Vishay Siliconix推出新型TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology．Inc推出新型20V和30VP通道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP。新器件采用SO-8封装,具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。     

Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET

日前．Vishay宣布推出新型20V和30V p-通道TrenchFET功率MOSFET-Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用SO-8封装，具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。     

Vishay Siliconix推出新型500V N沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET——SiHP12N50C—E3、SiHF12N50C～E3和SiHB12N50C—E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET系列

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

Vishay推出采用业内最小芯片级MICRO FOOT~封装的新款Vishay Siliconix功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用业内最小0.8×0.8×0.4 mm MICRO FOOT封装的CSP规格尺寸,具有业内最低导通电阻的新款12 V和20 V的N沟道和P沟道TrenchFET誖功率MOSFET。     

Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay推出新型20V p通道TrenchFET功率MOSFET-Vishay Siliconix Si8445DB,该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有业界最小占位面积以及1.2V时业界最低的导通电阻。     

Mouser开始供应Vishay Siliconix Si8802 TrenchFET功率MOSFET

正Mouser Electronics开始供应Vishay Siliconix第一款采用业界最小的晶片级封装,并将导通电阻降至1.2 V的MOSFET。Vishay Siliconix的Si8802 TrenchFet功率MOSFET是第一款采用最小的0.8 mm×0.8 mm晶片级封装,亦即Vishay的MICRO FOOT,将导通电阻降至1.2 V的N通道元件。8V N通道Si8802的安装面积比第二小的晶片级元件还要小36%,而且提供相等甚至更低的导通电阻。     

Vishay推出新款8 V N沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA436DJ

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款8 V N沟道Trench-FET~功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2 mm×2 mm的热增强型PowerPAK~(?)SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5 V、2.5 V、1.8 V、1.5 V和1.2 V下具有9.4 mΩ2、10·5mΩ、12.5 mΩ、18 mΩ和36 mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2 mm×2 mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。     

Vishay推出业界最薄的新型20VP通道TrenchFET功率MOSFET

日前，VishayIntertechnology．Inc推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的20VP通道TrenchFET功率MOSFETSi8441DB，该器件采用MICROFOOT芯片级封装，具有此类器件中业界最薄及最低导通电阻。     

Vishay Siliconix推出最低导通电阻的新型20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP,该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。     

Vishay Siliconix的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新款8VN沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA436DJ。该器件采用占位面积2x2mm的热增强型PowerPAKSC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。     

TrenchFET功率MOSFET实现极低导通电阻

P通道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP采用SO-8封装,可容许比其他SO-8封装器件高60％的最大漏电流和高75％的最大功率损耗。Si7633DP具有3．3mΩ（在10V时）及5．5mΩ（在4．5V时）的超低导通电阻。     

Vishay Siliconix推出具有低导通电阻的新型P通道MOSFET

<正>Vishay宣布发布其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP,该20Vp通道MOSFET采用SO-8封装,具备业内最低的导通电阻。     

TrenchFET功率MOSFET实现极低导通电阻

P通道TrenchFET功率MOSFETSi7633DP和Si7135DP采用SO-8封装，可容许比其他SO8封装器件高60％的最大漏电流和高75％的最大功率损耗。Si7633DP具有3．3mΩ（在10V时）及5．5mΩ（在4．5V时）的超低导通电阻。30VSi7135DP的导通电阻为3．9mΩ（在10V时）和6．2mΩ（在4．5V时）。这两款新型器件可用作适配器切换开关，用于笔记本电脑及工业／通用系统中的负载切换应用。