新型塑料闪烁体探测器对脉冲X射线响应的研究

射线装置产生的X射线脉冲周期长短不一,很多装置会产生短周期脉冲X射线,特别是医院X射线诊断机等。这些装置的最小脉冲宽度为ns级,能量从几到几百KeV。现有的辐射剂量计无法准确测量这种短周期脉冲X射线。因此,文章研究提出一种新的快速响应和更大探测能量的塑料闪烁体探测器针对医院X射线诊断机的检测需求,并与实际应用情况相结合,在对各种探测器进行性能分析的基础上,选用新型塑料闪烁体探测器进行脉冲X射线响应的研究。经过试验,该研究所设计的新型塑料闪烁体探测器检测系统可以较准确地测量医院X射线诊断机的短周期脉冲X射线。     

电镜硅锂X－射线能谱仪的制备及修理技术

第一套电镜Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线探测器已经制成，探测器包括灵敏面积为２０ｍｍ￣２Ｓｉ（Ｌｉ）晶体、低温场效应晶体管、光反馈前置放大器、具有７．５μ铍窗的低温装置和７．５升液氮杜瓦瓶。对￣（５５）Ｆｅ５．９ｋｅＶ射线，能量分辨率为１５２ｅＶ。此外报道ＴＲＡＣＯＲ电镜Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线探测器修理的结果，修理后能量分辨率为１４８ｅｖ，与原来的结果一样。每天正常的液氮消耗量少于１立升。     

新的用于微系统的硅微机械加工技术（上）

微机械加工按传统习惯可分为两种类型,即块体的微机械加工和表面物微机械加工。新近对块体微机械加工技术的一个改进已经引起人们密切的关注,这个改进方法就是在衬底材料顶部的几个微米内进行微机械加工。许多人也把这类技术叫做外延微机械加工。因为这种微机械加工的器件常常是在外延层上形成的,这类技术具有块体和表面两种微机械加工技术的许多优点而没有什么缺点。使用这类新技术所制造的器件结构,不仅在水平方向可以加工成所     

微硅型光机电系统集成化技术中的金属布线

针对微硅型光机电系统集成化技术中电路和金属布线与硅微各向导性深腐蚀工艺之间的不相容问题，从寻求一种电路和金属布线保护层的思想出发，提出了用ＳｉＯ２／Ｃｒ复合膜作电路和布线保护膜的新工艺方法。解决了微硅型光机电系统集成技术中长期存在的电路和布线中的关键技术。     

电镜硅锂X—射线能谱仪的制备及修理技术

第一套电镜Ｘ射线探测器已经制成，探测器包括灵敏面积为２０ｍｍ＾２Ｓｉ（Ｌｉ）晶体、低温场效应晶体管、光反馈前置放大器、具有７．５μ铍窗的低温装置和７．５升液氮杜瓦瓶。对＾５５Ｆｅ５．９ｋｅＶ射线，能量分辨率为１５２ｅｖ。此外报道ＴＲＡＣＯＲ电镜Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线探测器修理的结果，修理后能量分辨率为１４８ｅＶ，与原来的结果一样。每天正常的液氮消耗量少于１立升。     

移动X射线光刻制备等腰三角形结构的PMMA微通道

利用移动X射线光刻工艺,制备了六种不同深宽比的等腰三角形结构的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微通道。基于毛细管原理,将PMMA微通道与老鼠血液接触,对血液进行了微量采集。该PMMA微通道是中间带有凹槽结构的等腰三角形结构,凹槽结构的宽度为10μm、长度为6.7~39.4μm。将32个高度为35 mm的PMMA微通道的基板垂直插入老鼠血液样品中,通过实验测定了六种不同等腰三角形结构的PMMA微通道的接触角、表面张力及血液上升高度。结果表明,在一定范围内,PMMA微通道的深宽比越大,血液上升越容易,液体提取量也越多。对于通道横截面长度为39.4μm的微通道,样品血液在15 s时的上升高度可达到20.45 mm,达到最终30 s时上升高度的89.9%以上。     

国产电阻阵列技术的发展趋势

回顾和总结了国产电阻阵列3个发展阶段的主要技术方案、优缺点和最终结果.第一代64×64电阻阵列采用了体材料微机械加工的单晶硅薄膜微型电阻,成品率较高但与CMOS工艺不兼容、均匀性差、功耗大、占空比极低、规模小;第二代128×128和256×256电阻阵列采用了体材料微机械加工的复合薄膜微型电阻,基本解决了工艺兼容性、均...     

Si基体二维深通道微孔列阵刻蚀技术

Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现。简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6～10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0μm/min的实验样品,指出了深通道内壁存在纵向条带不均匀分布现象、成因和解决途径;重点论述了微孔深通道列阵PEC刻蚀原理和实验方法,在优化的光电化学工艺参数下,得到了方孔边长3.0μm、中心距为6.0μm、深度约为160μm的n型Si基二维深通道微孔列阵基体样品,得出了辐照光强、Si基晶向与HF的质量分数是影响样品质量的结论,指出了光电化学刻蚀工艺的优越性。     

硅太阳能电池的丝网印刷技术

简要介绍太阳能电池的生产工艺。针对背银、背铝、正银三工序的印刷工艺要求从刮刀、丝网、浆料、设备及基片5方面进行分析。     

X射线晶体光学性能光电综合测试方法

报道了一种针对X射线转换晶体光学性能综合测试的光电检测方法。从效能角度对测试装置进行优化,对系统固有的工频干扰与尖峰脉冲噪声采取了有效抑制措施。利用该装置测试了山西长城微光器材股份有限公司研制的某未知闪烁晶体的可见光光谱响应、光学转换效率、空间分辨率等性能。研究的光电综合测试方法为闪烁晶体材料的研制提供了一种性能测试借鉴。     

A Large Area Flexible Array Sensors Using Screen Printing Technology

A flexible electronics sensor for large area sensing was developed using a screen printing technology with the thixotropy sol-gel materials to form the microstructure patterns on two polyimide (PI) sheets. A flexible sensor is 150$times$150 mm$^{2}$, including posts, resistances, bumps, and electrode traces. The space between the top electrode and the resistance layer provided a buffer distance for large bending. Experimental results show that array microstructures have good morphological profiles at a screen speed of 10 mm/s, a squeegee pressure of 213 kPa, and a separation speed of 0.4 mm/s using the print–print mode. A membrane with a bump protrusion had a large displacement and a quick sensitive response because the bump provided a concentrated force of von Mises stress on the membrane center. For printing thick structures, diffusion effects and dimensional shrinkages can be reduced when a paste material with a higher viscosity is used. The results exhibit a potential for using in the flexible sensing and higher temperatures. In additional, the fabrication is the low cost and potential higher throughput in flexible electronics applications.      

直接转换X光数字传感器的高占空比TFT阵列

本文介绍一种用于直接转换X光传感器的、尺寸为14in×8.5in、象素数为1536×2560的TFT阵列的制造及工作原理.讨论了高占空比AM LCD中的TFT矩阵在工艺及设计方面的类似性,它采用了一种低κ值的互连-隔离(inter-level)绝缘层以改善其特性.     

应用于大功率激光二极管列阵的单片集成微通道制冷热沉

介绍了一种应用于大功率激光二极管列阵的新型单片集成微通道制冷热沉.这种热沉已制造并经过测试.10叠层的激光二极管列阵的热阻为0.121℃/W.相邻两个激光条的间距是1.17mm.在20%高占空比条件下,波长为808nm左右,峰值功率可以达到611W.     

AIN Monolithic Microchannel Cooled Heatsink for High Power Laser Diode Array

介绍了一种应用于大功率激光二极管列阵的新型单片集成微通道制冷热沉．这种热沉已制造并经过测试．10叠层的激光二极管列阵的热阻为0.121℃/W．相邻两个激光条的间距是1.17mm．在20%高占空比条件下，波长为808nm左右，峰值功率可以达到611W．     

A Practical Implementation of Silicon Microchannel Coolers for High Power Chips

This paper describes a practical implementation of a single-phase Si microchannel cooler designed for cooling very high power chips such as microprocessors. Through the use of multiple heat exchanger zones and optimized cooler fin designs, a unit thermal resistance 10.5 C-mm² /W from the cooler surface to the inlet water was demonstrated with a fluid pressure drop of <35kPa. Further, cooling of a thermal test chip with a microchannel cooler bonded to it packaged in a single chip module was also demonstrated for a chip power density greater than 300W/cm². Coolers of this design should be able to cool chips with average power densities of 400W/cm² or more     

小动物PET成像用LYSO闪烁晶体阵列研究

小动物正电子发射断层技术(PET)成像较人体PET成像,对空间分辨率和灵敏度提出了更高的要求,进而促进了小动物PET用闪烁阵列制备工艺的发展。硅酸钇镥(LYSO)晶体具有高密度,高有效原子系数,响应时间短等优点,是一种极具发展潜力的新型闪烁晶体材料。该文提出一种以LYSO闪烁晶体阵列的制作方法,采用提拉法实现大尺寸闪烁晶体LYSO的生长;运用化学机械抛光法对切割后晶条进行全局平坦化抛光处理;利用自制高精度夹具组装单根晶条至阵列形式,最终制作成可应用于小动物PET的LYSO闪烁晶体阵列。     

硅微透镜阵列的制备工艺

开发了一种和MEMS工艺兼容的基于硅微加工技术的简易硅微透镜阵列制造技术。利用光刻胶热熔法和等离子体刻蚀法相结合的方法,实现了在硅晶圆上制作不同尺寸的硅微透镜阵列的工艺过程。实验中,对透镜制作过程中的热熔工艺、刻蚀工艺进行了深入的研究。最终确定了最优的工艺参数,制备了孔径在20~90μm、表面质量高的硅微透镜阵列。