燃焰法沉积金刚石薄膜的均匀性研究

研究了燃焰法沉积金刚石薄膜的质量均匀性,指出反应气体流量比是影响金刚石薄膜质量均匀性的主要因素,基片表面沉积区径向温度梯度使金刚石膜晶粒尺寸偏离沉积中心距离的增加而减小。     

磁控溅射膜层厚度均匀性测试

在相对于平面磁控溅射阴极均匀区范围内安放硅片，镀膜后进行膜层厚度测试，然后计算膜层厚度均匀度。结果，片间厚度均匀性为1％～-1．7％；炉间厚度均匀性为3．5％～-2％。     

镀膜玻璃膜层均匀性探讨（续）边缘效应对膜层均匀性的影响

本文就边缘效应对膜层的横向均匀性影响提出自己的看法，并通过一定的数学模型进行解析分析，其结果与实测结果有较好的一致性。     

磁控溅射镀膜膜厚均匀性设计方法

镀膜工艺中的薄膜厚度均匀性问题是实际生产中十分关注的。本文在现有的理论基础之上,对溅射镀膜的综合设计方法进行了初步的建立和研究,系统的建立可以采用"整体到部分,再到整体"这一动态设计理念,不断完善设计方法,并将设计方法分为镀膜设备工程设计、镀膜工艺设计和计算机数值仿真三大部分。镀膜设备工程设计、镀膜工艺设计及二者的数值仿真这三者之间是相辅相成的,镀膜设备工程设计决定镀膜工艺过程的实现,镀膜工艺促进镀膜设备的升级,而高性能的计算机仿真设计给两者的设计提供了强有力的支持。     

镀膜玻璃膜层均匀性探讨（续）

本文就边缘效应对膜层的横向均匀性影响提出自己的看法，并通过一定的数学模型进行解析分析，其结果与实测结果有较好的一致性     

薄膜沉积中基片的清洗方法探讨

随着科学技术的发展，人们对材料的性能要求也愈来愈严格，有些性能往往很难用常规的工艺手段同时在一种材料母体上实现，因而用气相沉积的方法如化学气相沉积（ＣＶＤ）、物理气相沉积（ＰＶＤ）等在材料表面上涂敷一层薄膜是赋于材料某些特殊的功能的一种比较理想的途径...     

小圆平面靶磁控溅射镀膜均匀性研究

本文从圆平面靶磁控溅射的原理出发,针对圆形平面靶面积小于基片面积的特点进行分析,建立膜厚分布的数学模型,并利用计算机进行模拟计算,目的在于探寻平面靶材面积小于基片面积时影响膜厚均匀性的因素。模拟计算的结果表明:基片偏心自转时,靶基距和偏心距对膜厚分布均有影响。偏心距一定时,随着靶基距的增大,薄膜厚度变小,膜厚均匀性有提高的趋势;靶基距一定时,随着偏心距的增大,膜厚均匀性先变好后变差。当基片自转复合公转时,随着转速比的增大,膜厚均匀性逐渐变好,转速比增大到一定程度后,它对膜厚均匀性的影响逐渐变小。圆形平面靶的刻蚀环范围的变化对薄膜的均匀性有一定的影响。这些理论为小圆平面磁控溅射系统的设计和实际应用提供了理论依据。     

YG6基体上沉积金刚石膜的形貌不均匀性

研究了ＣＨ４／Ｈ２、气体流量和基片温度对ＹＧ６基体上沉积金刚石膜形貌不均匀性能的影响。分析了形貌不均匀现象产生的原因。认为该现象与微波等离子体中电子浓度的分布特点有关。     

ITO靶材的直流磁控溅射镀膜工艺研究

对ITO靶材的直流磁控溅射工艺进行研究,通过正交试验方法确定制备ITO薄膜的最优工艺参数,并明确了溅射温度、氧氩比、溅射气压和溅射功率密度对ITO薄膜电阻率和可见光透过率的影响规律。最优工艺参数为溅射温度370℃,氧氩比0.5/40,溅射气压0.4 Pa,溅射功率密度0.17 W/cm~2。薄膜电阻率受各因素影响的主次顺序是:氧氩比溅射温度溅射气压溅射功率密度。薄膜可见光透过率受各因素影响的主次顺序为:溅射温度溅射气压氧氩比溅射功率密度。     

小圆形平面靶倾斜磁控溅射镀膜均匀性研究

基于小圆形平面靶倾斜磁控溅射的实际情况,针对靶材环形刻蚀槽与水平工件台存在夹角的特点,建立数学模型.利用MATLAB软件进行模拟仿真,研究靶材与工件台正对且高度固定时,不同夹角对膜厚分布的影响.我们发现在工件台相对靶材的水平距离上,膜厚先增加后降低.当靶材夹角适当时,在工件台固定的区域范围内,薄膜沉积速率的变化近似直线...     

蒸发镀膜基片工装改进与镀膜均匀性研究

红外滤光片,尤其是中长波红外窄带滤光片等光谱指标要求较高的红外光学薄膜,膜层厚度能达到几十微米,因而对膜料的需求非常大.当镀膜真空室较大时,一次填料不能满足膜料用量需求,通常采用减小蒸发距离的方式提高膜料的利用率,但同时会使膜厚均匀性变差,光谱性能变差.通过镀膜理论分析,在满足产品镀膜均匀性的前提下,设计了一套可自由调...     

平面磁控溅射薄膜厚度均匀性的研究概述

在平面磁控溅射镀膜系统中,薄膜厚度均匀性作为衡量薄膜质量和成膜系统性能的一项重要指标,得到了国内外学者们的广泛研究。本文以膜厚分布的理论模型为出发点,从工艺条件及模型参数两个方面,对靶与基片的位置关系、基片的运动方式、靶材的形状、溅射功率、工作气压、工作模式等各种影响以及改善薄膜厚度均匀性的因素进行了系统的归纳和陈述。最后对平面磁控溅射镀膜系统膜厚分布的研究进展进行总结并提出了展望。     

大口径镀膜机均匀性的研究

对于大口径镀膜机的均匀性特性进行了研究,得到了一组厚度分布曲线,并对曲线进行了分析;利用这些实验结果,运用新理论设计出了具有实用性的修正挡板,均匀性可稳定的达到3‰.     

镀膜玻璃膜层均匀性探讨

本文对镀膜玻璃的膜层均匀性问题作了初步的探讨。侧重于从溅射原子的沉积过程来分析边缘效应对膜层横向均匀性的影响。     

基片温度对直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积的ITO膜性能…

使用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积了ＩＴＯ透明导电膜，通过膜的霍尔系数测量及ＸＲＤ，ＳＥＭ分析，详细研究了沉积时的基片温度对透光率和电阻率的影响。结果表明；基片温度影响膜的载流子浓度，霍尔迁移率以及膜的结晶程度。当基片温度为１５０℃附近时所沉积的膜具有较高的载流子浓度和迁移率，因而电阻率最低，而且结晶良好，具有高的透光率。     

3.6m大口径镀膜机膜厚均匀性分析

分别建立了旋转平面与球面夹具配置下的薄膜膜厚均匀性理论计算模型,对3.6 m大口径镀膜机下直径为2.6 m基板的膜厚均匀性进行了研究.为了改善膜厚均匀性,分别采用两个蒸发源和三个蒸发源进行蒸镀.薄膜的膜厚不均匀性通过理论计算模型进行优化计算得到.对于两个蒸发源,分别得到了两旋转夹具配置下的最优几何配置,对应的膜厚不均匀...     

直流磁控射中Ａr气压强对ＴbFeCo磁光薄膜均匀性的影响

本文研究了磁光盘生产中Ａr气压对直流磁控溅射ＴbFeCo磁光萍膜均匀性的影响,通过调整溅射气压来提高薄膜的厚度均习性和成分均匀性,在靶－基片距离为600mm,溅射功率为６００Ｗ,溅射气压为０．６~0.8Ｐa的条件下,获得了均匀性良好的磁光薄膜,并将此工艺参数用于磁光盘的生产。     

基片温度对射频磁控溅射碲化铋薄膜微结构和表面形貌的影响

碲化铋材料是目前已知的室温下性能优异的热电材料之一。本文利用射频磁控溅射在不同基片温度下制备了碲化铋薄膜。研究发现,基片温度对薄膜的微结构和表面形貌影响显著。随着温度的提高,薄膜内晶粒尺寸都不同程度地增加。基片温度100℃以上碲化铋薄膜为Bi2Te3相为主的多晶结构,并具有良好的c轴择优取向,形成了六角层状结构。基片温度250℃时薄膜转变为BiTe相,并在表面生成Te长条状颗粒。应力分析表明碲化铋薄膜与Si(100)基片之间的残余应力受温度影响明显。     

椭球反射镜膜厚均匀性与工艺技术的探讨

讨论了深紫外曝光系统中椭球反射镜镀制装置在薄膜沉积中的镀制条件对膜厚和膜厚均匀性的影响,计算了椭球镜的膜厚均匀性并对如何改善椭球镜膜厚分布作了介绍,实验得到均匀性符合要求的反射镜。