激光与Li_2-Li系统相互作用的双量子激发过程

本文报道了激光激发Li_2-Li系统时所观察到的多种双量子作用过程,其中包括Li原子的双光子电偶极和电四极激发、Li_2-Li系统的混合激发和Li_2的双量子激发,它们导致了Li原子或分子高位态的布居。     

基于不等频二步激发Ca蒸气产生的受激和串级受激辐射

由氮分子激光器同步泵浦的两台染料激光器二步激发Ca蒸气,产生位于红外和可见光波段的受激和串级受激辐射.文中对产生受激辐射的机制,包括单重态之间的碰撞能量转移等过程,作了分析和讨论.     

不等频两步共振激发Li原子产生红外受激辐射

文中报导了利用两步不等频共振泵浦Li蒸气,获得了一系列红外受激辐射和串级辐射。文中对受激辐射特性进行了研究。     

由原子强四波混频光共振激发Na_2产生的紫外受激辐射

用波长为５７８．７ｎｍ的激光双光子共振激发Ｎａ－Ｎａ２混合样品中的钠原子（３Ｓ→４Ｄ），在紫外区３２０～３７０ｎｍ范围内得到了四十多条受激辐射线。标识和分析的结果表明，钠原子中共振增强的四波混频光作为一个次级激发源将Ｎａ２从基态Ｘ∑＋共振激发到Ｃ１ｘ态，继而由Ｃ１ｚ向Ｘ１∑＋态跃迁产生了上述的紫外受激辐射线。     

镱蒸气中由二步光泵和碰撞能量转移产生的受激辐射

用一台氮分子激光器同时泵浦两台染料激光器,以两步激发的方式,分别将稀土镱原子激发至高位单重态和三重态.由此获得了一系列范围从红外到紫外的受激辐射信号。这些受激辐射分别来自单重态的跃迁、三重态间的跃迁以及单-三重态间的辐射跃迁。文章对这些受激辐射的产生过程进行了详细的讨论。此外还测定了单重态和单-三重态间的吸收系数之比以及能级间的碰撞转移几率之比。     

由双光子共振激发钾蒸气产生红外受激辐射以及紫外和可见相干辐射

当双光子共振激发钾原子到7S能级时,测得了一系列位于红外区的受激辐射和串级受激辐射,它们与泵浦光的双光子共振四波混频过程,产生了对应于6P-4S和5P-4S的强相干辐射。而这两个相干辐射又具有泵浦光的作用,通过接联的四波混频过程产生位于紫外和可见区     

双光子共振激发的电离复合产生受激电子辐射

文中报道利用双光子共振激发锂原子到4s态,获得了多条受激电子辐射和相干辐射,同时观察到了高于4s能级的nd,ns态(n≥4)到2p态的跃迁,以及从连续态到3s态的辐射。     

由锂分子高位三重态跃迁产生的435.0～445.0nm扩散带受激辐射

本文报道了以590.0～625.0nm宽波段范围内任何波长的脉冲激光双光子激发锂分子,均可产生435.0～445.0nm扩散带受激辐射的实验结果,对激发和发射机制进行了讨论。     

钾分子中由混合激发和双光子激发产生的扩散带受激辐射

本文首次报导了以混合激发钾分子—钾原子系统以及在685—718nm区内双光子激发分子高位态产生位于573nm附近的扩散带受激辐射的实验结果,特别对这种由混合激发而产生扩散带辐射的复杂过程作了讨论。 由YAG激光泵浦的可在685—718nm区内连续调谐的脉冲染料激光(最大输出能量为4mJ,脉宽12ns,线宽0.01nm)聚焦激发盛于长为60cm的十字热管炉中的钾样品,在420℃—620℃的运转温度区,在热管炉前向测得位于565—580nm区的钾分子扩散带受激     

钾分子的二步泵浦光离解受激辐射

运用从H_2喇曼管出射的红外相干辐射,第一步将K_2分子激发到A~1∑_u~+态;第二步再由染料激光将其激发到高位g态的离解限,从而产生光离解受激辐射.     

Li_2的405～460nm范围内的吸收及发射谱

本文报道了锂双原子分子在405～460nm范围内的吸收谱,吸收峰在422.5nm和450nm附近,两个吸收峰应来自x~3∑_u~+→2~3II_g的吸收跃迁.激光泵浦得到了456nm附近的感生荧光谱,并对这一谱带的发射机理进行了讨论.     

Electronic origin of structural degradation in Li-rich transition metal oxides: The case of Li2MnO3 and Li2RuO3

Li₂MnO₃ and Li₂RuO₃ represent two prototype Li-rich transition metal(TM) oxides as high-capacity cathodes for Liion batteries,which have similar crystal structures but show quite different cycling performances.Here,based on the first-principles calculations,we systematically studied the electronic structures and defect properties of these two Li-rich cathodes,in order to get more understanding on the structural degradation mechanism in Li-rich TM oxide...     

Thermally stimulated current in SiO2

Thermally stimulated current (TSC) techniques provide information about oxide-trap charge densities and energy distributions in MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitors exposed to ionizing radiation or high-field stress that is difficult or impossible to obtain via standard capacitance–voltage or current–voltage techniques. The precision and reproducibility of measurements through repeated irradiation/TSC cycles on a single capacitor is demonstrated with a radiation-hardened oxide, and small sample-to-sample variations are observed. A small increase in E′_δ center density may occur in some non-radiation-hardened oxides during repeated irradiation/TSC measurement cycles. The importance of choosing an appropriate bias to obtain accurate measurements of trapped charge densities and energy distributions is emphasized. A 10 nm deposited oxide with no subsequent annealing above 400°C shows a different trapped-hole energy distribution than thermally grown oxides, but a similar distribution to thermal oxides is found for deposited oxides annealed at higher temperatures. Charge neutralization during switched-bias irradiation is found to occur both because of hole-electron annihilation and increased electron trapping in the near-interfacial SiO₂. Limitations in applying TSC to oxides thinner than 5 nm are discussed.     

氟化铅(PbF2)薄膜的红外光学特性

本文报导了PbF2薄膜在红外区域的光学特性。对光谱法求折射率的有关公式行进了修正,还给出了PbF2薄膜的折射率,并且认为PbF2是一种较好的红外镀膜材料。     

基于超高Q值封装CaF2晶体盘腔的级联受激布里渊散射光产生

回音壁模式光学微腔是一种研究非线性光学现象的理想平台。在1 550 nm波段下成功实现了在CaF₂晶体微腔中产生五阶级联的受激布里渊散射激光。所用的CaF₂晶体微腔直径为12.6 mm,同时有着超高的品质因子,最高可以达到。实验中发现,当大尺寸晶体腔与绝热的锥形光纤进行耦合时,能够激发出多个谐振模式,保证了能够方便地选择不同的谐振波长来匹配受激布里渊散射频移。可以消除在匹配微腔的自由频谱范围和布里渊频移时对微腔尺寸精准控制的需要。为了解决在微腔和波导耦合时的环境震动影响,还设计了一个可以精密耦合调节的封装平台,可以保证谐振腔和波导稳定的在氮气保护气体氛围中被耦合密封起来。产生的级联布里渊激光和设计出的稳定封装平台可以用于后续的应用开发,例如多波长布里渊激光器产生和基于布里渊激光的陀螺仪研发等。     

六氟化硫、三乙胺对氮紫外受激辐射的影响

本文报道在N_2中添加SF_6和三乙胺显著增加3371A的输出;给出不同的SF_6含量与3371(?)和3577(?)输出的变化关系;指出SF_6对B~3Π_g(ν=1)的转动能级的强烈影响。 我们是在一台Blumlein电路快放电激光器上进行N_2添加SF_6和三乙胺的实验研究的。激光腔体尺寸为6×6×100厘米,转输线储能电容和脉冲形成电容量均为27000微微法。“T”形激光电极的阴极上下面附近分别装置一根铜棒,即采用双铜棒预电离。工作电压是18千伏。 研究了3371(?)和3577(?)受激辐射输出功率与混合气SF_6/N_2比值之间的关系,工作气压保持在80托。当SF_6/N_2<1,即在N_2中添加少量SF_6时,3371A的输出功率迅速增加,直     

二千瓦级横向电激励CO_2连续激光器

我们研制的HGL-81型CO_2激光器输出功率达2千瓦以上,连续工作时间2小时以上,输出功率稳定度小于±5％,电光转换效率大于11％。 HGL-81型CO_2激光器采用的总体技术方案是工作气体快速流动,横向电激励、高气压、多针-板自持放电。工作气压范围为50～300托。提高工作气压的好处是:激光输出功率随气压增加而增加,有利于长时间、全封闭稳定工作,工作过程中不需要补充新鲜气体,纵模稳定;气体质量流量大,气体温度低等。提高工作气压带来的主要问题是辉光放电的不稳定性。我们采用多针-板放电结构较好地解决了这个问题。     

Light emission from Si/SiO2 superlattices fabricated by RPECVD

Si/SiO₂ superlattices that exhibit intense luminescence properties were fabricated by remote plasma enhanced chemical vapor deposition. (RPECVD) and subsequent rapid thermal annealing for silicon crystallization. The effects of charge carrier confinement like blue shifting of the PL spectra and intensity increase with decreasing Silicon quantum well thickness are observed in low temperature photoluminescence experiments. The Si/SiO₂ interface quality is calculated from capacitance voltage (CV) measurements on metal oxide semiconductor teststructures showing excellent layer and Si/SiO₂ interface properties. The Si crystallization process is investigated and analyzed by Raman and transmission electron microscopy. Decreasing the Si quantum well thickness to 2 nm leads to light emission at room temperature.