二类适配SAR及其硬件设计

简要论述了二类适配(AAL2)的基本原理及其实现过程,结合具体芯片实现,提出芯片的总体功能框图,重点阐明了具体实现过程中涉及到的关键技术问题:ATM(异步传递模式)业务QoS和AAL2 CID交换的设计实现.最后,给出了一个实现AAL2引擎芯片的方案.     

WCDMA lu接口协议分析及计算机方法研究

文章首先介绍了WCDMA lu-CS/lu-PS接口的luUP、GTP-U协议,并分析ATM AAL2和AAL5的适配层结构,进而深入阐述了作者在实际工程中得到的基于ATM承载的lu-CS/lu-PS接口计算方法.     

B-ISDN信令ATM适配层—业务特定面向连接的协议

B-ISDN作为一种新的网络,它采用异步转移模式(ATM)作为信息传送方式,以光纤传输作为B-ISDN的基础。ATM为所有的业务都提供了一个灵活的传输性能。ATM适配层(AAL)是用来增强由ATM提供的服务,以支持高层所需的功能。业务特定的面向连接的协议(SSCOP)位于AAL的特定的集中子层中。SSCOP目前最主要的用途就是应用在信令的AAL中,在“第三层”实体间通过用户网络接口(UNI)和网络结点接口(NNI)使用ATM虚信道传递信息。     

AAL3/4规约的研究与实现

宽带综合业务数字网(B-ISDN)是现代通信网的发展方向,而ATM适配是B-ISDN终端的关键部分,是各种业务接入B-ISDN首先面临的问题。本文参照国际电联ITU-T制定的有关建议,简要地介绍了ATM技术的基本概念及AAL的有关规约,着重对第3/4类ATM适配(AAL3/4)的工作机制、实现方法以及技术性能进行了研究,讨论了AAL3/4的实现方案,并用软件实现了AAL3/4规约的功能。最后,针对AAL3/4建立了M/D/1排队模型,进行了性能分析。     

1MPC8280的AAL2适配与DMA通道驱动软件的实现

在TD-SCDMA网络中,ATM适配层采用AAL5和AAL2处理ATM数据。由于目前大部分网络处理器都只支持AAL5的适配,不适合TD网络测试仪的应用。本文介绍了TD-SCDMA网络测试仪中基于PowerPC8280的ATM数据采集与DMA传输的实现方案,重点说明了AAL2适配以及利用PCI的DMA传输完成上层应用与底层硬件的数据交互。实际应用表明,文中提出的数据采集卡能够正确处理ATM协议的AAL2适配和DMA传输。     

TD-SCDMA网络中Iu-CS接口用户平面AAL2链路假活问题研究

随着TD-SCDMA网络的规模商用,Iu-CS接口用户平面AAL2链路假活问题对网络的影响日益明显,如何解决AAL2链路假活故障是TD-SCDMA网络建设中的重要课题.本文通过对TD-SCDMA网络Iu-CS接口用户平面AAL2链路假活产生原因的分析,提出了一种假活故障检测处理方案,并用代码实现了检测处理算法,最后通过系统补丁方式将故障检测处理方案在某市TD-SCDMA网络中进行了测试与应用,测试与应用结果显示该方案切实可行,可以有效解决Iu-CS接口用户平面AAL2链路假活故障.     

IP承载网中RTP话音质量监测方案的研究

基于RTP话音质量监测是在OSS-GSM/WCDMA网络实时监测系统基础上,提出的一种话音质量监测方案。该方案介绍了话音业务协议的结构,并在实现各协议的详细解码、概要解码基础上,重点利用哈希算法研究了基于H.248和RTP的多协议关联,通过协议间的互查实现了RTP CDR(呼叫详细记录)的合成。结合线网数据测试表明,该方法准确,效果良好。     

WCDMA协议解析技术研究与实现

针对WCDMA侦察和干扰系统对协议解析技术的迫切需求,给出了WCDMA协议解析的总体方案,设计了WCDMA协议的解析算法,研制了WCDMA协议解析原理样机,实现了对WCDMA下行链路同步信道、导频信道、广播信道和辅助公共控制信道承载的协议参数和信息的解析。此外,利用地面WCDMA基站进行了性能测试,证明了该协议解析技术的可行性和有效性。     

多速率话音适配研究与应用

ATM技术以定长分组进行交换和传递,是一种比较理想的承载话音业务的技术。在研究话音数据的适配方式和信元适配时延的基础上,根据AAL2适用于低速率话音和节省带宽的优点,结合工程应用和实践,选择了AAL2的话音适配方式。来自不同编解码和不同话路的话音数据经过AAL2适配,统一成以CID为标识的定长AAL2信元,在信元适配时限内填充成ATM信元,实现了多种速率编码话音包的AAL2承载和AAL2交换。     

WCDMA BTS接收系统中信道译码单元的研究与实现

该文简单介绍了WCDMA移动通信上行链路BTS接收系统中信道译码单元的处理过程,并给出了一种切实可行的具体实现方案。该方案对下行链路信道译码单元的实现同样具有重要的参考价值。     

Vanadium-based ohmic contacts to n-type Al<Subscript>0.6</Subscript>Ga<Subscript>0.4</Subscript>N

Four vanadium-based contacts to n-type Al_0.6Ga_0.4N were compared in this work. Both V/Al/Pd/Au and V/Al/V/Au contacts with optimized layer thicknesses provided lower specific-contact resistances than did the previously reported V/Al/Pt/Au ohmic contact. Specific contact resistances of the V/Al/Pd/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) and V/Al/V/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) contacts were 3×10⁻⁶ Ω·cm² and 4×10⁻⁶ Ω·cm², respectively. On the other hand, an analogous V/Al/Mo/Au contact never became ohmic, even after it was annealed at 900°C for 30 sec. Compared to the V/Al/Pd/Au contact, the V/Al/V/Au contact required a less severe annealing condition (30 sec at 700°C instead of 850°C). The V/Al/V/Au contact also provided a smoother surface, with a root-mean-square (RMS) roughness of 39 nm.     

Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器

利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT／PZT／BIT，PZT／BIT和BIT层状铁电薄膜，获得了电流密度－电压（I－V）回线和极化强度P－V电滞回线。在这三种结构中，Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100）结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度Ps及矫顽场Vc之间有三种关系，他们与I－V回线及P－V回线的关系相匹配，这种匹配关系使得以I－V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。     

1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC

利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.     

多媒体通信中基于ABR业务的融入凭证方式的速率控制机制

提出了一种融入基于凭证方式的基于速率的流量控制模型，该模型继承了基于凭证方法的记数机制，通过设定高低缓存门限和调节速率升降因数来控制源端速率。仿真结果表明，这种控制机制不仅能够保证缓存的充分利用，而且能够提高其在减少信元丢失、降低传输时延等方面的性能。     

WLAN工程设计

本文就WLAN工程设计提出了带有普遍意义的概念,包含室内覆盖、室外覆盖、室外(视距内)无线桥接。并就无线侧的规划、优化进行了浅析。     

一种适用于科研单位的混合组网方式

本文基于网络逻辑隔离概念,利用业务随行、VxLAN和SDN等网络新技术进行网络架构规划,在减少基础建设投资的前提下,通过精准逻辑隔离的方式对科研单位的办公网、科研网和数据中心网络进行整体架构设计.该方式在不能单独组网(传统物理隔离)的条件下实现了网络终端、服务器、试验装置的访问可控和权限可控,可保障科研单位的整体网络运...     

难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理．用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱（AES）、X射线衍射图谱（XRD）对接触的微观结构进行了分析．结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10－6Ω·cm2．这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性．     

TiO2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性

在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS).用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性.结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高.在300～600 ℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600～800 ℃范围内随温度的升高而降低.     

面向全业务运营的城域传送网的建设

本文首先展望了全业务的发展,然后主要阐述为了满足全业务接入需求,城域传送网的建设方案。     

FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB薄膜各层宽度对其巨磁阻抗效应的影响

采用射频磁控溅射方法，利用微细加工工艺制备了不同薄膜宽度的三明治结构FeCuNbCrSiB／Cu／FeCuNbCrSiB多层膜，在频率1～40MHz下研究了薄膜宽度对多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应的影响。结果表明，三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应随薄膜宽度的变化具有显著的影响，当FeCuNbCrSiB层、Cu层宽度分别取1．6rflrn、O．8rflrn时，GMI％达到最大值一21．22645％。