X波段五位移相器和小功率开关HMIC的研制

介绍了一种用混合微波组装工艺制造的Ｘ波段ＰＩＮ二极管五位数字移相器和小功率开关ＨＭＩＣ的电路设计和制造工艺,并分析了制造工艺对移相器的影响, 提出了控制这种影响的方法。用这种控制方法制造的该Ｘ波段ＰＩＮ二极管五位数字移相器和小功率开关ＨＭＩＣ： 体积小、可靠性高     

Ka波段GaAs HBT PIN二极管开关和移相器

Ｋａ波段ＧａＡｓＨＢＴＰＩＮ二极管开关和移相器在要求开关速度快、功率处理能力强的微波电路领域，ＰＩＮ二极管的工艺简单，用ＨＢＴ材料体系中的基区层（ｐ＋）、集电区层（ｎ－）和集电区第二层（ｎ－）就可容易地制成，因而使含有开发、移相器和放大器的多功能组件...     

X波段五位、C波段六位砷化镓单片数字移相器

南京电子器件研究所成功地研制出Ｘ波段五位、Ｃ波段六位砷化镓单片数字移相器,该移相器具有体积小、性能优、功耗极低、转换速度快、重复性和一致性好、可靠性高等优点。电路设计中,采用开关移相网络、桥Ｔ电路和谐振式电路形式来实现移相功能。电路采用先进的ＭＭＩＣ工艺制作。研制的移相器主要性能指标如下：Ｘ波段五位砷化镓单片数字移相器频　　率：ｆ０±５５０ＭＨｚ位　　数：五位（１８０°、９０°、４５°、２２．５°、１１．２５°）插入损耗：８．５ｄＢ相位精度：ＲＭＳ＜２．６°输入驻波：＜１．５输出驻波：＜１．５各…     

S波段单片四位数控移相器

描述了Ｓ波段单片四位数字移相器的电路设计、工艺制作和性能。采用集总元件的高通／低通网络构成移相网络和ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为开关控制器件,利用南京电子器件研究所标准的离子注入微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）制造工艺,研制出Ｓ波段单片四位数字移相器。该移相器在设计工作频带内１６个移相态具有移相精度高（均方根误差小于１°）、输入输出驻波好（＜１．４）和较低的插入损耗（＜５．５ｄＢ）与插损变化（均方根误差小于０．２ｄＢ）等优良的电特性。芯片尺寸为６．４５ｍｍ×１．４ｍｍ×０．２ｍｍ。     

Ku波段GaN一片式收发组件芯片

报道了一款应用于Ku波段的GaN T/R MMIC。该芯片采用0.15μm GaN HEMT器件工艺制造,集成了T/R组件的接收通道和发射通道,芯片面积7.00mm×3.32mm。研制的MMIC集成了5位数字衰减器、5位数字移相器、前级低噪声放大器、后级低噪声放大器、驱动放大器、功率放大器、公用支路的小信号开关和收发切换的功率开关。在16~17GHz工作频带内测得该芯片接收通道增益大于21dB,噪声系数小于3.5dB;发射通道增益大于20.8dB,饱和功率大于40.8dBm,功率附加效率典型值30%。该芯片上集成的5位数字移相器、5位数字衰减器功能正常,达到设计要求。     

封面介绍

封面介绍Ｓ、Ｃ波段相控阵Ｔ／Ｒ组件Ｓ、Ｃ波段相控阵Ｔ／Ｒ组件，采用ＭＭＩＣ芯片和小型化ＭＩＣ电路混合形式，运用微组装工艺制作而成。其中ＬＮＡ，ＳＰＤＴ等使用了５片ＭＭＩＣ芯片；限幅器、移相器等电路则采用二极管芯片组装完成。功率放大器输出级是大功率ＦＥ...     

Ku波段GaN T/R一体多功能MMIC的研制

<正>首次研制了国内第一块Ku波段GaN T/R一体多功能全单片芯片,该芯片集成了T/R的接收通道和发射通道。接收通道含功率输出开关、前级低噪声放大器、5位数字衰减器、后级低噪声放大器、小信号开关和5位数字移相器;发射通道含5位数字移相器、小信号开关、驱动放大器、功率放大器和功率开关,如图1所示。在16~17 GHz工作频率内测得接收通道增益≥20±0.5 dB,噪声系数≤3.5 dB;发射通道增益约44 dB,饱和功率41 dBm(脉冲宽度100μs,10%占空比),功率附加效率约30%。在芯     

作毫米波开关的应变层PIN二极管

ＤａｉｍｌａｒＣｈｒｙｓｌｅｒＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒａｎｄＵｍｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＵｌｍ首先报道了在ＧａＡｓ衬底上生长应变Ｉｎ 0 52Ｇａ 0 4 8ＡｓＰＩＮ二极管 ,并可用作开关ＭＭＩＣ。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,ＩｎＰ基ＩｎＧａＡｓＰＩＮ二极管胜过ＧａＡｓ开关电路 ,同时还具有低的ＤＣ功率以及极高的隔离度。为了避免ＩｎＰ衬底的有关工艺问题 ,采用ＭＢＥ方法把应变层ＩｎＧａＡｓ二极管生长在ＧａＡｓ上 ,采用线性ＩｎＡ1Ａｓ应变缓冲层 ,其结果是消除 94 %的应力。已报道的ＳＰＳＴ隔离度高达 4 5ｄＢ …     

基于ADS仿真设计X波段五位数字移相器

介绍了利用ADS进行X波段五位数字移相器的设计。描述了PIN管的开关特性、X波段五位数字移相器的电气特性、原理、电路设计及仿真情况。移相器采用PIN管管芯作为开关元件,5个移相位将呈线形级联布置。均方根相位误差小于3°,插入损耗在1.7~2.9 dB之间,回波损耗小于15 dB。仿真结果,满足要求。     

能减少元件的50%的VIPer系列智能开关电源IC

ＶＩＰｅｒ系列单片ＩＣ集先进的电流型ＰＷＭ控制电路和功率开关于一体，功率开关管是采用专利技术制造的纵向智能功率ＭＯＳＦＥＴ，可编程开关频率达２００ｋＨｚ，这种精巧独特的ＩＣ可使ＳＭＰＳ元件减少的５０％，本文介绍了ＶＩＰｅｒ系列单片ＩＣ的功能，特点及其应用电路。     

光控L波段平面GaAs－PIN二极管的实验研究

报道光控平面ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管的实验结果。采用Ｖ形浅槽的全离子注入工艺，研制了ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管。器件击穿电压高达８０Ｖ，最小电容０．２ｐＦ。光控Ｉ－Ｖ曲线类似晶体管特性，光控电流能力为３００μＡ／ｍＷ。装成移相器电路，测得在Ｌ波段的光控相移２０°～２６°。     

光控L波段平面GaAs－PIN二极管的实验研究

报道光控平面ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管的实验结果。采用Ｖ形浅槽的全离子注入工艺，研制了ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管。器件击穿电压高达８０Ｖ，最小电容０．２ｐＦ。光控Ｉ－Ｖ曲线类似晶体管特性，光控电流能力为３００μＡ／ｍＷ。装成移相器电路，测得在Ｌ波段的光控相移２０°～２６°。     

能减少元件约50%的VIPer系列智能开关电源IC

ＶＩＰｅｒ系列单片ＩＣ集先进的电流型ＰＷＭ控制电路和功率开关于一体，功率开关管是采用专利技术制造的纵向智能功率ＭＯＳＦＥＴ，可编程开关频率达２００ｋＨｚ，这种精巧独特的ＩＣ可使ＳＭＰＳ元件减少约５０％。本文介绍了ＶＩＰｅｒ系列单片ＩＣ的功能、特点及其应用电路。     

高量子效率Ⅱ-Ⅵ族光电探测器

广泛用于３００～５００ｎｍ波长范围低功率辐射探测的硅（Ｓｉ）ＰＩＮ光电二极管现在已有竞争对手。德国维尔兹堡大学物理所的研究人员用Ⅱ－Ⅵ族半导体材料硒化锌镁硫（ＺｎＭｇＳＳｅ）已制成一种ＰＩＮ光电二极管,这种材料以前主要用于某些发蓝光二极管激光器的制造。ＺｎＭｇＳＳｅ光电二极管在４３０ｎｍ波长的外量子效率为５８％,峰值内量子效率为８０％。研究人员用分子束外延把二极管生长在砷化镓衬底上。二极管和衬底之间的晶格失配为０．０３％。Ｘ射线衍射和低温光致发光数据表明,这种光电二极管具有低的缺陷密度。已制作出…     

一种X波段五位数字移相器的研究与设计

介绍了数字移相器的基本原理及设计方法。在ADS仿真环境下,基于GaAs HJ—FET开关器件,设计仿真了一种X波段五位数字移相器,大大降低了移相器的后期制作成本。利用矢量网络分析仪对制作的实物进行了测试,结果表明：在12—12．5GHz频段内,移相器的最大插损小于9．5dB,均方根相位误差在3°以内。     

低损耗单片五位PIN二极管移相器

业已证明,利用PIN二极管开关元件制造的一种新型五位移相器电路的插入损耗比可买到的大多数传统移相器的都要低。预计这种新型移相器在X波段的插损小于3.0dB,在20％的频带中,VSWR<1.6∶1。已经制造出单片电路,并进行了测试分析。这里介绍的实验结果表明,这些性能指标是可以达到的。     

InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡－倍频链

本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针书信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为—１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。     

InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡—倍频链

本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针将信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为－１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。     

2．4Gb／s跨阻型光前置放大器CAD及验证

阐述了光纤通信前置放大器的设计原理，分析了光接收机中ＰＩＮ二极管和ＧａＡｓＦＥＴ器件的信号模型和噪声模型，提取了放大器用ＧａＡｓＦＥＴ器件的模型参数（包括大信号、小信号和噪声模型参数）。利用ＰＳＰＩＣＥ程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计，并实际制作了用于２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的ＰＩＮ－ＨＥＭＴ前置放大器。实测结果表明放大器３ｄＢ带宽达到ＤＣ～４．４ＧＨｚ，增益为１８±１ｄＢ；加入ＰＩＮ二极管后的光接收模块的３ｄＢ带宽为ＤＣ～１．６８８ＧＨｚ，满足了２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的需要。     

双频段应用的毫米波倍频一放大器组件

本文介绍用变阻模式肖特基二极管制作的宽频带倍频器和由Ｋａ波段ＧａＡｓＭＭＩＣ放大器芯片组成的倍频一放大器混合集成组件，输出功率可达２０ｄＢｍ。