离子注入非晶碳薄膜的SEM研究

离子束混合技术可在低温下通过非平衡态键合作用实现薄膜与基底界面间的原子级混合,甚至可在无相互反应和互不相容的物质之间也能完成这种过程,因此通过离子束混合增强薄膜与基体粘着效应的研究受到人们的重视[1—3]。本文考察了C+离子注入对非晶态碳薄膜的摩擦学性能以及膜与基底结合强度的影响,并用SEM对非晶碳膜的表面微观结构进行了分析研究。结果与讨论表1显示C+离子注入C/SiO2前、后,非晶碳膜脱离SiO2基底时的划痕临界载荷及非晶碳膜耐磨寿命的测定结果。离子注入前,非晶碳膜与基底的附着力很低,当划痕临界载荷仅为0.7N时,碳膜即…     

磁过滤阴极真空弧沉积薄膜研究

采用磁过滤阴极真空弧沉积技术对从弧源引起离子束中的大颗粒进行过滤后,在硅和聚合物表面进行离子注入和低能离子束沉积,可获得特性优异的沉积金属膜、超硬膜（类金刚石,CN膜）、陶瓷膜（TiN,TiC）等。电子显微镜观察表明,大颗粒已被过滤,表面结构致密,由于先进行离子注入,在基体表现预先形成了过滤层,从而改善了沉积膜的粘合特性,膜与基体的粘合特性有了明显提高。测量结果表明,沉积膜的硬度、抗磨损和抗腐蚀特性均有了明显提高。非晶金刚石薄膜表面硬度可达到56GPa。     

掺碳氧化铟薄膜的铁磁性研究

采用磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺碳氧化铟(In2O3:C)薄膜,溅射过程分别在衬底温度为室温和550℃的条件下进行。通过测试所制In2O3:C薄膜的XRD谱和磁化曲线,研究了In2O3:C薄膜的结构和铁磁性能,并探讨了其铁磁性的起源。结果显示,随着含碳量的增加,In2O3:C薄膜的饱和磁化强度先增大后减小;此外,氧空位缺陷浓度高的样品其铁磁性也更强,这表明氧空位缺陷与In2O3:C薄膜的铁磁性起源有直接的关系。     

大面积平坦金刚石薄膜的制备和图形化

采用直拉热丝ＣＶＤ法沉积了面积３ 英寸的金刚石薄膜。硅衬底在沉积前采用０－５ ～１μｍ 金刚石微粉研磨,使成核密度达１０１０ 个／ｃｍ２ 以上,同时调整沉积工艺,特别是降低沉积气压至０－５ ～１－５ｋＰａ,促进了金刚石的二次成核,使薄膜变得十分平坦,当薄膜厚度为５μｍ 时,表面粗糙度Ｒａ 仅为６０ｎｍ 左右。另外,以铝作为保护膜,用氧离子束刻蚀金刚石薄膜,得到宽度为３ ～５μｍ 的精细金刚石薄膜图形。     

超硬非晶碳薄膜用作红外增透膜的研究

用激光烧蚀石墨靶方法在单晶硅衬底表面沉积了不同厚度的非晶碳膜。对膜进行了表面形貌观察、显微硬度测试，测试并分析了膜的Raman光谱和傅立叶变换红外光谱。发现膜含微晶石墨杂质较少，具有硬度高、化学惰性等优点，适应于制作硅衬底上波长低于8μm的红外增透膜。     

多离子束反应共溅射制备TbTiO3铁电薄膜的微结构研究

本文利用多离子束反应共溅射装置，分别在Ｓｉ和ＭｇＯ衬底上原位制备了Ｐｂ－Ｔｉ氧化物薄膜。研究表明，利用多离子束反应共溅射技术，可以显著降低薄膜后续热处理的温度；薄膜中焦绿石结构的消失温度与薄膜中Ｐｂ的含量有关；较之Ｓｉ衬底，在ＭｇＯ衬底上的薄膜较易获得好的晶体结构和优良的薄膜表面形貌。对所观察到的形象，从衬底与薄膜相互作用的角度进行了讨论。     

非晶碳—聚酰亚胺复合薄膜的场致电子发射预击穿现象研究

利用脉冲激光沉积技术（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）首次制备出非晶碳－聚酰亚胺复合薄膜，用其做为冷阴极，观察到其场致电子发射的预击穿现象，预击穿后阈值场强为７Ｖ／μｍ，最大发射电流密度为１．２ｍＡ／ｃｍ＾２。利用透明导电薄膜阳技术可观察到电子在薄膜阴极表明的发射区域。用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察了预击穿后发射区域的表面形貌的变化，并对复合薄膜的预击穿现象的场电子发射机理进行了探     

用过滤式电弧沉积系统制备类金刚石薄膜

介绍一种可用于沉积类金刚石薄膜的过滤式真空电弧沉积系统,研究了利用该系统制备的类金刚石薄膜的Ｒａｍａｎ光谱测试结果。实验表明,所设计的系统能可靠地触发并运行１００Ａ的碳电弧,电弧连续稳定燃烧的时间长于１０ｍｉｎ。在Ｓｉ（００１）、硬质合金和不锈钢等衬底上成功地制备出ＤＬＣ薄膜,沉积速度约为６０ｎｍ／ｍｉｎ。Ｒａｍａｎ光谱表明,所制备的ＤＬＣ涂层具有非晶结构,且ｓｐ３含量比脉冲激光沉积的类金刚石薄膜高。     

基于LabVIEW的自动控制原理虚拟实验系统

根据"自动控制原理"课程实验教学在高校实验实践中遇到的困难和实验教学改革的需要,本文提出了建立基于LabVIEW的自动控制虚拟实验系统方案.文中分析了目前常见的虚拟实验系统的优缺点,相应的应用LabVIEW编程语言实现了包含"自动控制原理"课程常见实验的虚拟实验系统,并提出了进行硬件实验扩充的设想.最后,利用Matlab语言编程进行对比分析,进行正确性验证.     

石墨烯-非晶碳复合薄膜的制备研究取得重大进展北大核心CSCD

据媒体报道,中科院兰州化学物理研究所的科研人员最近在石墨烯．非晶碳复合薄膜的制备研究方面取得新进展。有关研究成果发表在近期的Carbon刊物上。     

快速退火BF+注入非晶硅薄膜的显微分析

将具有能量９２ｋｅ Ｖ、剂量１×１０１５／ｃｍ ２ 的 Ｂ Ｆ＋ 注入由 Ｐ Ｅ Ｃ Ｖ Ｄ 方法制备的ａ Ｓｉ∶ Ｈ 薄膜中,然后用功率为 ６０ Ｗ 、束斑直径 ０２ｃｍ 的 Ｃ Ｗ Ｃ Ｏ２ 激光器进行 １０ｓ 快速退火。再用扫描电子显微镜（ Ｓ Ｅ Ｍ）进行显微形貌观察。分析结果指出：由于 Ｂ Ｆ＋ 的注入,使ａ Ｓｉ∶ Ｈ 薄膜中产生了多重结构缺陷,其表面轮廓是类似矩形和方形的图形;发现退火中的晶化是从这些缺陷的棱边开始。最后对晶化过程和机理进行了讨论。     

Surface effects on network formation of conjugated polymer wrapped semiconducting single walled carbon nanotubes and thin film transistor performance

SWCNT network morphology and TFT performance of polyfluorene wrapped sc-SWCNT on different substrates is reported. The polymer/tube weight ratio and concentration impacts network formation and device performance. Hydrophilic SiO₂ surfaces show stronger adsorption compared to poly-l-lysine treated SiO₂, which leads to more uniform and higher density networks. TFTs with mobility up to 38 cm²/Vs with <10% variability and on/off ratios on the order of 10⁵ were obtained using an iterative dip-coating process.     

ZnO薄膜制备工艺的研究进展

从ZnO晶体结构入手,介绍了ZnO薄膜制备工艺的研究现状与进展,包括基片的选择,缓冲层的影响,薄膜极性的控制与制备技术。并指出基片的选择、薄膜的成核生长过程与界面问题仍是今后研究的重点。     

高压真空断路器智能在线监测系统的研制

设计一种基于DSP和LabVIEW的高压真空断路器智能在线监测系统。传感器与下位机构成系统现场监测模块,安装于断路器本体。下位机硬件平台以TMS320F2812型DSP为核心实现断路器行程、分合闸电流和振动等信号的采集和处理,并通过CAN总线将数据传送至上位机（采用LabVIEW软件）,从而实现数据的存储和显示。     

Focussed ion beam and field emission gun–scanning electron microscopy for the investigation of voiding and interface phenomena in thin‐film solar cells

The use of focussed ion beam milling combined with high resolution scanning electron microscopy analysis as a characterisation tool for thin‐film photovoltaics is reported. CdTe solar cell cross sections are examined in high detail with as‐grown and CdCl₂‐treated devices being compared. Observed changes in microstructure of the thin‐film layers are related to the device performance. The CdCl₂ treatment is shown to cause a reduction in the CdTe defect density at regions close to the interface and induce recrystallization of the CdS layer. Furthermore, the focussed ion beam technique is shown to reveal voids formed within the device's thin‐film layers at various processing stages that have not been previously observed in working cell structures. The back‐contacting Te‐rich layer resulting from nitric–phosphoric acid etching is also observed, with the etched layer being seen to propagate down the CdTe grain boundaries. Copyright © 2011 John Wiley & Sons, Ltd.     

钢铁厂高炉供料自动控制系统改造设计

目前很多钢铁厂供料系统控制供料系统存在操作员工作环境差,上料联系信号不准确和供料生产不安全等问题。针对这些问题,现以某典型的钢铁厂高炉供料系统为例,给出了改造设计思路、控制模式设计及PLC控制系统设计方案。该系统投入运行后,降低了操作人员工作量,改善了工人的工作环境,使高炉运行顺畅,保证了生产安全。这一设计方案在钢铁厂高炉供料控制系统中具有较好的推广价值。     

Stack system of PECVD amorphous silicon and PECVD silicon oxide for silicon solar cell rear side passivation

A stack of hydrogenated amorphous silicon (a‐Si) and PECVD‐silicon oxide (SiO_x) has been used as surface passivation layer for silicon wafer surfaces. Very good surface passivation could be reached leading to a surface recombination velocity (SRV) below 10 cm/s on 1 Ω cm p‐type Si wafers. By using the passivation layer system at a solar cell's rear side and applying the laser‐fired contacts (LFC) process, pointwise local rear contacts have been formed and an energy conversion efficiency of 21·7% has been obtained on p‐type FZ substrates (0·5 Ω cm). Simulations show that the effective rear SRV is in the range of 180 cm/s for the combination of metallised and passivated areas, 120 ± 30 cm/s were calculated for the passivated areas. Rear reflectivity is comparable to thermally grown silicon dioxide (SiO₂). a‐Si rear passivation appears more stable under different bias light intensities compared to thermally grown SiO₂. Copyright © 2008 John Wiley & Sons, Ltd.     

Cd2+/NH3 treatment of Cu(In,Ga)(S,Se)2 thin‐film solar cell absorbers: a model for the performance‐enhancing processes in the partial electrolyte

To obtain highly efficient chalcopyrite‐based thin‐film solar cells where the conventionally used CdS buffer is replaced by a ZnO layer prepared by the ILGAR (ion layer gas reaction) process, the Cu(In,Ga)(S,Se)₂ absorber has to be pretreated in a Cd²⁺/NH₃ solution. Based on the measured characteristics of the pH‐value in the Cd²⁺/NH₃ solution during the treatment, a model of the processes in the bath can be established. The conclusions are correlated with results from X‐ray‐photoelectron and X‐ray‐excited Auger electron spectroscopy of the Cd²⁺/NH₃‐treated Cu(In,Ga)(S,Se)₂ surface, giving an explanation for the observed formation of Cd‐compounds on the surface of the absorber. Copyright © 2005 John Wiley & Sons, Ltd.