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绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究刘安生,邵贝羚,李永洪,张鹏飞,钱佩信(北京有色金属研究总院,北京100088)(清华大学微电子所,北京100084)绝缘衬底上的硅膜SOI(SilicononInsulator)是近年发展起来的一种新型的超大规模集成... 相似文献
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采用卤素灯区熔技术使绝缘层上生长大面积单晶。典型的3—4毫米×几厘米的单晶是由很多无内部缺陷的子晶粒所组成。其边界平行于扫描方向,结晶图方向是垂直于膜平面的,为(001)。扫描方向是(100)。 相似文献
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研究表明,对于用于先进的半导体器体制作中的各种二氧化硅膜来说,中压多片腐蚀系统既能进行各向异性腐蚀,又能进行剖面腐蚀。 相似文献
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本文介绍用二氧化硅膜的选择性沉积法来制造精细图形,可获得0.12μm,间距0.08μm的精细图形。文中具体介绍了制造工艺及沉积原理。 相似文献
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研究常压淀积后4200A磷掺杂的多晶硅膜厚作为淀积速率的关系。利用电子微探针分析测定建立了淀积速率和多晶硅膜中氧含量之间的关系。从而说明淀积速率对膜的电特性和晶粒大小的影响。对于淀积速率低于400A/分的膜研究了氧含量大约是膜重量的1%,重量比约为1%的浓度的氧含量在高温过程中抑制晶粒生长,并且由于对膜性能的影响载流子浓度和(?)耳迁移率下降而使方块电阻增加。 相似文献
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本研究首先将载流子浓度为1×10~(15)cm~(-3)的N型<111>和P型<100>晶向的InSb材料磨抛,然后给予适当的表面处理,分别经AGW溶液恒流阳极氧化或PECVD法生长SiO_2膜,而后由电子束蒸发铝电极,组成MIS结构,在77K暗场下用C-V技术进行了电学测量和分析。指出阳极氧化与InSb界面有较高的负界面电荷(典型值为-1.0×10~(12)cm~(-2)),膜 相似文献
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本文介绍低温生长的薄LPCVD二氧化硅膜经短时间热退火后,热氮化后的物理及电学性质。与热生长二氧化硅膜性质进行比较,结果表明,LPCVD二氧化硅膜许多性质优于热生长二氧化硅膜。适合做MOS晶体管的栅介质。文中重点指出,小于10nm的超薄的LPCVD二氧化硅膜经快速热退火或热氮化后做MOS晶体管的栅介质,其电学特性优于热生长二氧化硅膜做栅介质的MOS晶体管。在低温器件及超大规模集成电路中有广泛的应用前景。 相似文献
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<正> 一、 引言 低温能避免高温引起的杂质再分布,杂质表面耗尽,“鸟嘴”结构形成,以及硅片翘曲和热诱生缺陷等,保证高密度IC的实现。硅的低温氧化,是VLSI制作中尚未解决的重要课题,因此引起了人们很大关注。本工作采用低温等离子体技术,研究了900℃以下硅的等离子体氧化,探讨了膜的生长机理和规律,膜的性质与工艺条件的关系。 相似文献