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相似文献
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1.
设计了一种以Nauta跨导为单元结构的5阶切比雪夫跨导-电容带通滤波器及其调谐电路.该电路应用于低中频结构的北斗卫星导航接收机射频前端.滤波器的中心频率为4.092MHz,带宽设计为±2.046 MHz.该滤波器采用锁相环结构的片上自动频率调谐电路,用TSMC0.13 μm RF CMOS工艺实现,芯片面积仅为0.24 mm2,可以在低电压下工作,电路总功耗仅为1.68 mW.  相似文献   

2.
唐长文  何捷  闵昊 《半导体学报》2005,26(11):2182-2190
为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性,提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路,该压控振荡器电路采用0.25μm 1P5M CMOS工艺实现.一种新型开关阶跃电容实现了频率调谐功能,该电容的调谐电容是传统反型MOS管可变电容的146%.在1/f3区域,差分调谐振荡器的相位噪声比单端调谐振荡器低7dB.在载波频率偏差10kHz,100kHz和1MHz处测得差分调谐时的相位噪声分别是-83,-107和-130dBc/Hz,功耗为8.6mW.  相似文献   

3.
为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性,提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路,该压控振荡器电路采用0.25μm 1P5M CMOS工艺实现.一种新型开关阶跃电容实现了频率调谐功能,该电容的调谐电容是传统反型MOS管可变电容的146%.在1/f3区域,差分调谐振荡器的相位噪声比单端调谐振荡器低7dB.在载波频率偏差10kHz,100kHz和1MHz处测得差分调谐时的相位噪声分别是-83,-107和-130dBc/Hz,功耗为8.6mW.  相似文献   

4.
唐长文  何捷  闵昊 《半导体学报》2005,26(10):2010-2021
针对采用阶跃可变电容的电感电容压控振荡器电路,本文提出了一种振荡器调谐特性的时域分析方法--周期计算技术. 通过对电感电容谐振回路中电感的I-V曲线分析,详细地阐述了阶跃可变电容能够实现线性压控的物理机理和本质. 对差分调谐电感电容压控振荡器的调谐特性也进行了详细的分析. SPICE电路仿真验证了调谐特性理论分析的正确性.  相似文献   

5.
针对采用阶跃可变电容的电感电容压控振荡器电路,本文提出了一种振荡器调谐特性的时域分析方法--周期计算技术.通过对电感电容谐振回路中电感的I-Ⅴ曲线分析,详细地阐述了阶跃可变电容能够实现线性压控的物理机理和本质.对差分调谐电感电容压控振荡器的调谐特性也进行了详细的分析.SPICE电路仿真验证了调谐特性理论分析的正确性.  相似文献   

6.
采用0.18μm RF CMOS工艺,设计了一个5GHz的宽带电感电容压控振荡器。该压控振荡器的电路结构选用互补交叉耦合型,采用噪声滤波技术降低相位噪声,并采用开关电容阵列扩展其调谐范围。后仿真结果表明,实现了4.44~5.44GHz的宽调谐。振荡器的电源电压为1.8V,工作电流为2.78mA,版图面积为0.37mm2。  相似文献   

7.
自调谐VCO频段选择技术比较与设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
黄水龙  王志华 《半导体技术》2005,30(10):54-57,72
系统分析了自调谐的必要性和各种具有频段选择功能的LC VCO(电感电容压控振荡器)的特点,设计了一种可以应用于自调谐的LC VCO结构.该压控振荡器用5层金属0.25 μ m的标准CMOS工艺制造完成,测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为2.7V时的功耗约为14mW,它具有约1 80MHz的调谐范围,在振荡中心频率为1.52GHz时的单边带相位噪声为-110dBc/Hz@1MHz.  相似文献   

8.
刘奇能  王春华 《微电子学》2000,30(3):201-203
提出了一种基于CMOS OTA的电流模式KHN滤波器电路。该电路能同时实现低通、带通及高通滤波器,通过端口相接还可以实现带阻及全通滤波器。整个电路仅含两个接地电容而不含其它无源元件。便于集成。PSPICE模拟表明,该电路有低的灵敏度。  相似文献   

9.
杨利君  龚正  石寅  陈治明 《微电子学》2012,42(2):233-237
介绍了一种应用于无线局域网(WLAN)收发机系统的跨导-电容(Gm-C)低通滤波器,该电路可工作于低电压,并且具有高线性度.该射频发射器中的滤波器采用截止频率为9.9 MHz的3阶切比雪夫低通滤波器,在30 MHz频率处的阻带衰减达到30.5 dB.由于采用跨导线性环技术,滤波器工作于1.2V电源电压时,IIP3可达13.5 dBm.电路采用0.13 μm CMOS工艺实现,滤波器芯片尺寸为0.52 mm×0.17 mm,消耗电流3.76 mA.  相似文献   

10.
基于成像系统应用的低噪声Si-CMOS读出电路设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
孟庆超  翟艳  朱樟明 《电子质量》2004,(8):69-70,77
本文分析了读出电路的工作原理,基于相关双采样(CDS)技术,提出了一种改进的电容跨导放大器(CTIA)结构的Si-CMOS读出电路,并详细介绍了电路结构及工作过程.  相似文献   

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