RFMD为流行移动设备提供领先的WiFi连接解决方案

日前,RFMD（RF Micro Devices,Inc.）宣布,围绕TI的WiLink6.0和WiLink7.0平台进行设计的全球智能电话与平板电脑制造商能够整合RFMD的RF3482,以便获得灵活可靠的WiFi连接。RF3482的批量发运已开始,RFMD估计发运量将增加,以支持主要蜂窝无线通信和消费类设备制造商。     

三星选择RFMD来支持其GALAXYTABANDROID平板电脑

日前,高性能射频部件以及复合半导体技术设计和制造领域的领导者RFMD（RF Micro Devices,Inc．）宣布,三星选择了3种RFMD高集成部件,为近期推出的采用Android系统的GALAXYTab平板电脑提供出色的WiFi连接性。     

RF3267/RF6266：WCDMA／HSDPA功率放大器

RF Micro Devices将推出两款新型WCDMA／HSDPA功率放大器（PA）——RF3267和RF6266,从而扩展其在公开市场上的3G前沿产品系列。新推出的高度集成WCDMA／HSDPA功率放大器旨在支持下一代多频段、多模式3G手机和智能电话的关键需求。根据当前客户预测和设计活动,RFMD预计RF3267和RF6266将在本季开始批量发货。     

单刀、六位RF开关达到四频段GSM手机要求

目前,Peregrine Semiconductor公司可提供一种面向100MHz～3000MHz应用的SP6T(单刀、六掷)RF开关,这超过了GSM(全球通)和WCDMA(宽带码分多址)系统中的蜂窝电话所需满足的严格性能标准。这款单片式器件(PE42660)准备应用于四频段GSM手机的天线模块子系统,它采用了Peregrine公司专有的混合信号RF UltraCMOS     

RFMD携手ATMEL为智能能源推出ZigBee解决方案

RFMD新推出的RF6575 ZigBee前端模块(FEM)被同Atmel ATmega128RFA1单芯片解决方案相结合,由此创造出ATmega128RFA1参考设计。这款基于ZigBee的高性能解决方案为公共事业和消费领域在监控和节省能源方面提供更多控制。该解决方案主要针对2.4 GHz至2.5GHz ISM频段的便携式     

单芯片解决方案提升融合型蓝牙/WiFi芯片组的性能

SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)扩展其全面广泛的产品系列,推出RF开关/LNA前端IC(FEIC)产品SE2601T。新器件专门为提高嵌入式应用中融合型蓝牙/WiFi芯片组的性能和功能性而设计,能够满足新一代智能电话、上网本、个人媒体播放器和数码相机对融合多种连接能力(如WiFi和蓝牙)不断增长的需求。     

RFMD开发出效率高达65%的75 W氮化镓功率晶体管

日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。RF3932是继最近140瓦特RF3934推出之后的续推产品,RF3934是RFMD的UPT系列中输出功率最高的器件。RFMD计划在2011年第一季度推出第三个氮化镓UPT器件,以扩大其氮化镓功率晶体管系列,为RFMD客户提供更多     

一种L~E波段的A型上电极MEMS单刀三掷开关设计

针对单刀多掷开关(SPMT)在相控阵雷达、宽带收发器中用于切换滤波器和传输线时需要满足宽频带、高隔离度的性能需求,设计了一种宽频带、高隔离度的MEMS单刀三掷开关(SP3T)。通过ANSYS电磁仿真软件中的HFSS模块对MEMS SP3T开关进行优化,利用COMSOL软件对上电极的机械性能进行仿真。仿真结果表明,所设计的MEMS SP3T开关可工作在1~90 GHz的频带内,且插入损耗小于1 dB@90 GHz,隔离度大于35 dB@90 GHz,其整体体积约为0.75 mm³。     

基于SP4T开关的4位MEMS开关线式移相器设计

设计了一款4位MEMS开关线式移相器,由SP4TMEMS开关和微带传输线构成,工作于X波段。单刀四掷(single pole 4throw,SP4T)开关用于切换两条不同电长度的信号通道,即参考相位通道和延迟相位通道。每个SP4T开关包含4个悬臂梁接触式RF MEMS串联开关。介绍了4位MEMS开关线式移相器的总体设计,并给出了其关键部件SP4T开关和相位延迟线的设计细节。采用ADS软件仿真分析了器件的电气性能。仿真分析得到:SP4T开关在中心频率10GHz处的回波损耗为-36dB,插入损耗约为0.18dB;移相器各相位的回波损耗均低于-15dB,插入损耗为-0.8～-0.4dB。这种射频MEMS移相器具有小型化、低功耗和高隔离度的优点。     

C波段限幅开关集成芯片

采用GaAs p-i-n二极管单片集成工艺技术研制出C波段限幅开关集成芯片,该芯片集成了微波限幅器和单刀单掷(SPST)开关功能,尺寸仅为2.5 mm×1.0 mm。采用偏置相关S参数测试法建立可定标的p-i-n二极管器件模型,精准的器件模型保证集成芯片一次流片成功。实测结果显示,该芯片在5～6 GHz频率范围内插入损耗小于1 dB,隔离度大于50 dB,电压驻波比小于1.5∶1,开关速度小于25 ns,可承受10 W以上的连续波功率。该集成芯片在T/R组件接收通道可替代两只单一功能芯片,有较好的应用前景。     

RFMD推出新款GSM功率放大器

美国RF Micro Devices(RFMD)公司针对GSM蜂窝手机制造商的需求,推出一款3V GSM功率放大器RF2318。它采用RFMD的砷化镓异质结双晶体二级管工艺制成,具有高功率、高效率的特点,工作频率为880～950MHz,效率高达57%。RF2138具有功率控制输出功能(控制范围:70dB)。在供电电压为3.5V时,RF2138可提供 35dBm的输出功率,输入阻抗为50Ω。由于采用砷化镓异质结双极晶体管工艺,仅需单个 3V电     

Microsemi发布RF前端模块突破性技术平台

<正>致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司近日发布以硅锗(SiGe)技术为基础的4G RF前端模块(FEM)突破性技术平台。该公司已采用此创新平台开发下一代IEEE802.11ac无线网络(WLAN)前端模块。IEEE 802.11ac被业界视为第五代WiFi或5G WiFi。     

三维集成射频电路初露锋芒

随着电子系统向小型化、高性能化、多功能化、低成本和高可靠性方向发展,系统级集成电路就成为发展的必然趋势。伴随使用频率的提高,迫切需要发展高质、低价、小型和高密度的射频(RF)系统级集成电路。目前实现RF系统级集成电路,有三种途径:一是单片微波集成电路(MMIC);二是多芯片模块(MCM);三是用微机械加工技术实现RF电路的三维集成。 本文重点讨论在微波、毫米波频段范围,用微机械加工技术实现RF电路三维集成有关问题。     

基于液晶偏振开关与液晶屏的三维集成成像

本文提出一种利用液晶显示屏(LCD)和液晶(LC)偏振开关组成的三维集成成像系统，并给出实验演示结果，其目的是为了增强可视性，例如集成成像的视角和图像深度。为了增大视角，使用了液晶偏振开关控制的单透镜和正交偏振片。为了增大图像的深度，采用了双折射材料或带有偏振开关的偏振选择性反射镜。由于我们提出的所有方法都不使用机械结构，因此有助于实现一个实用的基于集成成像的3D显示系统。     

基于UV-LIGA技术的电磁型射频MEMS开关的集成制作

电磁型MEMS开关比静电式的结构复杂,一体化集成加工困难.对于新型电磁驱动双稳态RF MEMS开关进行了材料的选择,并对一些主要材料的电镀和悬空结构的制备与释放进行了工艺优化研究.经过工艺整合,实现了电磁型RF MEMS开关的多种非硅材料和多元结构形式的一体化集成加工.     

通信与计算机

ADI推出双通道RMS功率检测器；飞利浦针对集成的高清数字电视推出完整参考设计；ST推出单片COFDM解调器；幻雷者X85系列全面上市；RFMD收发器解决方案支持GSM、GPRS和EDGE蜂窝手机……     

新产品新技术

单刀三掷(SP3T)模拟开关 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)近日推出业界唯一的单刀三掷(SP3T)CMOS模拟开关器件一FSA3357,这种革新型的器件将为手持设备、移动电话、MP3、PDA、笔记本电脑等便携电子设备的设计人员带来巨大的便利。     

ADI推出新型RF／IF可变增益放大器

ADI推出一系列高度集成的RF／IF可变增益放大器（VGA）ADL5201、ADL5202、ADL5240和ADL5243。这些新产品的集成度均实现较大突破,单器件中最多可集成4个分立RF／IF模块。     

RFMD:设厂京城,锁定“无线”

12月6日，作为应邀媒体之一，记者参加了威讯联合半导体(RF Micro Devices)公司在京举行的新厂开业庆典仪式。RFMD新厂位于北京亦庄经济技术开发区，总投资额约为3000万美元，主要承担测试及卷带封装任务。去年11月开始建设，今年9月开始向客户交付产品，比原计划提前了4个月，实际建设开支远低于预算。RFMD公司成立于1991年，如今已是业界领先的无线通信RF IC供应商。公司总裁兼CEO包国富先生在接受采访时表示，RFMD在GaAs HBT(砷化镓异质结双极晶体管)制造方面处于市场领先地位，手机PA(功率放大器)占全球市场份额的30%~35%。…     

基于RF MEMS开关的新型双频带功率放大器

RF MEMS开关具有低损耗、低功耗、尺寸小和易于集成等优点而被广泛应用于各种可重构射频电路及系统中。通过分析比较电容并联式和串联式RF MEMS开关两种电路结构的射频性能,设计了一种基于RF MEMS开关的新型功率放大器,使用RF MEMS开关控制匹配网络来实现双工作频带的转换。结果表明,设计的功率放大器在2.35GHz和1.25GHz两个工作频带下,功率附加效率(PAE)和输出功率(Pout)可分别达到72%、67%及40.8、42.7dBm。该功率放大器具有较高的功率附加效率和输出功率,适用于多频带的射频系统,对RF MEMS器件在可重构系统中的应用具有一定参考价值。