NaCl（OH^—或O^—2）：F^＋2）H色心激光研究的进展

文中介绍了近几年来ＮａＣｌ（ＯＨ＾－２或Ｏ＾－２）：（Ｆ＾＋２）Ｈ色心激光研究的进展，简要说明了它的应用前景。     

北京市大气SO2、NO2和O3的激光雷达监测实验

目前监测网中大部分SO2、NO2和O3监测设备为地基点式仪器.该种设备不能获得大气SO2、NO2和O3的空间分布信息.SO2、NO2和O3的空间分布数据在习惯上一般是通过球载探测仪来获取.但通过球载仪获得的数据时间和空间分辨率都较差.中科院安徽光机所已开发研制完成了车载测污激光雷达系统.该系统能进行大气SO2、NO2和O3进行三维空间扫描测量.利用该系统2001年12月27日至2002年1月27日期间于北京市进行了大气SO2、NO2和O3的监测实验,首次给出了北京市近地面层大气SO2、NO2和O3的激光雷达测量数据.测量数据与地面仪器的监测数据进行了比较,结果表明车载测污激光雷达系统的测量数据是合理可靠的.     

BaSnO3纳米粉改性Ba(Mg1/3Ta2/3)O3介质陶瓷的研究

以BaSnO3纳米粉体作为添加剂制备(1-x)B a(M g1/3T a2/3)O3-xB aSnO3陶瓷,并与以SnO2为起始原料直接合成的BM T-BS陶瓷作了对比研究。当x(Sn)=12%时,两种工艺在1 500°C保温4 h均能使材料烧结致密。不同的工艺对材料介电常数(rε)和谐振频率温度系数(fτ)的影响没有明显差异,但掺杂B aSnO3纳米粉体的试样具有明显较高的品质因数(Q),该材料的微波介电性能为:rε=24.6,fτ≈0.8×1-0 6/°C,Q×f≈2.24×105GH z。     

O2（1∑g^＋）和O2（1Δg）的碰撞发射谱

利用微波激励高纯O2观测到了峰值波长分别为450.8nm、565.9nm的2个新谱带。实验研究和动力学过程分析证明，这2个新谱带是O2的激发态O2（1∑g^ )和O2（1Δg）碰撞反应发射的。     

BaO-3TiO2微波介质陶瓷的H3BO3掺杂改性研究

为实现低温烧结,采用固相反应法制备了H3BO3掺杂改性的BaO-3TiO2微波介质陶瓷,研究了H3BO3掺杂量对其烧结温度和介电性能的影响,并与H3BO3掺杂改性的BaTi4O9陶瓷进行了对比研究。结果表明,H3BO3掺杂能使BaO-3TiO2陶瓷的烧结温度降低到950℃,原因是烧结过程中形成了熔点约为899℃的液相BaB2O4。当掺杂质量分数为3%的H3BO3时,制备的BaO-3TiO2微波介质陶瓷具有良好的介电性能:εr=34.1,Q·f=9000GHz(4.0GHz),略优于H3BO3掺杂改性的BaTi4O9陶瓷。     

Fe/Al2O3/石蜡复合材料的制备及微波吸收性能研究

为了改善Fe粉的微波吸收性能,采用sol-gel法与H_2还原法制备了w(Al_2O_3)为0.5%~5.0%的Fe/Al_2O_3复合粉。利用SEM和激光粒度分析仪分析了所制粉末的形貌与粒度分布;并将所制复合粉末与石蜡按质量比80:20制成Fe/Al_2O_3/石蜡复合材料,研究w(Al_2O_3)对复合材料微波吸收性能的影响。结果表明:Fe/Al_2O_3复合粉的外形呈片状与针状,其粒度分布很宽。当w(Al_2O_3)由0增加到5.0%时,复合材料的复介电常数实部ε′从11增加至21;复磁导率虚部μ″呈多模共振的曲线形式;w(Al_2O_3)为2.0%,厚为2mm的Fe/Al_2O_3/石蜡复合材料的–5dB反射损失R频宽为4.6GHz。     

掺Sm2O3的SnO2纳米粉体对C2H2气敏特性的研究

用化学沉淀法制备了SnO2纳米材料,利用XRD和SEM对合成产物进行了表征.采用旁热式结构制成了以SnO2为基体材料,掺杂Sm2O3的气体传感器.通过元件对C2H2气敏特性的测试表明:Sm2O3的掺杂可以明显地提高SnO2气敏材料对C2H2气体的灵敏度,当工作温度为180℃,C2H2浓度为1000ppm时,元件的灵敏度为64,响应恢复时间分别为3和20s.讨论了不同相对湿度对元件气敏特性的影响.     

掺Sm2O3的SnO2纳米粉体对C2H2气敏特性的研究

用化学沉淀法制备了SnO2纳米材料,利用XRD和SEM对合成产物进行了表征.采用旁热式结构制成了以SnO2为基体材料,掺杂Sm2O3的气体传感器.通过元件对C2H2气敏特性的测试表明:Sm2O3的掺杂可以明显地提高SnO2气敏材料对C2H2气体的灵敏度,当工作温度为180℃,C2H2浓度为1000ppm时,元件的灵敏度为64,响应恢复时间分别为3和20s.讨论了不同相对湿度对元件气敏特性的影响.     

珠三角地区大气中HCHO、O3、NO2的监测与分析

利用长程差分吸收光谱技术于2008年10月15日至11月19日对珠三角地区江门市大气中的HCHO、O3、NO2等污染物进行了实时监测,结合气象数据,分析了江门地区主要污染物HCHO、O3、NO2的日变化特征;同时,对江门市的主要污染来源进行了分析。对比了HCHO和其他各类污染物浓度数据的相关性分析及变化趋势对比,结果表明江门地区的HCHO主要来源于二次污染。利用多元线性回归分析,进一步证明了该结论。     

H3O+(H2O)n(n=0～4)与甲醇、乙醇反应的实验研究

在流动余辉质谱装置上，利用He的空心阴极放电产物与H2O反应制备了反应物离子H3O (H2O)n(n=0～4)，并观察了H3O (H2O)n(n=0～4)与CH3OH、C2H5OH反应的产物离子，对它们进行了归属，分析了各种产物离子形成的离子-分子反应机制。     

微波促进H2O2脱色甲基橙溶液的研究

甲基橙是典型的偶氮染料之一。以甲基橙溶液模拟偶氮染料废水，探讨了在微波作用下，低浓度的甲基橙浓度、过氧化氢用量、溶液pH值、作用时问等因素对脱色率的影响。实验结果表明，微波能大大加快脱色反应速度，并能消除湿法氧化法可能产生的二次污染。微波功率为480W的条件下，酸性甲基橙溶液加入5％的H2O2作用5min，其脱色率可达到99．0％。对比甲基橙溶液处理前后紫外光谱的变化，说明经微波促进H2O2氧化后，甲基橙分子结构中的偶氮键发生断裂，破坏了偶氮-苯环共轭发色体系，从而达到了脱色的目的。     

微波基板用陶瓷材料Li_2Mg_(1-x)Zn_xTi_3O_8微波性能研究

通过传统固相反应法制得三元系尖晶石结构的Zn掺杂的Li_2Mg_(1-x)Zn_xTi_3O_8(LMT)陶瓷。讨论了Zn掺杂对Li_2MgTi_3O_8陶瓷试样的相结构、显微结构及微波介电性能的影响。当Zn掺杂量为0.06时,Li_2Mg_(0.94)Zn_(0.06)Ti_3O_8陶瓷试样在1 075℃烧结4h可获得良好的显微结构与微波性能,其中介电常数适中(ε_r≈26.58),品质因数较高((Q×f)≈44 800GHz),谐振频率温度系数趋近于0(τ_f≈1.9μ℃~(-1))。该研究得到的陶瓷材料具有良好的微波介电性能,可作为无机填充材料运用于微波复合介质基板材料的研制中。     

微波诱导粉煤灰-H2O2处理垃圾渗滤液的研究

Fenton和类Fenton试剂广泛用于持久性有机污染物的矿化处理。微波辐射能提高Fenton和类Fen-ton法处理难降解有机废水的效率和处理能力。实验采用粉煤灰吸附分离与微波高级氧化的组合工艺处理垃圾渗滤液,以降低垃圾渗滤液的化学需氧量(COD)浓度。粉煤灰作为有机废水的吸附剂,同时粉煤灰中溶出的铁及其他过渡金属离子能与H2O2形成Fenton类试剂,产生氧化能力极强的羟基自由基(.OH),氧化处理其中的有机物。当粉煤灰量为20 g/L,pH=2,搅拌1 h后过滤分离;每1 L滤液加入2 mL 30%(质量比)的H2O2,入微波炉,设定温度80℃,功率600 W,在微波中作用20 min时,COD的去除率可达69.81%。     

微波等离子烧结ZnO/Bi2O3系压敏电阻研究

采用常规微波和微波等离子对比烧结ZnO/Bi2O3系压敏电阻发现:两者均可快速成瓷,烧结时间由常规的20 h减少到45 min;烧结后,ZnO晶粒细小(约1μm)均匀,相比而言,等离子更有利于压敏电阻烧结。45 min等离子烧结后,压敏电阻瓷体密度为5.01 g/cm3,ZnO压敏电阻中已有尖晶石相(Zn7Sb2O12)生成,烧结时瓷体收缩均匀,漏电流小,但稳定度差。采用“液相掺杂”可以提高压敏电阻在微波等离子烧结后的电性能稳定度,液相加入比例范围为5%~15%。     

Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷B位离子非化学计量比的研究

A(B1/′3′B2/′3)O3型微波介质陶瓷中,B位阳离子对损耗和有序结构有较大的影响。该文研究了B位离子非化学计量比对损耗及有序结构的影响,研究发现,B位Zn2 、Nb5 偏离化学计量比越大,损耗越大,同时有序结构随着B位Zn/Nb离子间的比例变化而变化。     

Al2O3-SiC复相微波衰减材料的性能研究

采用热压烧结工艺制备了Al2O3-SiC复相微波衰减材料。通过网络分析仪,研究了SiC含量对材料的微波衰减性能的影响。结果表明,当w(SiC)<3%,复相材料具有选频衰减的频谱曲线,谐振峰位置基本不变;当w(SiC)为3%~16%,材料的谐振损耗峰向低频方向移动;当w(SiC)>16%时,材料呈现出宽频衰减特性。对复相材料的微波衰减机理作了初步探讨,弛豫损耗和电导损耗是其主要的衰减机理。     

H_3BO_3掺杂Li_2ZnTi_3O_8陶瓷的微波介电性能

采用传统的固相烧结工艺制备了H3BO3掺杂的Li2ZnTi3O8陶瓷。研究了H3BO3掺杂量对所制Li2ZnTi3O8陶瓷的烧结特性、相成分、微观结构以及微波介电性能的影响。结果表明:H3BO3对于所制陶瓷相成分没有影响,仅为单一的Li2ZnTi3O8相;H3BO3能够将Li2ZnTi3O8陶瓷的烧结温度降低200℃左右,同时没有显著损害该陶瓷的微波介电性能;当H3BO3掺杂量为质量分数2.0%时,950℃烧结的Li2ZnTi3O8陶瓷微波具有良好的介电性能:εr=25.99,Q.f=54 926GHz,τf=-12.17×10–6/℃。     

星用微波组件低气压放电与真空微放电效应研究

低气压放电效应与真空微放电效应(亦被称为电子二次倍增效应)是装载在航空器或航天器上的星用微波组件在上天过程中与正常定轨后工作所要经历的两个阶段,经历发射至定轨工作的全过程(亦被称为入轨)的星用微波组件要经历低气压放电的考验,而对定轨后运行的星用微波组件则要经受真空微放电的考验。其放电机理和环境条件各异,两种环境试验不具有互换性,对此进行了研究;并对低气压放电与真空微放电提出了相应的防护措施。     

SnO2掺杂ZnO-Nb2O5-TiO2微波介质陶瓷

研究了 SnO_2对 ZnO-Nb_2O-5-TiO_2陶瓷相结构和微波介电性能的影响。随 Sn 添加量的增加,晶相组成逐步从(Zn_(0.15)Nb_(0.30)Ti_(0.55))O2相转变为 ZnTiNb_2O_8相,相对介电常数 ?r减少,?f向负频率温度系数方向移动, 当 Sn 含量增加到0.20,?f可降至 9.8×10–6℃–1。当 SnO2的摩尔比 y 为 0~<0.08 时,形成完全固溶体,提高 Q·f 值;当 y>0.08,部分Sn 形成第 2 相,降低其 Q·f 值。当 y 为 0.08,在 1 150℃烧结,具有很好的微波介电性能,其 ?r为 50.3,Q·f 为 14 892GHz,?f为 25.12×10-6℃–1。