GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针,对GaAs单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选,测得芯片频率响应带宽为3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪.检测了GaAs单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形.     

GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .     

用于紫外激光脉冲电光开关的驱动脉冲源

利用雪崩晶体管作为高速开关器件、根据并联充电、串联放电原理设计了一种串并联相结合的MARX电路,以该电路为基础设计了一种低抖动高压脉冲驱动源,并将其应用于紫外激光脉冲的电光开关削波系统。通过同步调节器调节高压驱动脉冲和激光电光系统的时间匹配度,获得了驱动电脉冲与电光开关耦合的最佳工作状态;对匹配过程中的电光开关工作状态以及激光脉冲压缩过程进行了分析和研究,当高压驱动电脉冲幅度为2 690 V,脉宽为7.9 ns时,可以将脉宽为7.1 ns的紫外激光脉冲压缩至2.1 ns,KDP晶体的透光率达到了92.2%,电光开关的效率达到了31.7%。     

具有高速传输功能的数据采集板的设计

本文所设计的是具有高速传输功能的数据采集板,其中AD内部集成了带通滤波器,提高了AD性能又简化了采集部分前端的电路设计。为达到提高系统信息传输带宽,改善信息传输质量的目的,高速并/串转换单元采用Agilent的高速串/并转换芯片HDMP-2634实现高速数字信息的串行化、解串行化,光发射/接收模块实现了信息的电光、光电转换,并使用光纤作为信息传输的介质进行高速信息传输,带宽可达到2.5Gb/s以上。信息传输的质量以及环境适应性都得到了很大的改善。文中详细地阐述了系统的设计思想,功能模块的划分以及各个模块的具体实现,并且给出了部分仿真结果和系统的测试结果,达到了预期的设计目的。     

RT-106型BDN染料膜片Q开关用于YAG激光器的实验研究

一、前言随着激光测距仪的日益广泛的应用,对激光测距仪的小型化提出越来越高的要求。目前,激光测距仪的小型化已达到相当高的水平,激光测距仪的小型化的重要措施之一,就是使用被动的染料膜片Q开关,用一张厚度小于0.2mm的小小膜片可以取代电光开关中的克尔盒或普克尔盒、转镜开关中的高速马达和转镜。染料膜片Q开关本身不需要电源、电光装置和控制线路,因而避免了高速马达、高压脉冲对其他电子线路的干扰。特别是Q开关能在激光物质增益达到极大时,迅速、准确地“接     

固体激光高重复率电光Q开关研究

对光学晶体的电光效应进行了深入地分析,应用谐振腔原理研制出折叠循环腔式高重复率电光开关.在电光晶体上施加小振幅的调制电压,可获得高重复率窄脉冲光信号,调制频率可达到60～100 MHz.这种电光开关可应用于电光Q开关、电光调制器、计数器等.     

微波扫描移相器在电光采样系统中的应用

介绍了一种可用于电光采要系统的微波扫描移相器，其线性度≤１．４％，插入损耗≤４．０５ｄＢ。用此移相器组成的电光采样测试系统测量了高速门电路波形，并讨论了扫描时间的定方法。     

倍频移相扫描法电光采样测量

分析了倍频移相扫描法的工作原理，介绍了用倍频移相扫描法构成的电光采样测量系统．测量了高速ＧａＡｓ动态分频器集成电路芯片，并给出分频关系波形的测量结果．     

用于高速GaAs IC在片检测的电光取样系统

目前直接电光取样技术是在片检测砷化镓高速集成电路内部动态特性的最好方法。我们建立了半导体激光器电光取样系统，测试了梳状信号发生器输出的４３．７ｐｓ的电脉冲信号以及频率５ＧＨｚ的微波信号，并测试了频率３ＧＨｚ的微波信号的位相移动或时间延迟以及铁氧体微波移相器的静态特性曲线，这个系统将被应用于砷化镓高速集成电路内部动态特性在片检测。     

La3Ga5SiO14晶体电光Q开关的研究

模拟旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的工作状态．建立了研究旋光晶体电光效应的实验装置。通过对旋光晶体在正交偏光和平行偏光干涉实验中干涉现象的研究，得到了旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的最佳构图，并将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14成功地制作成了电光Q开关。     

铁电液晶单池的制备与电光开关特性研究

采用改进的高分子膜摩擦法实现表面稳定模式铁电液晶的双稳电光开关特性，并对ＳＳＦＬＣ单池的特性进行了测试，对比度大于１４０，响应时间达１００μＳ。     

高重复频率电光调Q全固态激光器研究进展

高重复频率窄脉宽全固态激光器在激光加工领域以及空间激光通信、激光雷达、激光测距等空间应用领域都具有巨大的市场需求和广阔的应用前景.利用电光调Q方式可以获得窄脉宽、大能量激光脉冲输出,且具有良好的稳定性.近年来,随着新型电光晶体的出现,电光调Q开关的工作重复频率得到了显著的提高.主要综述高重复频率电光调Q全固态激光器在高速Q开关性能及激光输出方面的研究进展,并简要报道了研究小组在该研究领域取得的最新实验结果.     

高速电光调Q开关驱动电源的设计

更快的调Q开关速度以进一步提高峰值功率并压缩脉宽将会使电光调Q技术在激光打孔、划片、雕刻和测距等领域得到更广泛的的应用.设计了一种新型的高速电光调Q开关驱动电源,包括高压电源、高速开关电路、触发电路和控制电路等,该驱动电源具有体积小、功耗低和工作寿命长等优点.经实验,下降沿在20ns以下,高压在2KV至5KV可调,重复频率可达10KHz.     

基于电光开关的高功率准分子激光MOPA系统ASE抑制

高功率准分子激光系统中的放大自发辐射(ASE)会引起主脉冲信号对比度下降,从而导致放大过程中激光脉冲信号对比度下降以及波形展宽和畸变,影响精密物理实验的开展。基于电光开关产生短脉冲的原理,对紫外波段电光开关进行了研究,建立了一种抑制准分子激光放大链ASE的方法。在对主振荡功率放大(MOPA)系统第一级预放大器的削波实验中,单电光开关和双电光开关消光比分别达到了103和104量级,削波后的激光脉冲信号对比度由原来的几十倍分别提高到105和106量级。在单路MOPA系统放大实验中,采用级联双电光开关进行了系统的ASE控制,并最终在靶面获得了良好的窄脉宽放大激光脉冲,为高功率准分子激光系统中波形放大问题提供了一个有效的解决方案。     

高性能976 nm宽条半导体激光芯片

设计并制作了波长为976nm的宽条大功率半导体激光芯片。采用非对称宽波导外延结构设计及金属有机化学气相外延技术生长了低损耗、高效率的外延材料。制备了190μm发光区宽度、4mm腔长、976nm波长的半导体激光芯片,并将其封装为COS器件。测试结果表明:封装器件在室温下的阈值电流为1.05 A,斜率效率为1.12 W/A,最高电光转换效率可达到68.5%;在40℃、19.5 W功率输出时的电光转换效率可以达到60%;9个器件在40℃和15A电流下老化4740h后,无一失效,而且老化前后的功率-电流曲线和光谱没有变化,证明该激光芯片具极高的稳定性和可靠性。     

电光Q开关

利用电光效应实现的Q开关叫电光Q开关。将一起偏器和普克尔盒(或克尔盒)放在激活介质与全反射镜之间,在普克尔盒上加上一个适当的偏置电压,它使透过的光的偏振面转动45°,当反射镜将这光反射而再次通过普克尔盒时,偏振面又转动45°,这时光就不能通过起偏器,所以腔内Q值很低,当普克尔盒的偏置电压被高速切断时,腔内Q值突然上升就产生巨脉冲激光输出。电光开关必须与泵浦同步。电光开关速度高,开关时刻可精确控制,但开关性能受电光晶体的品种和质量影响很大。     

基于高速SerDes接口芯片的ATE测试板设计

随着通信技术的飞速发展，高速串行互连以其结构简单、不需要传输同步时钟和相比并行传输具有更高数据传输效率等优点而成为了现代通信和数据传输的重要组成部分。随着对数据传输速率要求的不断提高，串化器/解串器（SerDes）接口应运而生。作为高速串行通信的重要组成部分，对其芯片的研究和设计一直是一个热点。主要从基本原理和测试需求2个方面入手，研究分析了高速SerDes接口芯片的测试方案和ATE测试板设计方法。介绍了高速SerDes接口芯片的基本工作原理、回环功能测试和关键测试参数。并从叠层结构、走线规则和板材选取3个方向阐述了ATE测试板的设计方法。     

32×32 Benes光交换芯片的串扰性能评估

光交换芯片作为下一代全光通信网络的核心器件,其串扰性能严重影响着光交换节点的容量.为了评估光交换芯片对通信系统的劣化程度影响,基于硅基马赫-曾德尔干涉仪电光开关,构建了 32×32 Benes结构的光交换集成芯片的仿真模型,分析了光交换芯片串扰与光开关单元串扰之间的关系,研究了光交换芯片对光纤通信系统的影响.仿真结果表...     

硅基光波导及光波导开关的研究进展

ＳｉＯ２ 光波导、重掺杂光波导、ＳＯＩ光波导、合金光波导及聚合物光波导等低损耗硅基光波导的研究已取得了很大的进展,随着这些波导的硅基光开关不断研制出来,各种光开关结构也不断提出来了。为了解决硅的线性电光系数为零的问题,采用了多种方法,以获得强的线性电光效应,实现高速光开关。文章回顾了近十年来硅基光波导及光开关的研究进展。     

3WDSPl00高速链路口模块的设到

本文介绍了BWDSPl00芯片的高速互联接口——链路口的实现方法，功能验证结果表明，模块功能覆盖率和代码覆盖率均达到100％，符合设计要求。同时给出了流片后BWDSPl00芯片和FPGA链路口互联测试结果，结果表明300MHz下模块功能正确且传输稳定可靠。