基于场效应管阻抗参数测试的宽带功率放大器优化设计

设计了一个工作在800～1250MHz的宽带线性高功率放大器.用负载牵引方法测试了LDMOS场效应管宽带内的大信号阻抗参数,利用测得的阻抗参数优化设计了功放的匹配电路.实测功放的1dB压缩点输出功率大于44.5dBm,二次谐波小于-25dBc,输出功率为38.5dBm时双音测试三阶交调(IM3)优于-44dBc.     

一种0.18μm全集成锗硅BiCMOS功率放大器设计

本文提出了一种用于多模前端集成电路的全集成功率放大器,该功率放大器采用0.18μm锗硅BiCMOS工艺设计,所有匹配网络及元件全部片上集成。利用负载牵引测试技术,得到了最佳功率放大级器件尺寸,并对版图进行了优化,最终的测试结果显示：该功率放大器在2.4GHz处最大输出功率达到24dBm,在5dBm功率输入时,得到输出1dB功率压缩点,为21dBm,此时功率附加效率为18%。该功率放大器全部片上测试,没有任何邦定线及片上匹配,可用于多模片上系统的功率模组集成。     

InGaP/GaAs HBT微波功率放大器的设计

采用模拟退火算法提取出异质结双极晶体管器件的大信号Gummel-Poon模型参数,利用所提取出的模型参数设计出具有很低静态功耗的1900MHz两级AB类功率放大器.该功放的功率增益为26dB,1dB压缩点输出功率为28dBm,对应的功率附加效率和邻近信道功率比分别为38.8%、-30.5dBc,1dB压缩点处的各阶谐波功率均小于-40dBc.     

L波段高功率密度LDMOS脉冲功率测试方法

报道了在工作电压50 V、频率1.2 GHz下,功率密度1.2 W/mm射频LDMOS功率器件的研制结果。由于大功率LDMOS功率器件输入阻抗小,在50Ω负载牵引系统下测试容易出现低频振荡,严重损坏待测器件。为了消除这种低频振荡,更好地进行功率测试,研究采用了直通-反射-传输线(TRL)低阻抗测试夹具。此种夹具可以很好地抑制低频率的功率增益,消除低频振荡;而且使阻抗调节器获得更多的低阻抗点,提高负载牵引系统测试的准确度。在低阻抗的负载牵引系统测试环境下,1.2 GHz下,脉冲输出功率在1 dB压缩点为109.4 W,功率密度达到1.2 W/mm。     

基于变容管的0.5-1.2GHz宽带可调谐功率放大器设计

针对无线通信系统向多频、微型等方向发展的需求,基于负载牵引系统测试出的功率器件最大输出时的源阻抗和负载阻抗,采用基于变容管的频率调谐技术,输入输出匹配均采用可调谐匹配网络的形式,设计了一款在0.5-1.2GHz内可宽带调谐的功率放大器。测试结果表明,该功率放大器频率调谐比达82.3%,且在调谐频率范围内1dB压缩时的输出功率均大于32.1dBm,增益大于10.1dB,漏极效率大于38.4%。     

用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器

报道了一种性能良好的SiGe功率放大器,具有用于无线通信的前景.在B类模式下工作时,输出功率可以达到30dBm.在AB类模式下,电源电压为4V工作时,1dB压缩点输出功率(P1dB)为24dBm,输出功率三阶交截点(TOI)为39dBm.最大的功率附加效率(PAE)和在1dB压缩点的功率附加效率分别达到34%和25%.处理CDMA信号时的邻道功率抑制超过42dBc,符合IS95标准.     

采用增强P阱和双层外延来抑制寄生双极型晶体管效应的高可靠性RF-LDMOS设计

近20年来,横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS）技术在无线通信基站应用中占据着主导性优势,器件鲁棒性是射频LDMOS最为重要的要求之一,因为器件被使用于非常严酷的电气及发热的环境之中。本文研究了一种采用增强P阱和双层外延来抑制寄生双极型晶体管效应的RF-LDMOS器件,在改善鲁棒性的同时保持器件在高频应用下的高性能。基于此设计,采用基于0.35um CMOS的工艺技术制造了一种应用于全球移动通信系统（GSM）的RF LDMOS器件。实验结果表明,该器件实现击穿电压高于70V,输出功率180W,线性增益高于20dB,在920MHz频率下的附加功率效率高于70%,尤其这个器件能够通过在32V直流供电,功率输出在10-dB压缩点及电压驻波比20:1负载失配条件下的测试,与传统器件结构相比,器件的鲁棒性得到显著的提高。     

一种E类高效GaN HEMT功率放大器设计

功率附加效率是现代无线通信系统中一个重要的指标,较高的效率会大幅提高无线通信系统的运行时间,增强电池的续航能力,提高能源利用率,对移动通讯设备和移动安防设备而言,这几点尤为重要。文中以一款GaN HEMT功率放大器为基础,设计了一种简洁有效的E类功率放大器,用负载牵引技术和谐振器提高了器件的功率附加效率,在120～200 MHz近一个倍频程的工作频带内,实测功率附加效率均约达到74%,增益和输出功率分别约为13 dB和40 dBm。     

用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器

报道了一种性能良好的SiGe功率放大器,具有用于无线通信的前景.在B类模式下工作时,输出功率可以达到30dBm.在AB类模式下,电源电压为4V工作时,1dB压缩点输出功率(P1dB)为24dBm,输出功率三阶交截点(TOI)为39dBm.最大的功率附加效率(PAE)和在1dB压缩点的功率附加效率分别达到34%和25%.处理CDMA信号时的邻道功率抑制超过42dBc,符合IS95标准.     

30～2 600 MHz超宽带GaN功率放大器的设计与实现

基于第三代半导体GaN的高电子迁移率晶体管技术,利用Cree CGH40010管芯大信号模型并结合ADS2009U1软件,结合商用GaN管芯的自身特性,采用微带-电阻-微带-电容-微带的负反馈回路和整体负载牵引方法及宽带匹配网络,成功设计并实现了30～2 600 MHz超过6个倍频程的超宽带功率放大器.测试结果表明,该功率放大器的带内线性增益大于11.8 dB,线性增益平坦度小于±0.95 dB,输入回波小于-10.2 dB,1 dB压缩点输出功率大于36.5 dBm,功率附加效率大于22％,饱和时输出功率大于39.1 dBm,功率附加效率大于28％.该功率放大器在很宽的频带内有着平坦的增益,适用于对平坦度要求较高的超宽带系统中.