恩智浦扩展FlatPowerTVS二极管产品线

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出35个采用2引脚FlatPower SOD128封装（3．8mm×2．5mm×1mm）的TVS新产品,进一步丰富了瞬变电压抑制（TVS,Transient VoltageSuppressor）二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600W额定峰值脉冲功率（10／1000μs）TVS二极管的厂商。     

超小封装600W TVS二极管

该系列产品采用2引脚FlatPower SOD128封装（3.8mm×2.5mm×1mm）,是业界首个采用小型塑料SMD封装并提供600W额定峰值脉冲功率（10/1000μs）的TVS（Transient Voltage Suppressor,瞬变电压抑制）二极管。这种SOD128 FlatPower封装兼容SMB引脚,可与市场上已有的TVS二极管1：1替换。SOD128不含卤化物和锑氧化物,符合非易燃性分类规范UL 94V—0和RoHS标准。     

恩智浦推出FlatPower封装的MEGA Schottky整流器

恩智浦半导体近日宣布推出全新FlatPower封装的MEGA Schottky整流器,包括SOD123W和SOD128。SOD123W以2．6mm×1．7mm×1mm的小尺寸,支持这种小型化的技术趋势;SOD128的尺寸则为3．8mmX2．5mmX1mm。两种封装引脚与SMA和SMB封装的焊盘都兼容,提供了与它们一一对应替代的理想解决方案。因为“金属板绑定”的封装成果,新的MEGA产品比标准SMA封装的高度减小了50％,因而能够支持更加小型超薄设计。     

DFN1006B．3产品组合：晶体管

恩智浦半导体扩大了其超小型分立式薄型无引脚封装DFNl006B-3（SOT883B）的晶体管产品阵容。目前,恩智浦提供60款双极性晶体管（BJT）和12款小信号单NIP沟道MOSFET产品,均采用1mm×0．6mmX0．37mmDFN塑料SMD封装。     

恩智浦超小型MOSFET采用可焊性镀锡侧焊盘

恩智浦半导体日前推出业内首款2mm×2mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN（分立式扁平无引脚）封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。     

PMEG2005BELD：肖特基整流器

恩智浦半导体推出采用1．0mm×0．6mm×0．37mm超小扁平SMD塑料封装DFN1006D-2（SOD882D）、能效比较高的肖特基整流器。     

恩智浦推出业内首款采用2x2-mm无引脚DFN封装的中功率晶体管

恩智浦半导体近日发布业内首款采用2-mmx2-mm3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管。这款BC69PA晶体管采用独特的超小型DFN2020—3（SOT1061）塑料SMD封装,是恩智浦中功率晶体管家族中的首位小型晶体管成员。     

BC69PA：中功率晶体管

恩智浦半导体推出采用2mmX2mm3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管。这款BC69PA晶体管采用独特的超小型DFN2020—3（SOT1061）塑料SMD封装。DFN2020—3（SOT1061）封装适合在移动设备、车载设备、工业设备和家用电器中的通用功率敏感型应用,     

恩智浦发布两种拥有0．65mm的行业最低高度的新2×2mm无铅分立封装

恩智浦半导体宣布推出两种拥有0．65ram的行业最低高度新2mm×2mm小信号分立无铅封装。通过具有良好的热性能和导电性的无遮蔽散热片，塑料SMD（表面封装器件）封装的使用寿命得到了提高，并提供3引线（SOT1061）和6引线（SOT1118）两个版本。新产品包括26款FET-KY、双P通道MOSFET、低VCesat晶体管和肖特基整流器，最高功耗Ptot2．1W。该性能大致与行业标准封装SOT89（SC-62）相当，但是只占用一半的电路板空间。     

SOD123W／128-MEGA Schottky整流器

恩智浦半导体宣布推出全新FlatPower封装的MEGA Schottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因为“金属板绑定”的封装成果，新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品以其卓越的前向压降，可以允许50A的峰值电流最峰和高至1W的Ptot功率耗散。     

恩智浦推出新型FIatPower封装的整流器

恩智浦半导体近日宣布推出全新FlatPower封装的MEGASchottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因为“金属板绑定”的封装成果，新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品以其卓越的前向压降，可以允许50A的峰值电流最峰和高至1W的Ptot功率耗散。     

恩智浦推出FlatPower封装的MEGA Schottky整流器

恩智浦半导体（NXP）近日宣布推出全新FlatPower封装的MEGASchottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因为“金属板绑定”的封装成果，新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品以其卓越的前向压降，可以允许50A的峰值电流最峰和高至1W的Ptot功率耗散。     

高浪涌能力FlatPower封装的TVS二极管

SOD123W TVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率(10/1000μs),单位PCB面积的浪涌能力约为67W/mm2。该二极管旨在保护电压     

Altera Cyclone Ⅱ FPGA封装进一步降低应用成本

Altera公司为其低成本Cyclonell FPGA系列引入了新的封装选件,在大批量应用中,为设计人员提供了成本更低的可编程解决方案和更小的封装外形.新封装能够满足在低成本应用中采用Cyclone ll进行设计的客户需求,这些应用是前代FPGA所无法实现的.Cyclonell EP2C20器件现在可提供低成本240引脚四方扁平(QFP)封装,EP2C35和EP2C50器件可提供19mm×19mm、小外形484引脚Ultra FineLine BGA(UFBGA)封装.     

天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

天水天光半导体最新推出目前尺寸为0.4mm×0.2 mm×D(根据用户要求加工)超小型双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二级管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,产品具有:1、将二极管产品的正、     

恩智浦推出业界首款采用LFPAK56(Power SO-8)封装的双极性晶体管

正恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)日前推出首款采用5mm×6mm×1mm超薄LFPAK56(SOT669)SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由6个60V和100V低饱和晶体管构成,集极电流最高为3A(IC),峰值集极电流(ICM)最高为8A。新型晶体管的功耗为3W(Ptot),VCEsat值也很低——其散热和电气性能不亚于采用大得多的电源封装(如DPAK)的双极性晶体管,其占用面积也减少了一半。     

天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

天水天光半导体最新推出目前尺寸为0.4mm×0.2 mm×D(根据用户要求加工)超小型双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二级管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,产品具有:1、将二极管产品的正、     

恩智浦推出全球首款低于1Ω、采用Power S08封装的MOSFET

恩智浦半导体(N×PSemiconductors)宣布推出全球首款N通道,1mΩ以下25V MOSFE丁产品,型号为PSMNIR2-25YL,它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数.该产品是迄今为止采用PowerS08封装(无损耗封装:LFPAK)中拥有最低导电阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸.     

电源

LED闪光灯驱动器该系列包括ADP1660和ADP1649。ADP1660是一款双通道750mA(总共1500mA)LED闪光灯驱动器,采用2.0mm×1.6mm 12引脚WLCSP封装。ADP1649是一款单通道1000m ALED驱动器,采用2.0mm×1.5mm 12引脚WLCSP封装。ADP1649和ADP1660集成可编程1.5MHz或3MHz同步感性升压转换器,能够采用1mm高的低成本、1μH功率电感以及0603尺寸输入和输出电容。这两款器件均内置I2C通信端口,     

恩智浦为非常快的数据线推出最小的静电保护器件

恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日推出世界上最小的静电保护器件,该装置在超薄无引脚封装(UTLP:Ultra-Thin Leadless Package)中达到业界最低钳位电压。消费电子产品,例如电视机、笔记本电