Ag/SiO_2复合薄膜的表面等离子体共振吸收研究

用射频磁控溅射法制备了Ag/SiO2复合薄膜,通过改变沉积顺序和退火时间,制备不同形貌的金属颗粒复合薄膜,分析了颗粒形貌对表面等离子体共振吸收特性的影响。结果表明,当SiO2纳米颗粒镶嵌在Ag膜中,同Ag纳米颗粒镶嵌在SiO2中一样,也同样产生明显的表面等离子体共振吸收。     

热处理条件对硅酸盐玻璃中原位形成银纳米颗粒的影响

用离子交换结合热处理法制备银(Ag)纳米颗粒-玻璃复合材料.用透射电镜、高分辨透射电子显微镜、Ruthefford背散射谱和紫外-可见光吸收光谱研究了热处理条件对玻璃中原位形成Ag纳米颗粒的影响.结果显示:随着热处理温度升高,玻璃表面的Ag原子逐渐向玻璃内部扩散,其表面摩尔浓度逐渐降低.提高热处理温度和延长热处理时间都有利于提高玻璃中Ag纳米颗粒的体积分数.空气中,高温热处理高掺Ag量的白玻璃样品时发生二次成核,因此,Ag纳米颗粒尺寸呈双峰分布.Ag纳米颗粒尺寸的双峰分布导致其等离子体共振吸收峰出现双峰.在氢气气氛中,在250℃热处理2min,即可在玻璃中形成大量Ag纳米颗粒,颗粒尺寸小于空气中高温热处理样品的尺寸,从而引起表面等离子体共振吸收峰发生蓝移.     

Cu含量对Zn1-xCuxO薄膜光学性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备CuxZn1-xO薄膜,用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪研究薄膜的微结构、表面形貌、透射谱和光致发光谱,结果表明:薄膜均呈六角纤锌矿结构,随着Cu含量增加,薄膜平均晶粒尺寸先增大后减小,表面RMS粗糙度先减小后增大,紫外吸收边发生蓝移,薄膜在可见光波段范围内的平均透过率在80％左右.未掺杂ZnO薄膜中出现一个相对较弱紫光发射带和一个很强的绿光发射带,其它薄膜中出现一个紫光发射和一个蓝光发射带;紫光发射归因于导带以下的局域能级与价带之间的电子跃迁,绿光发射来自于氧空位缺陷能级与价带之间的电子跃迁.     

热处理对聚乙烯醇薄膜性能的影响

通过改变热处理温度和处理时间研究了热处理条件对聚乙烯醇薄膜性能的影响。结果表明，聚乙烯醇吹塑薄膜经热处理后结晶度增大。薄膜在130℃下热处理300s后，室温下水溶时间由未处理的1297s延长至2841s，增加119．04％；失重率增大4．6％；拉伸强度由未处理的23．86MPa增大至73．25MPa，提高207．00％，同时，断裂伸长率由未热处理的255％下降到100％，下降了60．78％；透光率由未处理的91．9％下降到88．5％。下降了3．70％。     

热处理对聚乙烯醇薄膜性能的影响

对聚乙烯醇薄膜进行了热处理,并测试了热处理后薄膜的力学、光学及电学性能,结果表明:增加热处理时间与升高热处理温度对改变聚乙烯醇薄膜的力学性能、光学性能和表面电阻率等效;随着热处理时间的增加或热处理温度的升高,其力学性能增强,光学性能略有下降,表面电阻率增大。     

热处理对BOPP薄膜性能的影响研究

介绍了热处理在BOPP薄膜生产中的作用,讨论了纵横向热处理对薄膜性能的影响。研究表明:纵向热处理对BOPP薄膜的结构和性能影响甚小;而横向热处理则影响很大;随着横向热处理温度的变化,BOPP薄膜的结构和性能将产生较大差异,其间存在一个最佳的温度值,需要根据工艺和设备进行优选。此外,热处理对BOPP薄膜的光学性能和收缩率产生显著影响,其中薄膜的雾度随热处理温度的上升而上升,光泽度随热处理温度的上升而下降; 收缩率随处理温度的上升而下降,尤其是横向收缩率的下降幅度最大。     

热处理对PVDF复合体系形态及性能的影响

利用ＤＳＣ、ＷＡＸＤ和ＳＥＭ等测试手段，研究了不同热处理条件下聚偏二氯乙烯合金／炭黑导电复合体系的结晶形态及正温度系数效应特性。结果表明，热处理可以改善基体结晶行为。使结晶度提高，从而使导电复合体系的室温电阻率下降、ＰＴＣ强度提高、ＰＴＣ曲线的重复稳定性变好。     

热处理对并列复合双组分聚酯长丝性能的影响

研究了热处理温度、时间及处理介质对并列复合双组分聚酯长丝的卷曲性能和力学性能的影响,结果表明:热处理温度对长丝的卷曲性能影响较大,卷曲率和卷曲回复率都随温度升高而增大,卷曲弹性率随温度升高而减小;热处理时间对长丝的力学性能影响不大;随着处理温度的增加,长丝的断裂强度、模量和取向因子略有下降,但是变化值并不大;不同的处理介质对长丝的力学性能影响较大。     

凝胶热处理方式对Fe-TiO2薄膜表面形态及亲水性能的影响

实验采用溶胶-凝胶法,以聚乙二醇（PEG）为致孔剂制备了仿生的Fe3+掺杂TiO2（Fe- TiO2）多孔薄膜。应用TG-DSC分析了凝胶薄膜的热分解行为,采用SEM、XRD及接触角测定仪等分析测试手段分别考察了两种热处理方式对形成薄膜的表面形态、相态以及亲水性的影响。结果表明：由恒温方式处理得到的薄膜连续无裂纹,其表面形成了分布均匀的、直径2～5 μm的球面形气孔,而升温方式得到的薄膜其表面形成了分布均匀的、直径约100 μm的葵花状斑块;溶胶不经陈化得到的薄膜为无定形,而经80 ℃、8 h陈化后制备的薄膜为锐钛型;采用Fe3+掺杂及在薄膜表面形成气孔,能显著提高TiO2薄膜的亲水性,并且恒温热处理方式得到的薄膜其亲水性优于升温方式得到的薄膜样品。     

热处理对电沉积制备CuInGaSe2薄膜的影响

CuInGaSe2薄膜太阳能电池因具有稳定、高效、低成本和环保等特点而受到国内外科学家的重视．采用Mo／钠钙玻璃衬底为研究电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系，在钼／钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用的CuInGaSe2薄膜．分析了不同热处理温度对电沉积制备的CuInGaSe2薄膜的影响，结果表明：当热处理温度为450℃时，所制备的CuInGaSe2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比，薄膜具有黄铜矿结构，颗粒均匀和致密性较好．     

工艺参数对TiO2薄膜性能的影响

研究了基本工艺参数（如聚乙二醇的添加量和分子量、热处理制度、薄膜层数）对溶胶凝胶法制备TiO2薄膜性能的影响。结果表明：添加分子量2000的聚乙二醇1．0g（相对于100ml溶胶）,以2℃/min的速度缓慢升温至550℃,保温1h,制得的TiO2 10层薄膜,表现出分解稀醋酸的光催化活性较好。     

In含量对Ge-In-Se薄膜光学特性的影响(英文)

采用磁控溅射法制备了Ge-In-Se硫系薄膜,利用X射线衍射、可见-近红外吸收光谱和Raman光谱分析等技术对Ge-In-Se硫系薄膜的相态、结构和光学特性进行了研究和分析。结果表明:该Ge-In-Se薄膜具有良好的非晶特性。Raman光谱分析表明:[GeSe4]四面体Ge—Se键的高频振动模式是该薄膜的主要振动模式之一,且Ge—Se键的振动强度随着In含量的增加而减小;当In的含量达到13.87%(摩尔分数)时,[GeSe4]四面体消失,而[InSe4]四面体的对称伸缩振动模式成为了主要振动模式。采用Swanepoel方法和经典Tauc方程计算发现:随着In含量增加,该薄膜的短波吸收限红移,折射率逐渐增大,光学带隙逐渐减小。     

TiO2/SiO2复合薄膜的形成历程与超亲水性关系

考察了溶胶-凝胶法制备TiO2／SiO2复合薄膜过程中,正硅酸乙酯(TEOS)的水解时间与膜的超亲水性的关系,通过XRD分析了SiO2添加量对TiO2锐钛矿晶型的影响,并研究复合薄膜的表面处理对其亲水性的影响。实验发现,当无因次反应时间为0．4时,复合薄膜的亲水性最好;SiO2的引入能够抑制金红石晶型的生长,最佳含量在10～20％。     

Optical Properties of Barium Strontium Titanate (BST) Ferroelectric Thin Films

Barium strontium titanate (Ba_0.05Sr_0.95TiO₃) ferroelectric thin films have been prepared on single crystal [001] MgO substrates using the pulsed laser deposition method. The X-ray diffraction (XRD) analysis show the films were oriented with the [001] direction perpendicular to the plane of the substrate. The refractive index of Ba_0.05Sr_0.95TiO₃ is determined from model fitting with the calculated data of the reflectivity of Ba_0.05Sr_0.95TiO₃ in the wavelength 1450-1580 nm at the room temperature. The dispersion curve decreases gradually with increasing wavelength. The average value of the refractive index is found to be 1.985 in the wavelength 1450-1580 nm which is important for optoelectronic device applications.     

Optical and Mechanical Properties of Thin PTFE Films,Deposited from a Gas Phase

Thin polytetrafluoroethylene (PTFE) films are produced by deposition from a gas phase by two methods: electron-enhanced vacuum deposition (EVD) and EVD + low-temperature plasma (LTP). Structure, morphology, and composition of the films are studied by IR spectroscopy, atomic force microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy. They are close to the structure of bulk PTFE. The roughness of the films’ surface is changed with gas pressure and LTP power variations. Films are transparent from UV to near-infrared regions. Refractive and extinction indices and their anisotropy are measured by spectral ellipsometry. They are tuned by variations of deposition conditions. Hardness and Young modulus of the films are increased if EVD + low power LTP is used for film deposition. Use of EVD + LTP also increases thermal stability of the films. Contact angle of the films corresponds to the bulk PTFE. The PTFE molecules oriented are preferentially in perpendicular direction to the substrate surface.     

SrBi_2Ta_2O_9薄膜的制备和铁电性能研究

用一种新的低温过程制备了SrBi2Ta2O9铁电薄膜。在Sol-Gel方法中用Pt/Ti/SiO2/Si作衬底,研究了薄膜的结构和电特性。SrBi2Ta2O9薄膜在淀积Pt上电极之前和之后都要退火,第一次退火在760乇氧压下600℃时退火30分钟,在第二次退火后薄膜结晶良好。     

掺Al的Ge-SiO_2薄膜的结构和光致发光性质

采用射频磁控溅射复合靶技术制备了掺Al的Ge SiO2 薄膜。薄膜在N2 保护下进行了不同温度的退火处理。采用FTIR ,XRD ,XPS分析了样品的结构。样品的PL谱结果表明退火温度、沉积温度以及样品中的Al含量对Al Ge SiO2 薄膜的光致发光的峰位和峰强有一定的影响。