几种优化压合结构降低生产成本的方法

以实际生产中常见的压合结构为例,简单介绍了几种优化压合结构降低生产成本的方法,引导PCB制造业思考成本节约问题。     

一种非PTFE微波多层印制板的研究（上）

本对一种非聚四氟乙烯微波多层印制板的制造工艺流程进行了简单的介绍，对所采用的层压工艺技术和品质控制进行了较为详细的论述。     

低流动度半固化片的压合技术研究及其产品应用开发

随刚挠板、阶梯板与金属基散热板需求量的增大,相对于纯胶片更为便宜的低流动度半固化片的使用量增多,但由于此类半固化片的流胶量较低而往往容易导致压合白斑。本文对比试验了图形分布、半固化片数量、层压辅助材料、拼板工艺边设计及层压工艺参数等的影响,提出了低流动度半固化片的压合模型,此法有效避免了必须采用低流动度半固化片与FR-4半固化片混压或必需采用额外压合辅材的业界做法;试验并成功采用陪板填充阶梯槽的独特的简单工艺,避免了业界报道的操作相对复杂的叠板方式,可成功避免板凹和板件局部变形的质量问题,希望能对PCB制造业同行有所帮助。     

印制板压合铜皱的分析及预防

印制电路板层数越来越高,在压合生产过程中出现铜皱的现象越来越频繁。本文主要从铜皱的表现形式入手,通过现象铆钉位铜皱、熔点位铜皱、组合夹具引起铜皱、板面中心铜皱四个方面来研究探讨压合铜皱是如何产生的,制定什么方法来预防,进而提高品质。     

不流动性半固化片压合白斑的思考

介绍了利用不流动性半固化片在制作刚挠板压合过程中产生白斑的原因,通过对不同条件下（不同敷形材料、表面不同线路图形分布、不同压合压力、不同半固化片张劐不流动性半固化片的压合实验发现,不流动性半固化片的压合与普通半固化片无论是从压合辅材、压合压力及压合模型上来说者研艮大不同。最后通过之前的实验分析,提出了不流动性半固化片的压舍模型。     

多层印制板层压工艺概述

随着现代科技的不断发展,多层印制板得到了越来越广泛的应用。多层板的层压工艺是多层板生产的一个重要环节。层压工艺的好坏对于印制板品质的高低起到了决定性的作用。本文概述了国内外广泛使用的多层印制板的层压工艺,并对工艺流程进行了解释,以期对同行业层压工艺的研发与生产有所帮助。     

压阻加速度计的Au-Si共晶键合

通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合 ( 36 5℃保温 10min) ,再进行下帽与结构片的键合 ( 380± 10℃保温2 0min) ,成功进行了三层键合 .测得的键合强度约为 2 30MPa.硅片 基体 /SiO2 /Cr/Au层和硅片之间键合时 ,SiO2 溶解而形成CrSi2 硅化物 .共晶反应因Cr层而被推迟 ,键合温度高出共晶温度 2 0℃左右 ,从而避免了由于Au元素向硅中扩入而造成的污染 ,进而避免可能造成的对集成微电子器件性能的影响 .试验还证明硅基体 SiO2 /Cr/Au/Poly Si/Au键合层结构设计模型也遵循这一键合过程中的原子扩散理论.     

压阻加速度计的Au-Si共晶键合

通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合(365℃保温10min),再进行下帽与结构片的键合(380±10℃保温20min),成功进行了三层键合.测得的键合强度约为230MPa.硅片-基体/SiO2/Cr/Au层和硅片之间键合时,SiO2溶解而形成CrSi2硅化物.共晶反应因Cr层而被推迟,键合温度高出共晶温度20℃左右,从而避免了由于Au元素向硅中扩入而造成的污染,进而避免可能造成的对集成微电子器件性能的影响.试验还证明硅基体-SiO2/Cr/Au/Poly-Si/Au键合层结构设计模型也遵循这一键合过程中的原子扩散理论.     

多层板层压流胶和变形的原因与改善

主要通过对印制电路板层压的研究,探讨一些单层多张PP结构的PCB板,在压合后产生大量流胶及芯板局部变形后导致钻孔孔偏等问题的影响因素。包括对PCB板的结构设计、半固化片的裁切尺寸、压合前的排板方式、压板过程的升温速率及半固化片的凝胶时间等影响因素的对比试验,统计各可能因素的不良率。结果表明：半固化片的凝胶时间是影响流胶大及局部孔偏的主要因素。     

用导热性半固化片制造印制板

导热性半固化片对制造导热性电路板,近来变得通用了。实际上,印制电路板是用部分固化的(B-阶段)环氧树脂片或膜,即众所周知的半固化片加工的。半固化片在许多环氧,聚酰亚胺、氰酸脂和PTFE/玻璃纤维组成中是通用的,是为满足工业对高温稳定性、低介电常数和低热膨胀的要求而设计的。 然而,直到现在才能够提供导热的半固化片,同时对制造的PCB保持必要的电气绝缘。现在有效应用的导热的和电气绝缘的半固化片比标准FR-4半固化大10倍以上的导热率和1.5倍以上的介电强度。这些双重性质使之作为电路板组成部分之金属散热器的实际应用     

LED灯用印制板阻焊颜色一致性研究

LED产品随着像素与分辨率的不断提高,灯珠间距不断减小,PCB的阻焊面将成为显示屏产品的第一直接外观面.阻焊墨色的一致性已成为LED PCB的关键管控项目.本文研究LED板阻焊网印到表面处理的各个环节对墨色的影响,进而研究控制墨色一致性的有效方案.     

No-Flow半固化片固化过程及压合性能研究

采用差示扫描量热法(DSC)研究了no-flow半固化片的固化过程,利用全动态DSC研究了该类型半固化片内树脂体系的固化反应动力学,通过经验方程的拟合获得了固化反应的动力学参数,并建立了固化反应动力学模型,通过模型分析确定了体系的固化工艺。用恒温DSC和动态DSC结合DiBenedetto方程研究了树脂玻璃化转变温度(Tg)和固化度之间的关系,并给出Tg和时间t及温度T之间的数学关系。通过DSC、TGA、SEM等研究了不同压合条件下固化体系的Tg值以及压合可靠性。实验结果表明,固化模型能较好地描述该P片的固化过程,固化程度不同,则材料均在Tg值、耐热性,粘结强度上表现出较大差异。     

多层刚挠结合印制板湿法除胶渣研究

多层刚挠结合印制板的孔内胶渣残留问题影响到孔壁内层连接的可靠性,产品经高温焊接后,容易发生孔铜与孔壁分离,导致产品功能性失效。以多层刚挠结合印制板(十六层)为案例,对比了湿法孔内胶渣除去的几种方式及其效果,为同行作参考。     

一次压合积层法印制板制造技术

一次压合积层法是国外新开发的PCB制造技术。本文介绍了一次压合积层法的多种工艺流程和工艺特点,特别是“PALAP”和“SSP”这两个代表性的技术特点,这种新的技术将会有大的应用。     

印制板阻焊塞孔加工技术实验研究

结合电路板阻焊塞孔工艺技术产品批产化,根据生产线现有设备的实际情况,解决阻焊塞孔印制板加工过程所遇到由于过孔阻焊塞孔不良（空洞及露铜等）而导致锡珠入孔,造成的短路异常风险隐患等各种工艺难题。采用此种工艺制作技术方法均可实现阻焊塞孔印制板产品的批量在线的加工。     

双势垒量子阱薄膜压阻效应实验研究

采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了AlAs/GaAs双势垒量子阱薄膜结构。介绍了量子阱薄膜在单轴压力作用下的压阻实验,测试出薄膜在压力影响下的I-V曲线,并分析了量子阱薄膜压阻效应的成因。通过实验证实了量子阱薄膜具有较高灵敏度的压阻效应,其压阻灵敏度比目前常用的多晶硅的压阻灵敏度提高一个数量级。     

碳化硅薄膜及压阻效应研究

研究了SiC薄膜的制备及其压阻特性。利用热丝化学气相沉积(HFCVD)法在硅(111)晶面制备SiC薄膜,对制备的薄膜进行X射线衍射分析和其它测试。结果表明:SiC薄膜晶向取向一致,薄膜生长速率为3 m / h,厚度约为5 m。同时,利用高阻仪研究该薄膜的压阻特性,测得应变量()在(2~6)×104范围内,电阻的相对变化量(ΔR·R1)和压阻灵敏度因子(k)随应变量()的变化曲线。结果表明该薄膜有明显的压阻效应。