20nm制程技术：新纳米制程技术

英特尔公司和美光科技公司针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm制程技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘（SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其他数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。     

存储器件

Numonyx NAND闪存恒忆公司(Numonyx)针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb(gigabits)的多级单元(MLC)NAND闪存、32GB(gig- abytes)的eMMC存储芯片和高达8 GB的microSD产品,均采用先进的41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,这些新产品将是一系列易于设计的存储     

Astoria大容量存储控制器加速手机连接

赛普拉斯(Cypress)半导体公司近日推出了一款支持多层单元(MLC)NAND闪存的新型West Bridge外设控制器Astoria.Astoria控制器最高可支持16个MLC NAND闪存设备,而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元(SLC)NAND闪存相比,其成本降低了三倍.     

英特尔携手美光推出业内最小、最先进的20nmNAND闪存工艺技术

英特尔公司和美光科技针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm工艺技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘{SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其它数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。     

赛普拉斯West Bridge控制器适用于PMP、PND、无线网卡及其它嵌入式应用

赛普拉斯半导体公司推出了一款具备多层单元(MLC)NAND闪存支持能力的新型West Bridge外设控制器,可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持.这款West BridgeAstoria?控制器最高支持16个MLC NAND闪存设备,而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元(SLC)NAND闪存相比,其成本降低了3倍.     

SanDisk开发出32纳米NAND闪存技术

SanDisk和东芝公司日前宣布，两公司使用32纳米（nm）处理技术生产出32GB 3bits／单元（3-bits—per—cell）（X3）存储芯片，共同开发出多层式芯片（MLC）NAND快闪存储器。该项突破预期将很快为从存储卡到固态硬盘（SSD）等市场带来能够提高产品容量、降低制造成本的先进技术。32纳米是迄今为止最为先进的闪存技术，它需要先进的解决方案来管理性能规格的变化。32纳米技术将数种创新技术结合起来，与摩尔定律中的趋势线相比，模片区大幅度减小。     

Numonyx NAND闪存

恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元（MLC）NAND闪存、32GB（gigabytes）的eMMC存储芯片和高达8GB的microSD产品,均采用先进的41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,这些新产品将是一系列易于设计的存储器解决方案     

美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存

美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit,可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。     

英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存

正英特尔和美光科技(MicronTechnology)日前宣布,已开发出128Gb的NAND闪存,新元件采用了针对闪存改良的20 nm工艺制程,将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。两家公司声称,他们开发出了全球首款独立型128 Gb存储器,并表示将立即使用相同的制程量产20 nm的64 Gb NAND闪存元件,而新的128 Gb元件预     

与非门型闪存的密度增加

制程工艺与单元结构上的进步为实现更大的存储容量和更快的读写操作作出保证。在NAND(与非门)型闪存领域中,创新的车轮正在以一种非常危险的速度飞速旋转着。这些存储器的存储容量已经几近16Gbit,它们所提供的存储容量对任何一种晶体管存储器制程而言都是密度最大的。这种存储器看似速度较快,但是由于在单元结构、电路架构和制程技术上的进一步改进,这个数字将很快成为历史,NAND型闪存的存储容量与性能将会迎来一个新纪元。     

Numonyx发布41纳米32Gb闪存技术

由Intel和意法半导体合资的Numonyx近日公布了最新的32Gb（4GB）闪存技术。这款芯片采用了更小的41纳米制程，可以在同等面积下将闪存容量提升一倍，也就是说MMC大小的存储面积上就可以存32GB的数据，而microSDHC目前最大为8GB。     

赛普拉斯新型West Bridge控制器提供层多单元闪存支持能力

赛普拉斯半导体公司日前推出了一款具备多层单元（MLC）NAND闪存支持能力的新型West Bridge外设控制器，可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持。这款West Bridge Astoria控制器最高支持16个MLCNAND闪存设备，而MLCNAND闪存与相同存储密度的单层单元（SLC）NAND闪存相比。其成本降低了三倍。     

东芝计划耗资150亿日元生产25纳米闪存

东芝公司今年计划耗资150亿13元（约合1．6亿美元）兴建一条试验生产线，生产小于25纳米制程的NAND闪存芯片。     

美光利用34nmNAND工艺生产用于高端手机的最高密度多芯片封装产品

美光科技有限公司（Micron Technology，Inc．，）日前宣布，目前正推出业界密度最大的全集成式NAND多芯片封装（MCP）试用产品，这套解决方案含有16GB的多层单元（MLC）NAND，可供高端手机使用。该MCP产品充分利用美光业界一流的32GB34nm多层单元NAND技术，从而使公司能够在单一封装中实现这样高的密度。     

英特尔与美光将推出25纳米NAND闪存芯片

英特尔和美光科技近日预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。作为目前应用的最小的NAND闪存技术，25纳米生产工艺与2008年推出的34纳米技术相比将显着减小芯片的尺寸。     

IMFT推出20纳米制程的NAND闪存

近日,由英特尔（Intel）与美光（Micron）合资成立的IMFlashTechnology（IMFT）推出以20纳米制程生产之128GBNAND闪存。两家公司的20纳米制程的64GBNAND闪存也将进入量产;128GBNAND闪存预计于2012年进行量产。     

用于数字音频的AVR32MCU

具有高速通信功能的微控制器AT32UC3A3的核心是91DMIPSAVR32CPU，包含带On—The-Go功能的高速USB接F1、双高速SD／MMC卡接口，以及支持单层单元和多层单元、纠错码的SDRAM和3NAND闪存接口，适合快速增长的数字媒体解决方案和音频播放器基座，以及需要快速传输大量数据的广泛的嵌入式应用。     

SSD的现状及发展前景

半导体硬盘SSD(固态硬盘)由NAND闪存、NAND控制器以及用作缓冲存储器的DRAM所构成(见图1)。在SSD中,坏块管理、纠错编码(ECC)及单元调整等处理都由NAND控制器的闪存转换层(FTL)来执行。SSD的性能不仅取决于NAND闪存的性能,而且在很大程度上还会受到NAND控制器算法的影响。因此,在优化NAND控制器的设计时,需要考虑到NAND闪存的特性。本文将基于NAND闪存的器件技术及电路技术,以NAND控制器技术为中心,论述SSD技术的现状和今后的挑战等。     

东芝采用90nm处理技术使NAND闪存容量达到4GB水平

ToshibaAmericaElectronicComponents,Inc.(TAEC)(东芝美国电子元件公司)及其母公司东芝公司(ToshibaCorp.)为强化该公司在强大的高容量NAND闪存(flashmemory)开发与制造方面的领导地位,4月6日推出半导体行业第一种4GB单芯片(single-die)多级单元(MLC)NAND闪存。东芝还宣布推出     

2010年100GB闪存价格将降至100美元以下

100GB闪存将改写电子产品市场格局目前,NAND闪存的批量价格为6.3美元/GB～8.5美元/GB。在此基础上,如果今后存储器生产厂商能够按照每年50%的速度降低闪存价格,到2010年,100GB NAND闪存的价格将会达到1万日元(约