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本文提出了一种用于多模前端集成电路的全集成功率放大器,该功率放大器采用0.18μm锗硅BiCMOS工艺设计,所有匹配网络及元件全部片上集成。利用负载牵引测试技术,得到了最佳功率放大级器件尺寸,并对版图进行了优化,最终的测试结果显示:该功率放大器在2.4GHz处最大输出功率达到24dBm,在5dBm功率输入时,得到输出1dB功率压缩点,为21dBm,此时功率附加效率为18%。该功率放大器全部片上测试,没有任何邦定线及片上匹配,可用于多模片上系统的功率模组集成。 相似文献
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采用模拟退火算法提取出异质结双极晶体管器件的大信号Gummel-Poon模型参数,利用所提取出的模型参数设计出具有很低静态功耗的1900MHz两级AB类功率放大器.该功放的功率增益为26dB,1dB压缩点输出功率为28dBm,对应的功率附加效率和邻近信道功率比分别为38.8%、-30.5dBc,1dB压缩点处的各阶谐波功率均小于-40dBc. 相似文献
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报道了在工作电压50 V、频率1.2 GHz下,功率密度1.2 W/mm射频LDMOS功率器件的研制结果。由于大功率LDMOS功率器件输入阻抗小,在50Ω负载牵引系统下测试容易出现低频振荡,严重损坏待测器件。为了消除这种低频振荡,更好地进行功率测试,研究采用了直通-反射-传输线(TRL)低阻抗测试夹具。此种夹具可以很好地抑制低频率的功率增益,消除低频振荡;而且使阻抗调节器获得更多的低阻抗点,提高负载牵引系统测试的准确度。在低阻抗的负载牵引系统测试环境下,1.2 GHz下,脉冲输出功率在1 dB压缩点为109.4 W,功率密度达到1.2 W/mm。 相似文献
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近20年来,横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)技术在无线通信基站应用中占据着主导性优势,器件鲁棒性是射频LDMOS最为重要的要求之一,因为器件被使用于非常严酷的电气及发热的环境之中。本文研究了一种采用增强P阱和双层外延来抑制寄生双极型晶体管效应的RF-LDMOS器件,在改善鲁棒性的同时保持器件在高频应用下的高性能。基于此设计,采用基于0.35um CMOS的工艺技术制造了一种应用于全球移动通信系统(GSM)的RF LDMOS器件。实验结果表明,该器件实现击穿电压高于70V,输出功率180W,线性增益高于20dB,在920MHz频率下的附加功率效率高于70%,尤其这个器件能够通过在32V直流供电,功率输出在10-dB压缩点及电压驻波比20:1负载失配条件下的测试,与传统器件结构相比,器件的鲁棒性得到显著的提高。 相似文献
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功率附加效率是现代无线通信系统中一个重要的指标,较高的效率会大幅提高无线通信系统的运行时间,增强电池的续航能力,提高能源利用率,对移动通讯设备和移动安防设备而言,这几点尤为重要。文中以一款GaN HEMT功率放大器为基础,设计了一种简洁有效的E类功率放大器,用负载牵引技术和谐振器提高了器件的功率附加效率,在120~200 MHz近一个倍频程的工作频带内,实测功率附加效率均约达到74%,增益和输出功率分别约为13 dB和40 dBm。 相似文献
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基于第三代半导体GaN的高电子迁移率晶体管技术,利用Cree CGH40010管芯大信号模型并结合ADS2009U1软件,结合商用GaN管芯的自身特性,采用微带-电阻-微带-电容-微带的负反馈回路和整体负载牵引方法及宽带匹配网络,成功设计并实现了30~2 600 MHz超过6个倍频程的超宽带功率放大器.测试结果表明,该功率放大器的带内线性增益大于11.8 dB,线性增益平坦度小于±0.95 dB,输入回波小于-10.2 dB,1 dB压缩点输出功率大于36.5 dBm,功率附加效率大于22%,饱和时输出功率大于39.1 dBm,功率附加效率大于28%.该功率放大器在很宽的频带内有着平坦的增益,适用于对平坦度要求较高的超宽带系统中. 相似文献