PTCR陶瓷化学沉积镍电极界面结构及特性的研究

通过伏安特性和阻温特性测试研究了不同沉积条件下所得化学沉积镍电极BaTiO3基半导瓷热敏电阻元件的电性能，利用扫描电镜、透射电镜和X—衍射等现代分析手段，重点分析了在不同工艺条件下得到的化学镀镍电极与PTCR陶瓷之间的纳米界面结构及其特性，得到良好的欧姆接触化学镀镍电极的实验参数。     

化学沉积电极与BaTiO3系PTCR半导瓷的欧姆接触

研究了在BaTiO3系PTCR半导体陶瓷上化学沉积镍和铜电极的接触电阻及稳定性，并与烧渗Ag-Zn、烧渗Al电极进行了比较。根据实验结果，用量子力学从理论上讨论了欧姆接触的可能模型，提出场发射是金属－半导体陶瓷形成欧姆接触的机理之一。陶瓷表面经过处理后，元件的电性能要发生一些变化，但不会恶化陶瓷的体性能。     

化学镀镍电极厚度对陶瓷PTCR元件性能的影响

探讨了不同镍电极厚度对ＢａＴｉＯ３陶瓷ＰＴＣＲ元件性能的影响。随着镍层厚度的变化,电极与瓷体接触界面处以及瓷体内部的应力也发生相应的变化,从而影响元件的电性能。此外,由于镍层厚度的不同,镍膜密封程度也不同。实验结果表明陶瓷ＰＴＣＲ元件化学镀镍层厚度应小于１μｍ。     

陶瓷PTCR化学镀铜电极溶液中络合剂的作用

通过热力学平衡的方法,研究了在ＢａＴｉＯ３系陶瓷ＰＴＣＲ上进行化学沉积金属电极时常用的酒石酸盐－铜离子和乙二胺四乙酸钠盐（ＥＤＴＡ）－铜离子体系化学镀铜溶液中各种型体铜离子的分布。实验表明,加入络合剂会影响化学镀铜的速度。文章研究的络合剂酒石酸盐和ＥＤＴＡ会使化学镀铜速度明显下降,这可能是由于空间位阻的原因。通过研究表明,选择合适的络合剂对于化学镀铜的稳定操作,意义十分重大。     

PTCR陶瓷化学镀镍电极溶液中镍离子型体分布和络合剂的作用

通过热力学平衡的方法 ,研究 Ba Ti O3系陶瓷 PTCR元件进行化学沉积金属镍电极时常用的醋酸盐 -镍离子、甘氨酸 -镍离子和柠檬酸盐 -镍离子体系化学镀镍溶液中各种型体镍离子的分布。实验表明 ,加入络合剂会影响化学镀镍的速度 ,醋酸盐会使化学沉积速度升高 ,而甘氨酸和柠檬酸盐会使化学镀镍速度明显下降 ,这可能和化学镀镍过程的混合电位、络合剂的空间位阻及镍 -配位原子间的结合力等因素有关。通过本文的研究表明 ,选择合适的络合剂对于化学镀镍的稳定操作 ,意义是十分重大的     

PTCR热敏电阻器电极浆料烧成工艺

对ＳＤ１１４０型欧姆银浆、ＳＤ１１４１型表层银浆、ＳＤ１１４２型铝电极浆料进行了工艺实验，确定了烧成工艺的最佳参数，如：烧成膜厚、升温时间、保温时间、烧成温度。     

PTCR元件化学镀镍电极的最优工艺条件

采用正交试验法研究了络合剂浓度、镀液 pH值、施镀温度与时间对BaTiO3 陶瓷PTCR元件化学镀镍电极的影响 ,得到制备化学镀镍电极的最优工艺条件。重复试验证明 ,在该工艺条件下获得的以Ni镀层为底层电极的PTCR元件 ,其耐电压和耐工频电流冲击性能良好。     

热应力对化学镀镍电极PTCR元件耐电流冲击的影响

化学镀镍电极是ＰＴＣＲ元件一种良好的欧姆电极,但其对ＰＴＣＲ元件耐工频电流冲击性能有一定的影响。实验结果表明,这和电极与瓷体之间的热应力大小及类型有关,当应力表现为张应力时,在工频电流冲击下元件发生碎裂;压应力时发生层裂。通过调节镀层中磷含量和化学镀液的ｐＨ值可以制得耐工频电流冲击性能良好的ＰＴＣＲ元件。     

镍内电极多层陶瓷电容器的进展

介绍片式多层陶瓷电容器(MLCC)电极贱金属化(BME)涉及的主要技术及Ni内电极MLCC取得的进展。Ni内电极MLCC的可靠性已经达到空气烧结Ag／Pd内电极的水平。Ni内电极MLCC技术的成熟将使MLCC大容量、低成本、小型化取得更大进展并将取代部分Ta和Al电解电容器。     

钛酸钡系PTCR半导体陶瓷界面态分析

对形成钛酸钡系半导瓷PTCR效应的界面态进行了探讨,分析了在居里点以上由于界面态和介电常数的共同作用引起的材料电阻率猛增几个数量级的原因;同时对钛酸钡系PTCR半导瓷界面态的组成进行了研究,并提出一种直接测量界面态密度的方法。     

PCB化学镀镍漏镀现象分析

文章阐述了不同尺寸铜盘连接状况、掩蔽作用等对漏洞的影响,发现孤立的小铜盘（0．1mm）比大尺寸的铜盘（〉0．1mm）更易发生漏镀,即漏镀易发生在小尺寸铜盘上,主要的原因与置换钯的速率不同相关。至于因掩蔽引发的漏镀现象,主要与平衡电化学势作用相关。在活化过程中,电子转移主要决定了漏镀发生与否。     

摩托车用高性能PTCR发热元件的研制

利用国产化的原材料和常规的ＰＴＣ陶瓷生产工艺，制备了适宜于摩托车用的ＰＴＣ陶瓷发热元件，该元件的居里温度ＴＣ≈１１０℃，室温电阻率ｐ２５≈２８Ω·ｃｍ，电阻温度系数α≈１６．０／％℃＾－１、电阻突跳度Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ〉１０＾５、表面温度Ｔｓｕｆ＝１３５±５∠     

掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO3基PTCR陶瓷性能的影响

为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律.结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(β)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(αR)和耐电压(Vb).本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:ρ≈28Ω@cm,α25＞16%℃-1,Vb＞180 V@mm-1.     

化学沉镍金工艺稳定性研究——化金工艺稳定性研究课题总结

文章讨论了PCB化金生产制作工艺遇到的相关问题，指出影响PCB化金生产稳定性的各种因素和解决方案，从实践的角度探讨了稳定化金工艺的管理手段和途径。