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简单阐述了PECVDSi_3N_4/SiO_2复合膜的钝化机理。介质电容高温准静态离子电流测试、125℃高温时NPN管漏电流I_CeO测试、正向eb结、反向eb结、齐纳结温度系数测试、芯片抗钠离子沾污试验及芯片钝化前后电参数定点测试五种实验取得了比较满意的结果,证实了PECVDSi_3N_4/SiO_2复合膜的钝化作用。最后对PECVD淀积介质膜的生长规律与均匀性做了初步探讨。 相似文献
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对快起动节流制冷器和集成式斯特林制冷机的最低制冷温度、制冷功率、起动时间、热负荷、控温转速和控温功率等进行了工程化研究,有效地解决了关键技术问题,减少热力损失、振动噪声和污染,提高密封性和装配技术水平等。还解决了制冷机的可靠性,寿命和存贮期等实用化问题。 相似文献
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对快起动节流制冷器和集成式斯特林制冷机的最低制冷温度、制冷功率、起动时间、热负荷、控温转速和控温功率等进行了工程化研究,有效地解决了关键技术问题,减少热力损失、振动噪声和污染,提高密封性和装配技术水平等。还解决了制冷机的可靠性,寿命和存贮期等实用化问题。 相似文献
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设计了一种专门用于锑化铟红外探测器器件工艺中钝化前的脱水处理工艺技术,包含脱水、干燥和表面处理等一系列的工艺步骤,可作为基于锑化铟材料的焦平面红外探测器器件中钝化前的标准化处理工艺,针对脱水工艺设计中遇到的问题对操作方式进行了重新设计和改进,避免了工艺引入杂质和离子对器件性能造成影响, 改进后的工艺在脱水处理后 采用高温烘干与吹扫相结合的方式对芯片进行干燥,并加入预处理工艺对脱水后钝化前的芯片进行表面处理,从而使锑化铟材料红外器件工艺适应各种环境湿度的工艺条件。 相似文献
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针对某型号探测器组件上用的Al2O3蓝宝石滤光片与可伐冷头钎焊的成品率低、后期失效问题突出等问题展开研究,找到了影响滤光片焊接成品率的几个关键因素,并针对这些因素提出解决方案,并通过一系列环境试验验证其可靠性,大幅提升了宝石窗口密封焊接工艺成品率。 相似文献
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随着InSb红外探测器关键尺寸的不断缩小,钝化膜应力的大小对器件I-V性能的影响越发明显。为了降低探测器芯片的应力,研究了一种由SiO2 和SiON组成的复合钝化膜体系。通过改变气体的射频时间,在InSb晶片上淀积厚度分别为300 nm、500 nm、700 nm和900 nm的钝化膜,测量并计算了不同厚度钝化膜的应力。当厚度为700 nm时,钝化膜的应力最小值为-1.78 MPa。研究了具有不同应力钝化膜的器件的I-V特性,发现厚度为700 nm时InSb芯片具有更加优异的I-V特性。通过调整复合钝化膜的厚度,降低了钝化膜的应力,有效地提升了InSb探测器的性能。 相似文献
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近红外滤光片和中红外带通滤光片在航天、气象和遥感等领域都有重要的应用。红外滤光片是让红外光透过而使其他波长光截止的滤光片,它的主要指标是峰值透过率。带通滤光片的重要指标是峰值透过率和通带半宽度。光学薄膜的膜系结构和具体设计对这些指标起决定性作用。本文主要介绍这两种滤光片的几例实际运用。 相似文献
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本文主要是以SiH4、N2O和Si3H4、NH3、N2作为气体源,在平行板电容耦合式淀积设备上,采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)法制备SiO2-Si3N4复合钝化膜。 相似文献
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国外红外探测器用小型致冷器,是随着尖端武器发展起来的一种专用的新技术。伟大领袖毛主席教导我们说:“一切反动势力在他们行将灭亡的时候,总是要进行垂死挣扎的。他们必然要采取军事冒险和政治欺骗的种种手段,来挽救自己的灭亡”。作为世界反动势力头 相似文献
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