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文章介绍了一种CMOS双路输出低压差电源。电路设计中,采用E/DNMOS基准,用PMOS管作调整管;电路实现采用1.5μm硅栅自对准E/DCMOS工艺。该低压差电源可提供输出电流为1A的3.3V固定输出(压差为0.6V)和1A可调输出,并具有短路保护和过压保护等功能。 相似文献
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介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计,内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模块电路。重点介绍了采用总剂量、中子效应的器件参数变化预估方法进行仿真验证。芯片采用0.6 ?m BiCMOS工艺制造,测试验证结果表明,产品在满足使用要求的同时,具备抗电离总剂量3×103 Gy(Si)、抗中子注量0.6×1014 n?cm-2的性能,适用于核辐射环境。辐射测试结果证明了设计的正确性。 相似文献
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本文提出了一种带有动态缓冲器的宽电源范围低压差线性稳压器(LDO)。该LDO使用0.18μm BCD工艺成功流片并测试,总面积为850μm×1090μm。耐高压的LDMOS用于承受每条路径上的大部分电压,以满足宽电源范围的要求。缓冲器中使用动态电流偏置来降低其输出电阻,从而将传输器件栅极处的极点推至高频,并且不会耗散大的静态电流。本文的LDO在空载情况下消耗16μA静态电流,能在5.5V-40V的宽电源范围内正常工作,典型输出电压为5V,并且在5.5V供电,低压差的情况下能提供70m A负载电流。 相似文献
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一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源 总被引:3,自引:0,他引:3
通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发,获取负温系数电压,实现负温系数电流获取新方法,发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消,从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0.35μm CMOS工艺模型。Ca-dence Hspice模拟验证结果表明,在-40~85℃温度范围内,温度系数为6.9 ppm/℃;3.0~3.6 V电压区间,电源电压调整率系10.6 ppm/V,低于目前文献报道的基准电流源相应指标。该新方案已经用于10位100 MSPS A/D转换器的研究设计,并可望应用于高精度模拟/混合信号系统的开发。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2016,(3)
设计了一种应用于射频功放的负压低压差线性稳压器。通过设计负压带隙基准源,以及采用预稳压模块,有效地降低了电源电压对负压LDO输出电压的影响;通过优化控制环路中的功率管尺寸、误差放大器以及电阻反馈网络等措施,在保证大电流输出的前提下,有效地降低了负压LDO的压差,提高了稳压器的整体性能。采用CSMC 0.5μm CMOS工艺进行设计并实现,测试结果表明,当输出电流为500mA,输出电压为-3V时,压差仅为170mV。 相似文献
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提出了LDO,其基于缓慢滚降式频率补偿方法,通过在电路中引入三个极零对(极零对的产生没有增加静态功耗),不仅克服了常规LDO不能使用低等效串联电阻、低成本陶瓷输出电容的缺点,而且确保了系统在整个负载和输入电压变化范围内稳定工作。由于LDO通常给高性能模拟电路供电,因此其输出电压精度至关重要; 而该补偿方法能满足高环路增益、高单位增益带宽的设计要求,从而大幅提高LDO的精度,该LDO基于0.5μm CMOS工艺实现,后仿结果表明,即使在低压满负载条件下,其开环DC增益仍高于70dB,满载时单位增益带宽可达3MHz,线性调整率和负载调整率分别为27μV/V和3.78μV/mA,过冲和欠冲电压均小于30mV,负载电流为150mA时的漏失电压(dropout电压)仅为120mV。 相似文献
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设计了一种新颖的LDO线性稳压器.该LDO工作于负电源,具有微功耗、自身固定-5 V输出、外接反馈电阻可实现可调输出等特点.基于0.6 μm SOI CMOS工艺进行流片.测试结果表明,该电路输入电源电压VIN为-2~-18 V,可调输出电压为-1.3 V~VIN+0.5 V@Iour=15mA.该LDO功耗低,室温下空载静态电流约4.8μA,并且几乎不随VIN变化.内部带隙电压基准采用β二阶补偿,结构简单,温度系数为1.28×10-5/℃.线性调整率为0.015%,负载调整率为0.85 Ω. 相似文献
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基于镜像结构,设计了一种改进型片上集成线性稳压器。在NMOS源跟随器结构的后级单元中增加了低增益反馈回路,不仅继承了常规镜像结构良好的负载瞬态响应性能,而且获得了低的负载调整率。仿真结果表明,相比于常规镜像结构的线性稳压器,改进型线性稳压器的负载调整率降低了26.14%,静态电流为9.8 μA,电源抑制比达到72.82 dB。该线性稳压器可在10 μs内实现0.1~100 mA脉冲信号变化的快速响应,且过冲电压和欠冲电压均小于100 mV。 相似文献
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设计并实现了一种最大输出电流为500mA的超低压差的单片CMOS电压调整器,对其电路结构及工作原理进行了分析并给出各子电路模块的设计.提出了一种新的内置频率补偿技术,可实现外接低ESR(串联等效电阻)的输出电容,极大地降低成本和改善瞬态响应,实现了精确的过流保护.采用Vanguard 0.5μm CMOS混合信号工艺进行流片验证,测试结果表明输出压差的典型值为100mV,工作电压范围2.5~7v,电流从10mA到500mA跳变时瞬态最大过冲电压为50mV,转换时间小于1μs. 相似文献
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论文主要介绍一种用于DC/DC电源芯片内部LDO电路,电路采用双极工艺设计,主要为芯片内部提供稳定电压,同时也可以向外部输出。首先论述了线性稳压电源的基本原理,以此为基础对系统设计进行整体考虑,构建了系统整体架构,并制定了电路的设计指标。然后,利用小信号分析的方法对系统稳定性进行了分析讨论,根据系统稳定性原理,采用电容反馈补偿措施以确保系统稳定可靠。最后,借助CadenceSpectre仿真软件完成仿真验证。实验结果表明,该系统在正常工作时,能得到9V和6V两种稳定的输出电压。 相似文献
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低静态电流低压降CMOS线性稳压器 总被引:3,自引:1,他引:3
设计了一种100 mA低静态电流、低压降CMOS线性稳压器.通过使用与一般线性稳压器相类似的频率补偿方法,这种低压差线性稳压器获得了低静态电流,很好的电源调整率和负载调整率,以及很高的PSRR值.在0.5 μm工艺下的仿真结果表明,其消耗的静态电流只有5 μA,电源调整率和负载调整率分别为0.02 mV/V和0.002 mV/mA;在100 Hz时,其PSRR值为-90 dB,负载电容只有100 pF,可以很容易地集成到电路中. 相似文献
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