAs/GaAs DH激光器的研制。