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考虑了Burstein-Moss效应等因素,得到了光伏探测器的性能公式。 相似文献
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光伏型探测器的优点在于功耗低,较易与电荷耦合器件(CCD)互连,而且有可能作为大型焦平面以及宽频带应用。除此之外,光伏型探测器要比光导型探测器有较高的探测度,光导器件只有在少数载流子扫出的情况下才能达到与光伏型器件相同的探测度。因此,制备碲镉汞的P-N结受到很大重视。公开报导的结果有汞和铟的扩散结,质子轰击和离子注入。使用成功的离子种类有汞、铝和硼。在这项研究中,我们尝试研究了多种元素的掺杂特性。因为研究了10种元素,故所得 相似文献
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采用离子注入法做光伏器件,需要空穴浓度在2～6×10~(16)cm~(-3)甚至更低的P型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料,所以要求准确测定弱P型材料的空穴浓度。由于Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te中电子的迁移率比空穴的迁移率高得多,对空穴浓度低于4×10_(16)cm~(-3)的样品,温度接近77K时出现明显的混合导电,给空穴浓度的确定带来了困难。近年来对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Tb吸收边以下的 相似文献
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本文用透射电子显微镜研究了经氩离子束磨削过的Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te的缺陷结构。当磨削束流密度为600μAcm~(-2)时,会产生高密度的小位错坑。这些位错坑具有巴尔格矢量为1/2 o〈110〉的棱边取向和具有填隙性质。这些位错位于磨削表面下大约50nm的窄带内,比氩离子射程大一个数量级。于是认为以级联形式出现的填隙就从较热表面区域扩散到样品体内。由于该材料中的快速扩散,填隙浓度梯度很小,于是在较冷的深层区域的过饱和填隙要超过该表面的填隙,因而这个深度利于成核。也观察到了在室温下储藏一时期后,这些位错坑有收缩现象,表明了在这种材料中的快速扩散。 相似文献
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《红外与激光工程》1976,(3)
本文报导Hg~ 离子注入Hg_(1-x)Cd_xTe 光伏探测器最新的一些结果。经过挑选的二极管,在77°K 和降低背景条件下(即视场角=60°),测得3.7、8和10.1微米处峰值探测率分别等于2.8×10~(11),5.9×10~(10)和4×10~(10)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1),而量子效率均超过90%。1.2×10~(-3)厘米~2的探测器,在5微米处观察到零偏压电阻与面积的乘积高于10~4欧·厘米~2,在9.5微米处高于24欧·厘米~2。电容—电压测量指出,结是突变的,在强的反向偏压下出现反常效应。面积为3×10~(-4)厘米~2的二极管,响应时问是1毫微秒。 相似文献
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用Sb~ 离子注入制备了p型Pb_(1-x) Hg_x Te p-n结光伏探测器。在295K时,用布里奇曼法生长的Pb_(0.97)Hg_(0.03)Te晶体的比电阻为0.01欧·厘米。研究了在77K和295K时的电流-电压特性和光谱响应。在77K时,表面为7.8×10~(-3)厘米~2的二极管的零偏压电阻面积乘积为228欧·厘米~2。在295K时,峰值探测度是在3.2微米处,截止波长在～3.9微米。在77K,视场为30°,背景为295K时,出现在4.95微米处的峰值探测度为1.14×10~(11)厘米赫~(1/2)瓦~(-1)。峰值量子效率约为30％,截止波长为～5.4微米。 相似文献
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本文研究离子辐照损伤对Hg_(0.79)Cd_(0.21)Te电性能的影响。在离子能量为150千电子伏、剂量为1×10~(15)离子/厘米~2时,在77K下出现损伤引起的较大n型电导率,薄层载流子浓度约为10~(14)厘米~2,薄层电阻达10欧/方。所观察到的n型电导率是由各种注入离子(不论它们是施主还是受主)产生的。在经受高达120℃的温度时,注入n型层仍然保持其特性。这种适度的处理对损伤起轻微的退火作用,使电导率稍有增加,薄层电子浓度降低,有效迁移率增加。结果还表明,注入层可用于n型光导体的表面钝化并与n型材料形成欧姆接触。 相似文献
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本文报道了利用单片工艺和特殊的镶嵌技术,获得了20元HgCdTe光导探测器列阵,并给出探测器列阵性能以及工艺中所需注意的问题。 相似文献
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将掺磷的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te单晶样品放在不同汞分压中,使其在450℃到600℃温度范围内退火。待样品冷却到室温后测量霍耳效应和迁移率,发现所有样品均为p型,其空穴浓度远小于晶体中磷的总浓度。空穴浓度也随着汞分压的增加而增加,这和在不掺杂晶体中观察出的现象不大相同。同时,在低汞压下,掺杂样品中,空穴浓度比不掺杂晶体中空穴浓度小。在77K时掺杂样品中的空穴迁移率接近于非掺杂样品中的空穴迁移率。这些结果表明磷在Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te(s)中呈现两重性,在高汞压下磷占据了填隙和碲的晶格点位置而呈现为一价的受主,在中低汞压下磷占据汞的晶格点而表现为一价的施主,由于填隙和代位的磷结合形成配对,因而大多数的磷似乎是以电中性对的形式存在。在低汞压情况下大部分磷似乎是以代位磷和汞空位形成的带正的和负的电荷对出现。本文计算了各类磷结合方式的热力学常数,满意地解释了这些实验结果。 相似文献
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在n型Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te上已成功地制备了电极长10微米的8位CCD移位寄存器,这种器件在77至140K之间工作。在77K、1至100千赫时钟频率四相工作的条件下,得到了0.996电荷转移频率。在第一相位的势阱工作时,在隧道击穿限以外给输入栅加一个脉冲而产生输入信号,用浮置栅检测信号,然后进行相关双重取样,信号的大小符合推算值。 相似文献
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我们对Cd_(0.21)Hg_(0.79)Te晶体中的g—r噪声进行了研究,对补偿过的和未经补偿的n型样品和P型样品进行了测量。研究结果表明,窄禁带Cd_(0.21)Hg_(0.79)Te半导体中的噪声源与CMT材料的导电类型、补偿程度以及温度有关。在n型未补偿样品的本征区域以及非本征区域内,g—r噪声是由带间的跃迁决定的。在n型补偿样品的非本征区域和P型样品内,g—r噪声是由杂质能级与能带间的跃迁引起的。 相似文献
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介绍一种新的测量半导体光生栽流子寿命的非接触光学调制技术。这种技术包括测量直流探测光束((?)ω相似文献
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在77K时对150keV的B~+注入p型HgCdTe进行微分霍尔测量表明:以不同剂量的B~+注入后所形成的n~+层是很明显的。n~+层的厚度取决于B~+的注入剂量,当剂量超过1×10~(13)cm~(-2)时,晶片载流子浓度趋于饱和。 相似文献
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褚君浩 《红外与毫米波学报》1983,2(2)
本文描述在80K到300K温度范围,利用PE580B型红外分光光度计测量厚度为6.5μm的Hg_(0.656)Cd_(0.344)Te薄样品的本征吸收光谱。测得最高吸收系数达10~4cm~(-1)。由吸收曲线确定了该样品在不同温度下的禁带宽度以及吸收边所符合的规律,与参考文献[3]的经验公式一致。本文还利用Kane模型计算了吸收系数的理论曲线,取动量矩阵元P=8×10~(-8)eV-cm,重空穴有效质量m_(hh)=0.55m_0时,理论曲线与实验曲线符合较好。但Kane理论不能解释吸收边。根据指数吸收边可以推测,在导带底存在一个指数型带尾。 相似文献
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在表面形成一层宽带隙外延层,可以减少Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te光电二极管的表面漏电流。在CdTe衬底上,液相外延由p-Cd_xHg_(1-x)Te(x>0.2)/p-Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te组成双层Cd Hg Te外延层。77K下,经范德堡霍尔测试,得到空穴载流子浓度和迁移率分别为9×10~(15)cm~(-3)和6×10~2cm~2V~(-1)s~(-1)。首先去除p-Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te上面直径为100μm的宽带隙层,然后再向p-Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te中扩铟而形成p-n结。77K下,有宽带隙层和无宽带隙层光电二极管的R_0A乘积分别为9.1Ωcm~2(λ_c=11μm)和2.0Ωcm~2(λ_c=10μm),这就证实了宽带隙层钝化层起到了减少表面漏电流的作用。 相似文献
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用激光蒸发淀积在130℃于(111)A CdTe衬底上生长了n型Hg_0.7Cd_0.3Te外延层。在77K温度下迁移率和载流子浓度分别为4000～7OOOcm~2/Vs和0.7～3×10~16cm~-3。在410℃退火后薄膜可转为P型。已试制注入n~ /P光电二极管。 相似文献
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为前视红外系统发展了200元光导阵列。制作这种阵列时,要严格控制晶体生长过程中的热流,掺铟控制裁流子浓度。由50元的片子拼接而成。77K 时这个阵列的探测率均匀,D~*平均值(12微米,1000,1)为3.2×10~(10)厘米·赫~(1/2)瓦~(-1)(视场50°)。 相似文献