霍尔电流电压传感器模块的性能及应用

近年来,新一代功率半导体器件进入电力电子领域后,交流变频调速逆变装置、开关电源等日渐普及,原有的电流检测元件已不适应中、高频、高di/dt电流波形的传递检测。霍尔电流传感器模块是近几年发展起来的测量、控制电流的新一代工业用传感器,是弥补这一空缺的高性能电流     

辐射对GaAs霍尔器件电磁参数的影响

为了深入揭示γ和β射线辐照对GaAs霍尔器件的影响规律,在无源、无磁场作用时的辐照研究基础上,又用低剂量率γ和β射线对恒流激励、无磁场和有确定磁场作用的器件进行非永久辐照,考察了输入端电阻及霍尔输出电压的变化.结果表明,无磁场作用时,γ和β射线辐照均导致器件输入端电阻增加,而且与辐照时间近似成正比;有确定磁场作用时,输入端电阻与霍尔输出电压也因辐照发生变化,但与辐照时间没有确定关系,而且变化量较小.所有变化均不因辐照停止而消失,反应了常温退火过程对辐射损伤的不可恢复性.上述结果不仅从一定程度上证实了辐射损伤理论,而且对相应的辐射防护研究具有重要的参考价值.     

霍尔效应和霍尔传感器的教学方法研究

磁电效应(电磁感应、霍尔效应、磁致电阻效应)是磁场与物质之间的重要的物理效应。只有深入理解电磁学原理,才能进一步学好霍尔传感器。本文针对现有教材状况,强调从理解电磁学中带电粒子在磁场、电场中的运动规律开始,进而深入学习霍尔效应和霍尔传感器。本文还介绍了用形象生动的教学方法,使学生扎实牢固地掌握该知识。     

InGaP/GaAs HBT器件研究中的几个重要问题

本文分析了InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)微波器件研制中的一些重要问题,优化了发射结阻挡层厚度,解决离子注入实现器件隔离的问题,设计制备出发射极尺寸为(3μm×40μm)×3的HBT单管,并进行了测试。     

GaAs基高效多结太阳电池研究进展

随着半导体太阳电池制备工艺的发展,基于GaAs的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体电池光电转换效率不断提高,是目前世界上最具竞争力的新一代太阳电池,成为空间太阳电池领域的研究热点。文章详细评述了GaAs基系双结、三结及三结以上太阳电池的研究历程与最新技术发展现状,并对它的发展前景进行了展望。     

有精准偏置电压输出的霍尔电流传感器

通过介绍开环式霍尔电流传感器的工作原理,在此基础上提出了一种可以输出精准直流偏置电压的直流霍尔电流传感器电路,并通过试验进行了验证.     

一种外磁场自抑制霍尔电流传感器

本文分析了几种外磁场自抑制技术,设计了一种外磁场自抑制霍尔电流传感器。研制的传感器在80Gs磁场下,零点输出变化在0.6%FS以内,传感器抗磁场干扰能力大大提高。     

一种单片集成高精度霍尔传感器的驱动电路

基于0.18 μm BCD工艺,设计并实现了一种片上集成高精度霍尔传感器的驱动电路。该驱动电路利用片上霍尔传感器将磁信号转换成电信号,采用内部放大、失调消除和逻辑控制等技术实现了100 kHz输出频率、83%占空比的PWM驱动信号。该驱动电路的抗干扰能力较强,检测精度高,最低的磁场检测强度达到3.5 mT。     

GaAs MISHFET的研制

本文介绍一种有别于GaAs MESFET又相似于HEMT结构的器件。采用MBE技术生长i-GaAs/i-GaAlAs/i-GaAs结构,用溅射技术淀积WSi_x,用自对准离子注入形成源-漏区来制备MISHFET。这是一种具有二维电子气的异质结场效应器件。栅电极尺寸为4μm×40μm,测量到的开启电压为+1.4V,跨导为20—25mS/mm,还给出了低温测量结果。     

轨道用霍尔传感器的应用

介绍了将霍尔传感器用做轨道接近开关的结构、磁路和电路设计方法.该传感器采用铁轨安装方式,用霍尔元件作为敏感元件,将霍尔元件固定于磁路中,通过检测元件输出信号变化,判断列车经过及车厢的位置.该传感器可用来检测由低速到高速运行的列车.     

光纤形态传感器研究进展

光纤形态传感技术是解决柔性体形态测量、光电缆实时形态跟踪、医疗介入针轨迹实时跟踪等3D形态恢复问题的创新型技术方案。光纤形态传感技术以光纤作为敏感元件,传感器具有结构简单、易于嵌入安装、测量不需要视觉接触、耐腐蚀,以及抗电磁干扰等优点,适用于水下、地下等复杂环境中的大尺度结构形态测量。近年来,光纤形态传感器受到了越来越多的关注,文章综述了光纤形态传感技术的最新研究进展,以一维曲率传感器、全向型曲率传感器和空间形态传感器为线索,介绍了各阶段传感器的研究现状以及面临的挑战。     

开关型CMOS霍尔传感器的设计

利用CMOS工艺制作的霍尔传感器一般失调电压较大。为了抑制霍尔传感器的失调电压,文中提出一种正交耦合旋转电流技术,利用开关改变失调电压的极性,经过采样相加抑制霍尔元件的失调电压,同时利用相关双采样技术降低电路失调电压。采用Cadence工具对电路进行仿真验证,3.3 V的供电电压下,平均失调电压为550 μV。结果表明,电路有效降低了霍尔传感器的失调电压。     

基于PZT的压电触觉传感器的研究进展

锆钛酸铅(PZT)具有灵敏度高,响应速度快及压电常数大等优点,已被广泛应用于触觉传感器及超声换能器等领域。该文首先对基于PZT的触觉传感器的原理及制作工艺进行了阐述,再从材料优化、结构优化、柔弹性优化和可扩展性优化4个方面概述了PZT触觉传感器的研究进展,讨论了其在运动检测、医疗健康和人机交互领域的实际应用,最后对PZT触觉传感器的不足和未来发展趋势进行了分析。     

光纤气体传感网络的研究进展

光纤传感网络是一种重要的传感网络。将国内外现有光纤气体传感器网络的多址技术归纳为:频分多址、时分多址、波分多址和码分多址等四类。前两类受铌酸锂调制器的消光比及偏振相关性能的制约,且存在无法多点同时监测、系统损耗较大等缺陷。采用波分多址技术的网络,其损耗及监测点间串扰均较小,但受到待测气体吸收峰位置和强度等因素制约,且成本较高。采用光码分多址技术的传感网络,可同时检测位置与浓度信息。该网络采用环行器代替耦合器降低损耗,还可利用全光缓存技术数十倍增加气室有效长度。此类网络将成为气体传感网络发展的重要方向之一。     

多媒体传感器网络及其研究进展

近些年来,监测环境越来越复杂,且极为多变,在这种情况下,必须将信息量大且内容丰富的各种媒体(视频、音频、图像等)引进到以传感器网络为基础环境监测活动中,以便对环境进行全面、详细的监测。而多媒体传感器网络,作为一种新技术,已经引起了社会各界的注意,其在环境监测方面,也可发挥极为重大且现实的意义。鉴于此,文章将对多媒体传感器网络的概念及其特点进行阐述,且对其研究进展进行简要说明,以加深对该技术的认识。     

MEMS微波功率传感器的研究与进展

介绍MEMS微波功率传感器的研究与发展,包括自加热式、间接加热式、插入式和电容式微波功率传感器.文中以共面波导(CPW)、负载电阻和热堆作为微波功率传感器的基本单元,对这些基本单元分别作了分析,并给出了这些基本单元和总体结构的性能指标,同时介绍了Si和G以s衬底上制备微波功率传感器的主要工艺.     

霍尔传感器及其性能优化

霍尔效应是一种发现、研究和应用都很早的磁电效应.霍尔效应的研究在当今已取得了许多突破性的进展,在科学技术的许多领域都有着广泛的应用.阐述了霍尔传感器的基本工作原理及应用,讨论了霍尔传感器的灵敏度、失调电压、信噪比等重要性能参数,通过研究霍尔片形状和结构对霍尔效应的影响,提出了一些性能优化方法.     

有限流保护功能的霍尔电流传感器

简单介绍了闭环式霍尔电流传感器的工作原理,在其基础上提出了一种限流保护电路,使得霍尔电流传感器原边电流过载时输出电流钳位,保障其满足3倍甚至更高倍过载要求,并通过了试验验证.