基于0-35μm工艺的Delta—Sigma ADC实现

在众多音频模数转换器中,Delta-Sigma是一种很流行的结构,其内部采用位MD转换器,因此其对模拟信号处理部分的电路要求远远小于对整个电路的精度要求。在局部模块的精度较低时也能正常工作。Delta—Sigma A/D主要应用于中低带宽的音频信号,讨论采用AMSO．35μmPDK实现模数转换电路。该电路核心部分采用Folded-Cascodet结构的差动放大器,仿真结果表明该结构的电路能较稳定地工作于低频段。     

用于电池电量测量的 Delta-Sigma调制器设计

为使模拟－数字信号转换芯片能直接用于各种电池电量测量的系统中而无需另加电压转换芯片,在应用于Delta－Sigma结构的ADC（模数转换器）的调制器设计中,使用0．35μm CMOS的集成电路工艺,采用二阶单环的电路结构,在5V供电的工作电压下可达到的电压测量范围为1．4V至4．2V ,测量精度为12位．因而采用此Del-ta－Sigma调制器的ADC可直接用于多种电池种类的电量测量,且具有制作成本低廉的特点．     

基于流水线结构ADC的设计

文章介绍了一种 5 0MHz采样频率 ,10bit流水线结构的模数转换器。它采用沟道调整技术设计放大器和偏置电路 ,以减小电流失配 ;采用开关电容和动态比较器以降低功耗。该模数转换器适合应用于高速的视频系统。     

0.25 μm CMOS工艺10位100MHz流水线型ADC设计

采用流水线结构完成了一个10位精度100MHz采样频率的模数转换器的设计.该模数转换器采用采样保持电路、8级1.5位和最后一级2位子模数转换器的结构,电路使用全差分和开关电容电路技术.芯片采用台积电(TSMC)0.25 μm CMOS工艺,电路典型工作电压为2.5V,在室温下,输入信号为5MHz,采样频率100MHz时信号噪声失真比为59.7dB.     

基于0.18 μm CMOS工艺8 bit/150 MHz折叠插值ADC

折叠插值模数转换器的转换速度快,可实现并行一步转换,但由于受到面积、功耗以及CMOS工艺线性度和增益的限制,其精度较低.提出了一种电流模均衡电路,能够有效地消除折叠电路中的共模影响,提高折叠电路增益及线性度,从而提高电路的转换精度.应用此技术,设计了一款折叠插值A/D转换器,工作电压为3.3 V,采样时钟为150 MHz,并通过0.18μm CMOS工艺实现,版图总面积为0.22 mm2.     

一种采用0.5 μm CMOS工艺的多通道SAR ADC

设计并实现了一个多通道12位逐次逼近(SAR)A/D转换器。转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型DAC等。整体电路采用Hspice进行仿真,转换速率为133 ksps,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.48 mA。芯片基于0.5μmCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.4 mm×2.3 mm,流片测试满足设计指标。     

应用于脑电监控的低功耗开关电容Delta-Sigma调制器

本文介绍了一个应用于便携式脑电监控生物医学系统的三阶单环Delta-Sigma调制器。为了降低功耗,调制器中的环路滤波器采用开关电容电路实现。调制器在0.35-μm 2P4M标准CMOS工艺下流片。核心面积为365×290μm2。实验结果显示,输入100Hz的正弦波,在64倍过采样率下,调制器能达到68dB的动态范围。供电电压为2.5V,整个芯片消耗515μW的功耗。适用于便携脑电监控系统。     

基于0.35 μm工艺设计的APS CMOS图像传感器

介绍了一种基于CHRT公司0.35 μm工艺而设计的CMOS图像传感器.该图像传感器采用APS像素结构,像素阵列256×256,包含有列放大器、阵列扫描、串行接口、控制逻辑和ADC等模块.该图像传感器采用动态数字双采样(DDDS)的新方法消除FPN噪音,并已经通过MPW采用CHRT 0.35 μm salicide 2P4M工艺流片.     

基于搜索算法的前传Delta-Sigma调制器优化设计

针对目前移动前传中使用的通用公共无线电接口(CPRI)技术频谱效率不高的问题,文章提出使用Delta-Sigma调制(DSM)技术作为一种新的前传接口.另外,针对高阶稳定Delta-Sigma调制器参数搜寻中计算复杂度过高问题,使用遗传算法对所使用的四阶Delta-Sigma调制器的结构参数进行了搜索优化,并将该优化结...     

基于0.13 μm CMOS工艺的14位50 MS/s流水线ADC

设计并实现了一种14位50 MS/s流水线ADC。采用无采保放大器的前端电路和运放共享技术,在达到速度及精度要求的同时降低了功耗。该流水线ADC采用0.13 μm标准CMOS工艺实现,芯片尺寸为2.7 mm×2.1 mm。在电源电压为1.2 V、采样速率为50 MS/s、模拟输入信号频率为28 MHz的条件下进行测试。结果表明,该ADC的功耗为91.2 mW,SFDR为82.39 dBFS,SNR为72.45 dBFS,SNDR为71.13 dB,ENOB为11.52 bit,THD为-81.28 dBc,DNL在±1 LSB以内,INL在±3 LSB以内,品质因子FOM为0.62 pJ/step。     

基于Delta-Sigma技术的直接数字频率发生器的设计

直接数字频率合成技术(DDFS)具有很好的频率渐变与很高的频率分辨率,然而该技术却伴随着严重的谐波噪声,主要的谐波噪声是相位截断噪声。该文将介绍一种新型的DDFS结构,该结构采用了Delta-Sigma噪声整形技术,有效地减少由相位截断引入的噪声。经测试,信号的信噪比可以大于60dB,同时减小了硬件的复杂性。     

基于0.35 μm SiGe工艺的高速高精度CORDIC处理器的ASIC实现

针对数字信号处理领域高速高精度实时运算的要求,实现了一种16位全流水高速高精度复数运算的通用CORDIC处理器。电路采用半定制设计方法,用0.35μm SiGe工艺库完成综合、静态时序分析、布局布线,最后在200 MHz时钟频率下通过Nanosim后仿真。结果表明,电路达到了高速高精度的设计要求,可广泛应用于信号处理、雷达、通信等领域。     

ADC的前端设计

ADC的前端是确定模数转换器接收和采样的信号质量的关键部分,若对该级设计的重视不够,则会对系统的整体性能产生不利影响。该文通过阐述前端设计的挑战及权衡因素,使工程设计人员能够采用一些通用方法,利用变压器或放大器进行匹配设计,得到一个高性能的模拟前端。     

基于Delta-Sigma调制的多频相位激光测距

为解决激光卫星终端在完成通信功能的同时,也能够实现测距功能的问题,文章设计了基于Delta-Sigma调制方式实现的激光相位测距,可以实现通信与测距一体化,采用多频点相位测距兼顾测距范围与测距精度.多频点调制信号都是使用基于Delta-Sigma调制的高速数字输入输出(I/O)端口生成的,而不采用任何数模转换器(DAC...     

基于0.35 μm GeSi-BiCMOS工艺的1 GSPS采样保持电路

介绍了一种基于0.35μmGeSi-BiCMOS工艺的1GSPS采样/保持电路。该电路采用全差分开环结构,使用局部反馈提高开环缓冲放大器的线性度;采用增益、失调数字校正电路补偿高频输入信号衰减和工艺匹配误差造成的失调。在1GS/s采样率、484.375MHz输入信号频率、3.3V电源电压下进行仿真。结果显示,电路的SFDR达到75.6dB,THD为-74.9dB,功耗87mW。将该采样/保持电路用于一个8位1GSPSA/D转换器。流片测试结果表明,在1GSPS采样率,240.123MHz和5.123MHz输入信号下,8位A/D转换器的SNR为41.39dB和43.19dB。     

流水线ADC功耗优化算法及其硬件实现

提出了一种针对流水线模数转换器的功耗优化算法,包括各级分辨率的分配、电容缩减、各级电流控制、各级电路结构选择和最后确认五部分.采用了上述功耗优化算法,并引入了改进的取样保持放大器和比较器,在TSMC0.18μmCMOS工艺下,设计了一个10位,取样速率80MHz的流水线ADC.在40MHz输入信号下,SNDR和SFDR分别为58.1dB和60.14dB,功耗为57mW.原型测试结果说明此算法可在保证ADC特性的前提下,达到功耗优化的目的.     

低功耗高速全差动放大器驱动ADC实现高精度

在高分辨率和高精度应用中,怎样才能使ADC在严格的功率限制内实现宽泛的范围？以往有二种解决方案,一种是单端解决方案,这种方案设计和电路都比较复杂、需多个放大器,匹配问题也不好解决。另一种方案是采用差动放大器,但是噪声和功耗都比较大,对驱动ADC来讲也不是十分理想。     

TI推出业界最低功耗高速全差动放大器驱动ADC可实现高精度

日前，德州仪器（TI）宣布推出可针对单通道与多通道逐次逼近寄存器（SAR）与△-∑模数转换器（ADC）实现最高精度数据转换的新型全差动放大器产品系列，能够满足工业、医疗以及音频等各种应用的需求。THS4521、THS4522以及THS4524可提供业界最佳的性能功耗比，非常适用于需要高分辨率、高精度以及出色动态范围的应用，     

基于0.35 μm高压CMOS工艺的横向线性雪崩光电二极管

提出了一种基于0.35 μm高压CMOS工艺的线性雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode, APD）。APD采用了横向分布的吸收区-电荷区-倍增区分离（Separate Absorption, Charge and Multiplication, SACM）的结构设计。横向SACM结构采用了高压CMOS工艺层中的DNTUB层、DPTUB层、Pi层和SPTUB层,并不需要任何工艺修改,这极大的提高了APD单片集成设计和制造的自由度。测试结果表明,横向SACM线性APD的击穿电压约为114.7 V。在增益M = 10和M = 50时,暗电流分别约为15 nA和66 nA。有效响应波长范围为450 ~ 1050 nm。当反向偏置电压为20 V,即M = 1时,峰值响应波长约为775 nm。当单位增益 （M = 1） 时,在532 nm处的响应度约为最大值的一半。     

0.35 μm SiGe BiCMOS工艺Colpitts振荡器分析与设计

应用标准0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计Colpitts压控振荡器。采用开环S参数计算电路指标,计算结果与测量结果符合较好。测量结果表明,在3.3V电源电压下,压控振荡器的频率范围覆盖340~400MHz,10kHz频偏处相位噪声为-91dBc/Hz,输出功率-3dBm。芯片面积550μm×300μm。