BG－101J分步光刻机检测记录（二）倍率误差检测

ＢＧ－１０１Ｊ分步光刻机检测记录（二）倍率误差检测一、工艺过程及条件前烘温度：９０℃光刻胶：ＫＴＩ８２０曝光当量：１２００显影温度：２０．５℃机器温度：２０℃±０．２℃气压前烘时间：２０分钟胶厚：１．２μｍ显影时间：４５ｓ日期：９４．１２．９湿度：４...     

BG－101J分步光刻机检测记录（六）套刻精度检测

ＢＧ－１０１Ｊ分步光刻机检测记录（六）套刻精度检测一、工艺过程及条件衬底材料：铝显影温度：２０．５℃机器温度：２０℃±０．２℃气压：显影时间：４５ｓ日期：９４．１２．９湿度：４８％测试人：孙家彬二、检测版名称ＧＣＡ万能游标测试版三、观察显微镜型号：Ｌ...     

BG－101J分步光刻机检测记录（五）重复精度检测

ＢＧ－１０１Ｊ分步光刻机检测记录（五）重复精度检测一、工艺过程及条件衬底材料：ＳｉＯ＿２显影温度：２０．５℃机器温度：２０℃±０．２℃显影时间：４５ｓ日期：９４．１２．９湿度：４８％气压：二、检测版名称ＧＣＡ万能游标测试版三、观察显微镜四、现实结果测...     

图形反转工艺用于金属层剥离的研究

研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术.用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm.得到了优化的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数:匀胶转速4 000 r/min,前烘温度100 ℃,时间60 s,曝光时间0.3 s,反转烘温度110℃,时间90 s,泛曝光时间2 s,显影时间50 s.用金相显微镜测试了在优化工艺参数条件下制作的光刻胶图形的分辨率,同时对图形反转机理进行了讨论.     

烘焙工艺条件对厚胶光刻面形的影响

采用厚层正性光刻胶AZ P4620进行光刻实验,考察了在前烘和坚膜阶段不同的工艺参数条件下的光刻胶浮雕面形的变化.实验表明,完全显影后光刻胶的浮雕面形受前烘工艺参数的影响很小,但其显影速率有一定差别;当坚膜烘焙后,不同前烘条件下的浮雕面形差别较大;当前烘条件相同时,坚膜参数的变化对光刻胶的浮雕面形影响较大.由此得出,在前烘阶段应采取较高温度、较短时间的烘焙,而在坚膜阶段应采取较低温度、较长时间的烘焙,这样可提高厚胶光刻面形的质量.     

BG－101J分步光刻机检测记录（四）曝光系统照明条件检测

ＢＧ－１０１Ｊ分步光刻机检测记录（四）曝光系统照明条件检测一、测试仪器名称：自检软件仪器精度：相对比较日期：９４．１２．９型号：温度：２０．５℃测试人：杨顺二、照明不均匀性计算方法三、测试结果平均光强：３３０ｍＷ／ｃｍ￣２照明不均匀性：……＜０２．６...     

BG－101J型分步光刻机实用化鉴定会检测大纲

ＢＧ－１０１Ｊ型分步光刻机实用化鉴定会检测大纲鉴定会检测组根据电子部“军用电子专用设备科研试制合同书”（合同号９１０４Ｅ０１１）对ＢＧ－１０１Ｊ型分步光刻机实用化规定中的考核指标及验收标准，拟定如下检测大纲：一、实用分辨率１．技术指标１２５μｍ２．检...     

微流控芯片硅阳模的加工

研究了单晶硅阳模的制作工艺。考察了光刻胶前烘和后烘的温度、刻蚀剂浓度、组成及刻蚀温度等因素对单晶硅阳模质量的影响。得出了单晶硅阳模制作的最佳条件，用AZA620光刻胶转移图形及二氧化硅为硅片刻蚀的牺牲层，前烘温度为90℃，后烘温度为120℃，刻蚀温度为60℃；刻蚀液组成为氢氧化钾23．4％，异丙醇14．9％，水61．7％。在该条件下制作的单晶硅阳模表面光亮，通道侧壁较光滑。用热压法可快速地将此阳模上的微通道复制于聚碳酸酯基片上，每片约需时5min。已成功地复制了200多片。     

全聚合物SU8光波导制备工艺及其特性研究

对一种全聚合物SU8光波导的制备工艺和波导特性进行了研究.测试结果显示,所制备光波导在1 550 nm的传输损耗为2.01 dB/cm,且具有高的侧壁陡直度.详细研究了光波导制备工艺过程中前烘温度和时间、光刻时间、后烘温度和时间以及显影时间等工艺参数对波导质量的影响,给出了4.5 μm×4.0 μm尺寸单模波导制备的优化工艺.讨论了采用稀释后的SU8材料所制备的光波导出现侧蚀的原因以及改进的方法.     

AOTF器件制作中光刻工艺的研究

对在LiNbO3晶体基片上制作声光可调谐滤波器(AOTF)光刻工艺参数的确定进行了研究.着重研究了匀胶机转速、曝光时间和显影时间对光刻效果的影响.通过大量的实验得到了较好的光刻工艺参数,即在低速2850/8(rpm/s)和高速6000/25(rpm/s)的转速下取得较均匀的光刻胶后,在90℃下前烘30 min,再经过10 s曝光和10 s显影,最后再经过30 min的100℃后烘,可得到较好的光刻图样.经过显微镜观察,光刻好的图形表面洁净,侧壁陡直光滑,图形质量较好.     

薄膜光刻工艺参数的优化

光刻工艺涉及复杂的光化学反应和物理过程，在理论上优化各工艺参数非常困难。本文通过大量实验，对甩胶、前烘、曝光、显影、坚膜等影响光刻图像质量的工艺进行研究，得到了比较优化的工艺参数。即在5500～6500rpm的转速下甩胶20～30s，取得较均匀的光刻胶膜后，在80～90℃下前烘20～30min，再经过30-50mW／cm^2的曝光和20s的显影，最后经过15-25min的100～130℃坚膜，可得到较好的光刻图形。     

BG－101J分步光刻机检测记录（三）自动调焦检测

ＢＧ—１０１Ｊ分步光刻机检测记录（三）自动调焦检测一、测试仪器名称：千分表仪器精度：２％温度：二、测试日期９４．１２．１０测试人：杨顺三、键盘输入改变量＋５００脉冲－５００脉冲仪器示值：４２μｍ－２２４μｍ４２μｍ－２２５μｍ四、最大调焦范围±１８２...     

无显影光刻汽相腐蚀工艺中的质量问题

一、无显影光刻工艺一般的光刻为涂胶、前烘、掩模对准曝光、显影、坚膜、湿法腐蚀和去胶七步工艺.无显影光刻工艺,省去了坚膜和显影两步操作,采用氢氟酸气氛进行腐蚀,叫汽相腐蚀工艺.     

浅析阻焊孔环显影不净产生原因

针对阻焊孔环出现的显影不净问题,通过一系列验证实验,明确了造成孔环显影不净的主要因素:净化间温湿度、油墨本身的性能、丝印后到预烘前停放时间、磨板后水水的导率。为解决该类问题提供一些思路。     

基于光刻胶回流特性的平面化工艺

研究了一种利用光刻胶的回流特性去除表面的磨痕，使其表面平整化的方法，结合牺牲层结构可以非常简便地制备出微机电器件中各种悬臂梁结构。着重研究了光刻胶的前烘胶温度、回流温度、回流时间对回流效果的影响。通过大量的实验得到了较好的回流工艺，即光刻胶90℃下60min前烘后，并在90℃下回流60min，不但能通过机械抛光准确控制减薄厚度，而且还可以完全除去其表面的磨痕，获得平滑的表面结构。     

窄带激光器调谐的光纤光栅波长移位解调

提出了一种窄带激光器程控调谐扫描的波长检测方案,运用LabVIEW虚拟仪器工作平台实现了窄带激光器的程控调谐扫描及波长检测信号处理.在温度传感应用的实验表明,该系统的温度-波长检测灵敏度为0.01nm/℃,测得光栅温度灵敏度系数为6.3×10-6/℃,系统的温度检测分辨率高于0.2℃,对应的波长分辨率优于2pm.     

面向植入式射频识别的超低功耗温度传感器

针对应用于动物体温检测的植入式射频识别标签(RFID),设计了一种超低功耗的温度传感器。采用差分延时线结构和差分型电压电流转换器,增大了时间随温度的变化率,提高了温度传感器的分辨率和精度。基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,采用Cadence SpectreVerilog进行仿真。结果表明,在TT、FF和SS工艺角下,当温度范围为35 ℃~45 ℃时,温度传感器的分辨率为0.03 ℃/LSB,误差为±0.2 ℃,功耗为600 nW,测温时间为1 ms。该温度传感器满足应用于动物体温检测的植入式RFID的要求。     

基于SU-8的微透镜阵列的设计和制作

以SU-8作为结构材料,采用紫外光刻工艺,尤其以斜曝光工艺为主,加工出主光轴平行于衬底基片的微透镜阵列,单个微透镜的直径大约为500μm。初步确定出加工此透镜所需要的曝光剂量、前烘时间、后烘时间和显影时间,为加工其他尺寸的透镜提供参考。基于此方法加工的微透镜阵列能够对光束进行聚焦、反射、衍射、相位调制等控制,从而可最终实现光开关、衰减、扫描和成像等功能,为其他微型光学器件,如分光镜和反射镜等的系统集成提供极大的便利。同时,此微透镜阵列也会被集成在微流细胞仪中用来对流式细胞仪中样本流做荧光检测,极大地提高了检测的精度。     

匹配光栅解调的传感器

介绍了匹配光纤布拉格光栅解调的基本原理,对采用此解调方法的传感器系统的参数进行了测试,并对系统进行定标。通过改进电路设计,检测极值点附近的对称点,提高了检测的精度。估算了系统的分辨率,温度分辨率为0．25℃,应变分辨率为2．07με。该系统具有结构简单、成本低、抗干扰能力强等特点。     

用离子集团束技术在Si上外延生长GaAs

本文描述了用一种新的离子集团束技术在较低的温度下在Ｓｉ衬底上外延生长ＧａＡｓ的初步实验结果．实验表明：Ａｓ＋离子束轰击对于去除Ｓｉ上自然氧化层是有效的，在衬底温度为５５０℃得到ＧａＡｓ单晶．