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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
正盛美半导体设备(上海)有限公司是一家专注于集成电路制造产业中先进的湿法清洗及铜互连制程技术装备及工艺研发与生产的半导体装备公司,是中国少数几家具有世界领先技术及工艺的半导体装备制造商之一。公司立足于自主研发、精密制造和全球销售及服务,为芯片制造厂商提供最先进的装备及工艺。盛美半导体设备(上海)有限公司自主研发的空间交变相位移兆声波清洗技术解决了单片兆声波清洗能量分布均一性的技术难点,获得了优异的晶圆清洗效果,产品已销往韩国、中国台湾以及国内的主流集成电路制造公司。  相似文献   

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正盛美半导体设备(上海)有限公司是一家专注于集成电路制造产业中先进的湿法清洗及铜互连制程技术装备及工艺研发与生产的半导体装备公司,是中国少数几家具有世界领先技术及工艺的半导体装备制造商之一。公司立足于自主研发、精密制造和全球销售及服务,为芯片制造厂商提供最先进的装备及工艺。盛美半导体设备(上海)有限公司自主研发的空间交变相位移兆声波清洗技术解决了单片兆声波清洗能量分布均一性的技术难点,获得了优异的晶圆清洗效果,产品已销往韩国、中国台湾以及国内的主流集成电路制造公司。  相似文献   

3.
超大规模集成电路65-40纳米成套产品工艺研发与产业化(J-219-2-03),由中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,上海集成电路研发中心有限公司,中国科学院微电子研究所,北京大学完成。高性能嵌入式非易失性存储器片载芯片制造关键技术(J-219-2-04),由上海华虹宏力半导体制造有限公司,上海集成电路研发中心有限公司完成。获得2013年国家科技进步奖二等奖。  相似文献   

4.
目前,我国VLSI芯片参数水平,半导体器件参数水平,已经进入国际先进水平行列,然而,芯片背面金属化、疲搭特性却远远落后于国外水平,严重影响了我国集成电路、半导体分立元件的发展。随着电子工业突飞猛进的发展,对该项技术的需求日益突出。需要加快研究机理,攻克技术关键,赶超国际水平,填补国内空白。山东师范大学半导体研究所从1991年开始,与无锡华晶电子集团中央研究所共同研究探讨背面金属化机理,解决了重大技术关键,研究成功一套完整的背面金属化工艺。用该工艺制作的集成电路芯片,功率器件芯片已达到国外同类产品水平,…  相似文献   

5.
<正>由北京中科信电子装备有限公司自主研发的300mm/65nm大角度离子注入机进入中芯国际(北京)集成电路制造有限公司,开始接受国际主流生产线的技术测试与器件工艺检验,为这一国产集成  相似文献   

6.
近年来,我们使用的电脑、手机等速度更快、耗电更省、成本更低,这有赖于集成电路制造工艺的不断进步。中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22nm技术代集成电路关键技术研发上取得了突破性进展,掌握这种最先进的集成电路制造工艺将有利于提升我国自主生产制造更加质优价廉的集成电路产品的能力。  相似文献   

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王沛  任浩琪  钟文枫 《电子设计技术》2007,14(11):102-102,104,106,108
现代集成电路设计中,半导体制造工艺已逐渐向亚微米、深亚微米发展,90纳米、65纳米工艺已经成熟应用于生产,基于IP复用技术在SoC设计中广泛采用,这促使芯片的规模越来越大,功能也日益复杂.  相似文献   

8.
自2000年成立至今,中芯国际凭着世界一流的研发队伍,通过与世界半导体大厂的技术转移和国内外研究机构的合作,迅速构建起先进的技术水平。截止2003年2月止,中芯已成功实现0.18μm逻辑技术和0.13μm铜制程的量产。这些都大大缩短了中国大陆芯片代工技术同国外的差距。为了能更好地将先进的芯片生产技术工艺介绍给国内的相关企业,我刊带着这方面的一些问题采访了中芯国际晶圆一厂的衣冠君博士。记:我们知道,为了提高IC芯片制造的成品率,一定要采用晶圆表面的平坦化工艺,当前最好、最有效的平坦化工艺就是CMP工艺,而在超大规模集成电路的生产…  相似文献   

9.
我国集成电路发展十二五规划中提到,大力发展先进封装和测试技术,推进高密度堆叠型三维封装产品的进程,支持封装工艺技术升级和产能扩充。阐述了先进封装技术中的倒装芯片键合工艺现状及发展趋势,以及国际主流倒装设备发展及国内应用现状,重点介绍了北京中电科装备有限公司的倒装机产品。国产电子装备厂商应认清回流焊倒装芯片键合设备市场发展,缩短倒装设备产品开发周期和推向市场的时间,奠定国产电子先进封装设备产业化基础;同时抓紧研发细间距铜柱凸点倒装和热压焊接技术,迎接热压倒装芯片工艺及其设备的挑战。  相似文献   

10.
根据日本经济新闻报导,NEC Electronics日前发表电路线宽55纳米的半导体制造技术,名为“UX7LS”。预计2007年10~12月左右可导入用于手机的LSI(大规模集成电路)正式量产。NEC目前量产最先进的LSI是90纳米的产品,而此次开发的新技术就是65纳米的改良版。目前NEC与东芝等已着手共同研发更先进的45纳米半导体制造技术。半导体电路细微化的主要技术在于降低耗电以及提高数据的处理速度,此次NEC研发的技术主要是在全球首度实际运用新材料铪硅作为半导体中的绝缘膜,比目前一般使用的氧化硅膜耗电更低,所以可突破常规半导体电路细微化的课…  相似文献   

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2006年1月6日,英飞凌科技股份有限公司和中国的半导体制造商中芯国际集成电路制造有限公司共同宣布,双方已经签署合作协议,进一步扩展在标准记忆芯片(DRAM)产品生产领域中的现有合作,开始90纳米标准的产品合作生产。根据新协议的内容,英飞凌将把自己最尖端的90纳米DRAM沟槽技术和300毫米产品技术转让于中芯国际,并可以在未来期间灵活进行其70纳米技术的进一步转让。预计在2006年中期完成产品的最终验证之后,中芯国际将开始将其目前用于英飞凌110纳米DRAM产品的300毫米生产线转移至90纳米产品之上。英飞凌与中芯国际开始90纳米生产线合…  相似文献   

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全球第一大代工芯片制造商台积电宣布,预期将在今年第二季度首次采用最先进的40纳米工艺制造芯片。台积电表示,新的40纳米制造技术的芯片闸密度是65纳米的2.35倍,40纳米低能耗制造技术比45纳米制造技术的能量消耗可以减少15%。  相似文献   

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新思科技有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司近日宣布已正式提供用于中芯国际先进65-nm工艺的系统级芯片(SoC)综合设计解决方案。该解决方案将Synopsys丰富的DesignWare接口、模拟IP产品组合和其它基础性IP,  相似文献   

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正盛美半导体设备(上海)有限公司是一家专注于集成电路制造产业中先进的湿法清洗及铜互连制程技术装备及工艺研发与生产的半导体装备公司,是中国少数几家具有世界领先技术及工艺的半导体装备制造商之一。公司立足于自主研发、精密制造和全球销售及服务,为芯片制造厂商提供最先进的装  相似文献   

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《集成电路应用》2012,(3):43-43
灿芯半导体(上海)有限公司与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM公司日前联合宣布,采用中芯国际40纳米低漏电丁艺的ARMCodex.A9MPCore双核测试芯片首次成功流片。该测试芯片基于ARMCortex-A9双核处理器设计,采用了中芯国际40纳米低漏电工艺。其处理器使用了一个集32KI-Cache和32KD。Cache、128TLBentries、NEON技术,以及包括调试和追踪技术的CoreSight设计  相似文献   

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2005年,我国集成电路产业在国际市场增长缓慢的大环境下,依靠国内市场需求拉动,仍然保持了较快发展的良好势头,全年完成产品销售收入1171亿元,增长21.7%。目前我国集成电路产业已初步形成了设计业、芯片制造业及封装测试业三业并举、比较协调的发展格局,出现了长江三角洲、京津地区和珠江三角洲三个相对集中的产业区,建立了多个国家集成电路产业化基地。集成电路制造业的技术工艺已进入国际主流领域,设计和封装技术接近国际水平。基本情况2005年,我国共生产集成电路265.78亿块,同比增长25.68%;销售265.77亿块,同比增长28.22%;出口216.09亿块…  相似文献   

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英飞凌科技股份公司(InfineonTechnology)日前宣布推出第一批采用其先进的65纳米CMOS工艺生产的手机芯片,该公司称进行的复杂测试表明,芯片从始至终运行良好,采用该芯片的手机能顺利拨入各GSM网络并实现无障碍连接。采用新工艺制造的芯片具有高性能、低功耗特点,是英飞凌目前准备进行量产的逻辑电路所采用的最先进的半导体技术,预计采用这新工艺生产的第一批产品预计于2006年年底上市。英飞凌管理委员会成员兼通信解决方案部总裁HermannEul博士表示,“现在数据表明我们的联盟战略拥有诸多优势,通过集中研发资源和充分利用知识财产,使我…  相似文献   

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公司简介: 海微世纪集成电路装备(北京)有限公司,是一家集研发、生产、销售和服务于一体的高新技术企业,由一批留学美国并在集成电路设备制造业卓有成就的华人结合本土精英于2006年4月在京创立。公司的主要产品为微米一纳米级集成电路芯片量产的工作母机。公司于2007年实现了整机的制造、销售、开机和技术服务。  相似文献   

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<正>全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权(IP)的供应商新思科技有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司11月15日宣布已正式提供用于中芯国际先进65nm工艺的系统级芯片(SoC)综合设计解决方案。该解决方案将Synopsys丰富的Design Ware(?)接口、模拟IP产品组合和  相似文献   

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英特尔公司宣布制造出基于65纳米技术(下一代半导体批量制造工艺)的全功能SRAM (静态随机存储器)芯片这种65纳米制程融合了高性能、低功耗晶体管、第二代英特尔应变硅、高速铜互连以及低-K电介质材料。采用65纳米制程生产芯片能够将当前单个芯片上的晶体管数量再翻一番。高级晶体管:英特尔新的65纳米制程将采用门长度仅35纳米的晶体管,这是当前开始量产的尺寸最小、性能最高的CMOS晶体管。相比之下,今天最先进的晶体管(用于英特尔奔腾4处理器)其门长度仍有50纳米长。更小更快的晶体管是制造速度更快的处理器不可或缺的构建模块。应变硅(…  相似文献   

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