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在全国工农業大躍进的形势鼓舞下,我們在十一前夕試制成晶体管射頻h参量測試器,作为国庆节向党的献礼。利用它可以测量面接合型晶体三極管和四極管的射頻(1-30 MC)h参量,测量低頻α_0(或h_(21)。)值和决定短路电流放大系数h_(21)的截止頻率。由于晶体管生产的历史很短,目前一方面产品規格中所給出的参量往往不齐全,不够应用,另一方面产品的均一 相似文献
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本文提出了一种特种光敏器件——光敏变容器,它不但是一种压控电容器,而且还是一种光致变容器.样管采用高阻P型硅(ρ=12000Ω·cm)单晶材料制成,在激光辐射下,测出样管在光照前后的C-V特性曲线,样管的电容在光照前后有大的变化,样管与红外发光二极管对顶封装时,样管在红外光照射前后电容相对变化率可达35.1%.而用低阻P型硅(ρ=4Ω·cm)制成的样管,在同样条件下,电容量几乎不变,这为光电探测和光电子集成提供了新思路. 相似文献
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1.引言在各种無线电电子学設备系统中,所用电子器件的噪声性能是对設备的性能如何具有决定性的一种因素。例如收音机的絕对灵敏度,就是由收音机的放大能力和噪声性能来决定;又例如某些需要有高灵敏度的测量仪器,都是依靠低噪声的电子器件来完成它們的任务。因此对电子器件噪声性能的研究和测虽有極大的卖出意义。对电子管噪声性能的研究,虽已有了比較成熟的結果,但对晶体管的噪声性能还只有一些初步研究的成果。需要作更深入和有系统的了解。晶体管在噪声性能方面是否可与电子管相比,是一个值得注意的問題。大約在1954年以前,一般認为晶体管的噪声性能比电子管的差,特别是点接触型晶体管,当时在低頻1000赫的噪声系数(噪声系数的 相似文献
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前言晶体三極管的主要成分是一种半導体的小塊晶体,也就是这样一种物質,它的導电能力顯然要比金屬來得差些,而比绝缘体又來得好些。所有这些物質都是由包含若干电子的原子組成的。如果我們要想判断,这一类叫做晶体的原子的一定組合倒底具有金屬特性、半導体特性或绝缘体特性,我們必須根据其中电子的能态,才可以作出結論。因此为了要了解晶体三極管的王作狀态,就必須通曉关於电子能态的智识,特別是对晶体三極管作用起决定性影响的那一部分智識。因而我們首先打算討論一下半导体物理的基本概念,然后根据所謂阻擋層的作用來解釋晶体三極管内的一般現象。 相似文献
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变容二极管又称“可变电抗二极管”.它利用半导体PN结电容或金属一半导体接触势垒电容随外加反向偏压变化而变化的原理制成,是一种专门作为“压控可变电容器”的特殊晶体二极管。变容二极管通常可替代可变电容器,在现代通信设备及家用电器中做高频调谐、频率自动微调、扫描振荡及相位控制等使用。 相似文献
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多波段的高級外差式接收机,为了簡化調諧手续,改善短波頻段的調諧密度,往往採用單一旋鈕控制的波段展闊电路及其統調的外差振盪电路。这二种电路的基本原理是一致的,它們都牽涉到如何利用固定的串並联电容器,来縮短調諧电路的波段复盖。这一类型电路的計算,一般是採用三点跟踪的方法,在計算时必須运用繁复的公式,既費时間又容易产生計算上的錯誤。为此作者在这里提出一种較簡單的計算方法,並进一步分析这种电路的性能及其設計的原則。 相似文献
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最近在法国制成了一种称为“teonetron”的半导体三極管。它的構造極其簡單(見圖)。由一个很小的锗(具有电子傳导)柱構成,其直徑0.5公厘,長为2公厘,在锗柱的兩端,裝有兩个接触引出的金屬接头,作为陰極与屏極的接头。在锗柱的表面,靠近陰極的那一边,切了一道圓槽,槽的直徑60~80微公尺,長約250微公尺,在圓槽上用电处理的方法敷了一層铟層。 相似文献
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会議电話作为一种有效的通信工具,在我国社会主义建设事業中起到了重大的作用,因此它的發展極为迅速。为了应付急需,有些人民公社想出了种种临时性的办法,如利用收音机里的音頻部分或裝简式昔频放大器(一级电压放大,一级电力放大)充会議电話机,因为这都是單向性的,須加裝电蹤来控制發訊及收讯,使用不便,只解决了从無到有的問題。有些地方安裝收、發音频放大器各一套,利用混合綫圈或平衡电桥,便于双方谈话而不必用人工控制电鍵,但也只 相似文献
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一、引言在無綫电的脉冲技术领域中以及在实驗物理学等各部門做試驗,脉冲示波器是必备的仪器。脉冲示波器的主要組成部分之一便是触發扫描电路。有了它才能在示波器的螢光屏上清晰地看到持續时間極短而重复週期又較長的脉冲波形以及某些暫态过程。触發扫描电路是多样性的,它們滿足各种不同的要求。本文將介紹一种性能优越、且容易轉换成連續扫描的触發扫描电路,在我們最 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》1994,(4)
TM53,TN45夕4〔抖0615基于多值开关级代数的电容模型及其应用/胡谋,徐申生(上海铁道学院)/j电户学报一1994,22‘2)一了朋、103 应用多值开关级数为MOS电路中的电容建立模型,并提出了应用多值开关级代数分析MOS动态电路、时延及电荷共享的方法图4参7(文)TM53,TN455 94040616付氏展开法结合样条插值和变分技术计算微带交指型电容器的电容/马西奎(西安交通大学)//通信学报.一1993 14(6、一6宁一,2一56一运用付氏级数展开法结合样条插值和变分技术计算微带交指型电容器的电容.它与有限元法十分相似,但具有不必进行单元剖分、矩阵方程阶数… 相似文献
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交流电动机起动用电解电容器是上海天和电容器厂新产品.这种电容器适用于单相电容起动电机上.其特点是电动机在较低的起动电流能得到较高的起动转矩.而且引出线从一头引出,采用焊片式,装配方 相似文献
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<正> 一、引言 双电层电容器是根据化学中的界面双电层现象,利用空间电荷的极化效应制成的低压大容量电容器。这种电容器不仅在结构、工作原理上与普通电解电容器不同,而且在应用上也有所不同。它是一种介于电容器和电池之间的新型元件。其优点是: 相似文献
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射频MEMS压控电容器 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1 相似文献