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用化学气相沉积法制备了液晶光阀中光电导层———非晶硅薄膜,从实验中得出最佳制备工艺的参数取值。给出了用包络线法测量非晶硅薄膜光吸收系数的原理,测量了样品的光吸收系数随波长的变化规律。得到样品在最佳工艺条件下的光吸收系数高于1×103cm-1。 相似文献
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高电阻率CdSSe光电导薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用真空热蒸发工艺,用掺杂(Cu,Cl)敏化的方法制备高电阻率的CdSSe 光电导薄膜。并测试了不同制备条件和不同热处理工艺下样品的光电导性能。最后讨论了主要的制备工艺参数对 CdSSe 光电导性能的影响。用这种工艺制备的 CdSSe 光电导薄膜,用于液晶光阀空间光调制器件上,得到了很好的效果。 相似文献
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用惰性小而廉价的a-Si:H膜作液晶光阀的光层是一种理想选择。采用阻抗匹配的方法,设计和制作了a-Si:H液晶光阀。在大屏幕投影系统上获得了清晰的投影图象,分辨率为20lp/mm.光阀感光度测量表明,写入光在100μW/cm^2以下,读出光随写入光线性变化。在写入光为100μW/cm^2时,瞬态响应测量结果为:上升时间60ms,下降时间80ms. 相似文献
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首次介绍一种以非晶硅(a-Si)为光导层的LCLV投影系统,该系统具有响应速度快、写入光谱范围宽及工艺简单等优点。分析了LCLV驱动信号的电压幅值、频率、占空比以及屏幕照度等诸多因素对投影系统对比度特性的影响。该投影系统屏幕尺寸为1.5m×1.2m,最大照度为190lx,分辨率优于20lp/mm,响应时间小于1ms。可完成实时动态图像投影。 相似文献
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本文我们提出一种新的器件,它是根据非晶硅材料制成的,通过室温电容测量,能够直接探测红外辐射。该器件是一种p-c-n型叠层结构,这里c表示一层补偿的非晶蛙吸收层。器件的运转是基于价带内的扩展态和禁带内的缺陷之间的跃迁而进行的,跃迁是由约外辐射引起的。我们发现:测量的电容敏感于80nm ̄5μm波段。 相似文献
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描述了氢化非晶硅/铁电液晶空间光调制器的结构和工作原理,并从器件的电学模型出发,着重讨论了整体器件对光敏层的特性要求,对a-Si:H薄膜p-i-n光敏层的制作和光电特性进行了研究。 相似文献
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非晶硅薄膜光吸收系数的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用化学气相沉积法制备非晶硅薄膜,测量了样品的光吸收系数及其波长区域范围.测得在最佳工艺条件下,非晶硅薄膜的光吸收系数随入射光波长增大而减小,随衬底温度升高而增大,随射频功率和反应气体流量的增大而减小,在700 nm附近的光吸收系数不低于1×103 cm-1,满足高性能液晶光阀对光电导层的性能要求. 相似文献
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报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙等光学常数的方法和程序.这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系,所有公式均为解析表达式,便于进行数据处理,无须专用软件,使用Excel即可完成,适用于多种半导体薄膜材料.将这种方法应用于PECVD方法制备的非晶硅碳(a-SiC∶H)薄膜,对其光学特性进行了分析. 相似文献
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅(a-Si)NIP太阳能电池,其中电池的窗口层采用P型晶化硅薄膜,电池结构为Al/glass/SnO2/N(a-Si:H)/I(a-Si:H)/P(cryst-Si:H)/ITO/Al.为了使P型晶化硅薄膜能够在a-Si表面成功生长,电池制备过程中采用了H等离子体处理a-Si表面的方法.通过调节电池P层和N层厚度和H等离子体处理a-Si表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺.结果表明,使用H等离子体处理a-Si表面5 min,可以在a-Si表面获得高电导率的P型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P型晶化硅层沉积时间12.5 min,N层沉积12 min,此种结构电池特性最好,效率达6.40%.通过调整P型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能. 相似文献
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In this work, buffer layers with various conditions are inserted at an n/i interface in hydrogenated amorphous silicon semitransparent solar cells. It is observed that the performance of a solar cell strongly depends on the arrangement and thickness of the buffer layer. When arranging buffer layers with various bandgaps in ascending order from the intrinsic layer to the n layer, a relatively high open circuit voltage and short circuit current are observed. In addition, the fill factors are improved, owing to an enhanced shunt resistance under every instance of the introduced n/i buffer layers. Among the various conditions during the arrangement of the buffer layers, a reverse V shape of the energy bandgap is found to be the most effective for high efficiency, which also exhibits intermediate transmittance among all samples. This is an inspiring result, enabling an independent control of the conversion efficiency and transmittance. 相似文献
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A. Harv Mahan Tining Su Don L. Williamson Lynn M. Gedvilas S. Phil Ahrenkiel Phillip A. Parilla Yueqin Xu David A. Ginley 《Advanced functional materials》2009,19(14):2338-2344
Utilizing the concepts of a critical crystallite size and local film inhomogeneity, it is shown that nucleation in thermally annealed hydrogenated amorphous silicon occurs in the more well ordered spatial regions in the network, which are defined by the initial inhomogeneous H distributions in the as‐grown films. Although the film H evolves very early during annealing, the local film order is largely retained in the still amorphous films even after the vast majority of the H is evolved, and the more well ordered regions which are the nucleation center sites for crystallization are those spatial regions which do not initially contain clustered H, as probed by H NMR spectroscopy. The sizes of these better ordered regions relative to a critical crystallite size determine the film incubation times (the time before the onset of crystallization). Changes in film short range order upon H evolution, and the presence of microvoid type structures in the as grown films play no role in the crystallization process. While the creation of dangling bonds upon H evolution may play a role in the actual phase transformation itself, the film defect densities measured just prior to the onset of crystallization exhibit no trends which can be correlated with the film incubation times. 相似文献