绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究

绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究刘安生，邵贝羚，李永洪，张鹏飞，钱佩信（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）（清华大学微电子所，北京１０００８４）绝缘衬底上的硅膜ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）是近年发展起来的一种新型的超大规模集成...     

卤素灯将绝缘衬底上的硅再结晶

采用卤素灯区熔技术使绝缘层上生长大面积单晶。典型的3—4毫米×几厘米的单晶是由很多无内部缺陷的子晶粒所组成。其边界平行于扫描方向,结晶图方向是垂直于膜平面的,为(001)。扫描方向是(100)。     

二氧化硅膜文献索引

在用平面工艺制作半导体器件的过程中,SiO_2膜起着非常重要的作用,它被用作介质、扩散掩蔽、钝化层等。由此,对SiO_2膜的制备和特性,以及SiO_2/Si界面,进行了广泛的研究。在60年代作了大量基础工作,Schlegel编辑的两个文献索引应称这期间的重要文献。有关SiO_2用作半导体器件的隔离介质的文献已搜入新近的文献索引(见本刊1975年4～5期合刊)中,因此本索引只选录有关其它介质(氮化硅、氧化铝)的文献。     

二氧化硅膜的选择腐蚀

研究表明,对于用于先进的半导体器体制作中的各种二氧化硅膜来说,中压多片腐蚀系统既能进行各向异性腐蚀,又能进行剖面腐蚀。     

二氧化硅膜的选择性沉积

本文介绍用二氧化硅膜的选择性沉积法来制造精细图形,可获得0.12μm,间距0.08μm的精细图形。文中具体介绍了制造工艺及沉积原理。     

低温下热生长二氧化硅的生长动力学和电特性

低温下热生长二氧化硅的生长动力学和电特性＝Ｇｒｏｗｔｈｋｉｎｅｔｉｃｓａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｈａｒａｃ－ｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｔｈｅｒｍａｌｓｉｌｉｃｏｎｄｉｏｘｉｄｅｇｒｏｗｎａｔｌｏｗｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ［刊，英］／Ｌｅｅ，Ｋ．Ｈ，…／...     

氧对多晶硅膜电特性的影响

研究常压淀积后4200A磷掺杂的多晶硅膜厚作为淀积速率的关系。利用电子微探针分析测定建立了淀积速率和多晶硅膜中氧含量之间的关系。从而说明淀积速率对膜的电特性和晶粒大小的影响。对于淀积速率低于400A/分的膜研究了氧含量大约是膜重量的1％,重量比约为1％的浓度的氧含量在高温过程中抑制晶粒生长,并且由于对膜性能的影响载流子浓度和(?)耳迁移率下降而使方块电阻增加。     

簿栅介质膜的电特性研究

本文介绍在引进的CMOS生产线上,利用等温两步氯化氢氧化技术,研究工业化大生产中薄栅介质膜的电流-电压特性及其击穿特性,结果表明,合理的清洗方法是制备高质量氧化膜的前提,等温两步HCl氧化技术是工业化大生产中行之有效的方法.     

热氮化二氧化硅膜的研究

用氨气对热生长的二氧化硅膜进行了氮化处理,测试了膜的电学特性,并研究了工艺对它们的影响。实验发现,热氮化二氧化硅膜兼有二氧化硅与氮化硅膜的优点,而且界面电荷在较大范围内具有可控的特点。用AES表面分析技术研究了热氮化二氧化硅膜的结构。还探讨了二氧化硅膜热氮化的机理。     

二氧化硅膜的减压淀积

我们在一个减压CVD反应器中,于700～750℃下用四乙氧基硅烷(TEOS)分解法,在硅衬底上淀积出了二氧化硅膜。淀积速率为200～300埃/分。在能装载100片的淀积区,淀积膜厚的均匀性优于1％。台阶覆盖性良好,缺陷密度很低,膜的应力是压应力而且很小。膜的折射率,红外质谱和密度与常压淀积的二氧化硅膜相同。系统中添加磷化物使淀积速率增加,膜厚的均匀性变坏。因此,这种反应并不能适用于淀积集成电路所用的掺磷二氧化硅膜;然而,对非掺杂的二氧化硅膜淀积工艺来说,这种反应似乎是一个很好的工艺过程。     

在薄二氧化硅层上纯多晶硅化镍膜的研究

本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火（RTA）形成的多晶硅化镍膜的电特性，对于在薄二氧化硅上的纯硅化镍膜，测试了其到衬底的泄漏电流，发现二氧化硅性质仍类似于多晶硅膜或纯铝膜下二氧化硅性质，采用准静态C－V方法研究了多晶硅栅和纯硅化镍栅的多晶栅耗尽效应（PDE），并探讨了硅化镍栅掺杂浓度和栅氧化层厚度对PDE的影响，结果表明，即使在未被掺杂的纯硅化镍栅膜，也未曾观察到PDE。     

光伏InSb器件钝化膜电特性研究

本研究首先将载流子浓度为1×10~(15)cm~(-3)的N型<111>和P型<100>晶向的InSb材料磨抛,然后给予适当的表面处理,分别经AGW溶液恒流阳极氧化或PECVD法生长SiO_2膜,而后由电子束蒸发铝电极,组成MIS结构,在77K暗场下用C-V技术进行了电学测量和分析。指出阳极氧化与InSb界面有较高的负界面电荷(典型值为-1.0×10~(12)cm~(-2)),膜     

重掺杂多晶硅－锗膜的电特性

重掺杂多晶硅－锗膜的电特性＝Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｈｅａｖｉｌｙｄｏｐｅｄｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎ－ｇｅｒｍａ－ｎｉｕｍｆｉｌｍｓ［刊．英］／Ｒｉｎｇ．Ｔ．Ｊ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖ．...     

超薄LPCVD二氧化硅膜栅介质

本文介绍低温生长的薄LPCVD二氧化硅膜经短时间热退火后，热氮化后的物理及电学性质。与热生长二氧化硅膜性质进行比较，结果表明，LPCVD二氧化硅膜许多性质优于热生长二氧化硅膜。适合做MOS晶体管的栅介质。文中重点指出，小于10nm的超薄的LPCVD二氧化硅膜经快速热退火或热氮化后做MOS晶体管的栅介质，其电学特性优于热生长二氧化硅膜做栅介质的MOS晶体管。在低温器件及超大规模集成电路中有广泛的应用前景。     

等离子体二氧化硅的制备及特性

<正> 一、 引言 低温能避免高温引起的杂质再分布,杂质表面耗尽,“鸟嘴”结构形成,以及硅片翘曲和热诱生缺陷等,保证高密度IC的实现。硅的低温氧化,是VLSI制作中尚未解决的重要课题,因此引起了人们很大关注。本工作采用低温等离子体技术,研究了900℃以下硅的等离子体氧化,探讨了膜的生长机理和规律,膜的性质与工艺条件的关系。     

二氧化硅薄膜驻极体的电荷特性

对二氧化硅薄膜驻极体中几种主要电荷的基本特性－固定氧化物电荷的特性特性、氧化物陷阱电荷的特性及硅－二氧二硅界面陷阱电荷的特性进行了分析。