L波段低噪声放大器的设计

本文首先介绍了低噪声放大器的设计方法以及采用源极串联负反馈提高晶体管稳定性的原理,然后使用该方法设计了一个L波段低噪声放大器。仿真结果表明该放大器的噪声系数小于1dB,增益大于30dB。     

高低增益双通路射频低噪声放大器的设计

介绍了一种应用于VHF频段跳频通信系统接收机的低噪声放大器（LNA）。根据跳频通信系统抗扰要求高,适应能力强的特殊要求,确定具有高、低增益双通路的设计方案,而后对LNA电路进行稳定性分析;并使用Agilent公司的ADS软件对基于U310场效应管和2N5031晶体管的LNA电路进行仿真设计;最后在仿真的基础上,设计出LNA的电路实物,测试结果表明,该LNA电路增益为：高增益＞20dB、低增益＞8dB,噪声系数＜3dB,带内纹波＜1.5dB,工作稳定并有一定裕量。     

C波段低噪声放大器的仿真设计

基于使LNA在5.5G~6.5G Hz频段内具有优良性能的目的,本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计,最终...     

S波段低噪声放大器的ADS仿真与设计

介绍低噪声放大器设计的理论基础,并重点介绍了低噪声放大器的主要性能指标:噪声系数、功率增益、驻波比、稳定性等。以ATF38143晶体管为例介绍了ADS仿真软件设计低噪声放大器的方法和主要步骤。采用三级级联结构设计出满足指标的S波段低噪声放大器链路。该放大器链路的指标为噪声系数小于1.2,功率增益大于50dB,增益平坦度小于0.5dB,VSWR小于1.8的低噪声放大器,带宽为6MHz,并具有一定的带外抑制能力。     

2-4GHz波段低噪声放大器的仿真设计

利用pHEMT工艺设计了一个2-4GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输入输出和级间匹配．通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计。最终使得该LNA在2-4GHz波段内增益大于20dB,噪声小于1-2dB,输出电压驻波比小于2,达到了设计指标的要求。     

利用ADS软件设计X频段低噪声放大器

首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法,然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明,此放大器达到了预定的技术指标,性能良好。其工作频段为8.6~9.5 GHz,噪声系数≤1.8 dB,增益为23 dB,带内平坦度≤±0.5 dB。     

全波段毫米波低噪声放大器

SPACEKLABS研制成这种最新的低噪声放大器在毫米波段 ,33～ 5 0GHz(WR - 2 2 )和 4 0～ 6 0GHz(WR - 19)能够提供全波段的性能。在此频段风 ,典型增益为 18～ 2 0dB ,最小噪声系数为 3dB。在 +8～ +11VDC时 ,DC为 5 0mA。全波段毫米波低噪声放大器@一凡     

S波段低噪声放大器仿真设计

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理,分析了影响放大器稳定性、噪声系数、功率传输的主要因素,运用Agilent公司的EDA软件ADS仿真设计了两级级联结构的放大器。仿真结果表明放大器在2150～2 400MHz的频率范围内,噪声系数<0.5dB,输入驻波比<1.4,输出驻波比<1.14,增益为(26.2±0.5)dB,并且在全频带内无条件稳定。     

高增益K波段MMIC低噪声放大器

基于0.25μm PHEMT工艺,给出了两个高增益K波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB.两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积,放大器1dB压缩点输出功率大于15dBm;芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26.5GHz本地多点通信系统中.     

高增益K波段MMIC低噪声放大器

基于0.25μm PHEMT工艺,给出了两个高增益K波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB.两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积,放大器1dB压缩点输出功率大于15dBm;芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26.5GHz本地多点通信系统中.     

高线性度PHEMT达林顿放大器

使用E-PHEMT工艺,结合有源自偏置技术与达林顿放大器技术,制作一种新型E-PHEMT达林顿反馈放大器。相较于传统结构,这种新型结构具有显著的两大优点,采用E-PHEMT的技术使放大器线性度获得较大提高。在0.5~3 GHz的频率范围内,5 V供电电压的情况下,新型放大器可以保持21.5 dBm以上的P1dB;8 V情况下,更是能达到23.5 dBm以上的P1dB;采用有源自偏置技术以后,取消了传统结构中的偏置电阻,减少了电压消耗,使电源效率提高了近40%,并且使得偏置电流、增益、IP3和P1dB对温度的敏感度大大降低。     

S 波段 GaAs 超低噪声限幅低噪声放大器芯片的研制

本文将限幅器嵌入到了低噪声放大器的输入级匹配电路,使得整体限幅放大电路的噪声系数为低噪声放大器的最小噪声系数而不需再加上限幅器的损耗,从而有效降低了整体限幅低噪声放大器的噪声系数。 在此基础上,设计并实现了一款 S 波段限幅低噪声放大器芯片,实现了超低噪声与高耐功率的性能。 测试结果表明,该款芯片在目前相近频段所有限幅低噪声放大器产品中噪声系数最小。 在2. 7 GHz~ 3. 5 GHz 工作频带内,实测噪声系数 NF≤0. 85 dB,增益≥29 dB,带内增益平坦度≤±0. 3 dB,静态工作电流≤25 mA,1 dB 压缩点输出功率≥8 dBm。 在耐功率50 W(250 μs 脉宽、25%占空比)下试验 30 min 后不烧毁,恢复到常温时,噪声几乎无变化。 芯片尺寸为 3 450 μm×1 600 μm×100 μm。     

宽频带低噪声放大器的设计

随着光纤通信、卫星通信向着宽频带方向发展,要求放大器的带宽也就越来越宽。文中设计了一种低噪声放大器,该放大器具有较低的噪声系数,同时工作频带较宽。增益平坦度在工作频段内控制在约1dB,另外该低噪声放大器的输入输出匹配和稳定性良好。     

低噪声放大器的两种设计方法

低噪声放大器是射频收发机的一个重要组成部分,也是射频电路设计中的难点。在此先对晶体管ATF-54143做了定性分析,根据定性分析以及实际需求,阐述了射频低噪声放大器设计与仿真的两种方法。一种是以最佳噪声系数为目标的设计方法;另一种是以噪声系数为主兼顾增益目标的设计方法。该方法详尽且数据准确真实,其仿真结果均符合预定的设计要求。     

低噪声放大器的网络设计法

从网络出发，提出利用网络设计的方法来设计低噪声放大器，这种方法不仅精度高，而且可以进行宽带设计。     

微波低噪声放大器的设计与仿真

低噪声放大器在接收系统中能降低系统的噪声和接收机灵敏度,是接收系统的关键部件。文中按照低噪声放大器电路的设计要求,完成了2GHz基站前端射频低噪声放大器的电路设计,并通过ADS仿真软件对电路进行仿真和优化。最终表明,采用本方案设计的LNA增益约为15dB,噪声系数约为1．2dB,性能稳定,完全达到了通信接收机中对LNA指标的要求。     

低噪声运算放大器噪声分析

研究了如何从电路结构上减少运算放大器的噪声，以一种低噪声运放为例。着重介绍输入级设计。并借助计算机分析选择合适的输入器件尺寸。最后通过对运放噪声的仿真验证，得到了满意的结果。     

S频段200 W功率合成放大器设计

针对功率放大器调试困难的问题,采用ADS软件设计功率放大器。利用负载牵引方式寻找功率管在工作频段内的最佳匹配点,进行电路匹配设计和优化,实现了功率放大器各项指标要求。最终的实物测试结果与仿真结果基本吻合,验证了仿真的真实性和有效性。采用热管散热技术,将功率管结温控制在155.2℃的安全工作温度。为实现大功率输出,采用3 d B电桥功率合成技术,并对2条合成链路进行幅度和相位一致性控制,在所需频段达到200 W以上的功率输出。     

射频宽带、低噪声单片放大器设计

本文介绍一种宽带、低相位噪声射频集成放大器设计,采用负反馈频率补偿技术,通过优化设计反馈网络电阻及电容值,有效地展宽了工作频带;采用了封装电容做级间匹配电容,提高了电路模型精度增加了流片的可实现性;通过级间匹配电容,有效地补偿了带内平坦度。电路结构简单,性能优良,在0. 8μmSiGeBiCMOS工艺上实现的放大器3dB带宽0~7. 5GHz,将广泛应用于光纤通信、软件无线电、雷达及通信一体化接收前端。     

S波段GaN MMIC Doherty功率放大器

采用SiC衬底0.25 μm AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款S波段GaN单片微波集成电路(MMIC)Doherty功率放大器,在回退的工作状态下仍可以保持较高的效率,可用于小型基站。为减小芯片尺寸,采用无源集总元件替代四分之一阻抗变换线;在输入端没有采用功分器加相位补偿线的结构,而是设计了一种集总结构的电桥来提高集成度。脉冲测试表明,在3~3.2 GHz频率范围内,饱和输出功率大于10 W,在回退6 dB处的功率附加效率(PAE)为38%,芯片尺寸为4.0 mm×2.4 mm。