上海市“硅单晶”及“硅的旋涡缺陷检测方法”标准审定会闭幕

4月27日至4月29日在上海市松江县召开了上海市“硅单晶”及“硅的旋涡缺陷检测方法”标准审定会。会议是在国家标准总局、上海市经委、科委的领导下召开的。出席会议的有:国家标准总局、上海市经委、科委、冶金局、计量局及市有关局、公司的领导机关和上海市硅材料和半导体元器件生产厂家、高等院校、研究所等43个单位,共92名代表。     

“上海市半导体工作者联谊会”首次会议

“上海市半导体工作者联谊会”首次会议于1987年3月11日在上海第二冶炼厂召开。参加联谊活动的有上海地区长期从事半导体材料与器件生产、科研、教学的专家、企业家60余人。市顾问委员会陶植同志出席了会议并讲了话,市有色总公司彭锋总经理和袁嘉良总工程师也应邀与会。会议人士以极大的兴趣,听取了上海第二冶炼厂关于从美国引进的目前国内规模最大的硅单晶、硅片和外延片生产线的介绍,并参观了施工现场。大家一致认为,半导体工作者联谊会,     

彭锋同志在上海市有色金属工业公司成立大会上的讲话

各位领导、各位同志: 在上海市人民政府和中国有色金属工业总公司的直接领导和关怀下,在有关部委和冶金局的大力支持下,上海市有色金属工业公司成立了。这是贯彻党中央大力     

直拉法生长硅单晶时采用减压工艺与气体导流

直拉硅单晶历来都是在真空或氩气氛条件下生长的。在真空中生长,有利于杂质挥发,但电阻率不易控制;在氩气氛条件下生长,则恰好相反,但需消耗大量氩气。特别在硅单晶生产进入大容量化之后,氩气的消耗是相当惊人的。如果高纯氩气的售价不能大幅度下降,硅单晶的成本也就无法降低。另外,直拉硅单晶工艺中用到石英坩埚。石英即二氧化硅,在熔硅与石英的反应中势必有大量氧被溶解,从而增加了硅单晶中的氧     

提高C_Z重掺锑硅单晶质量和成品率的研究

由于直拉重掺锑硅单晶存在截面电阻率均匀性差、杂质管道、杂质条纹、析出、位错等问题,在生产中不仅产品成品率低,而且产品的质量和数量都不能满足器件生产的需要。本文研究产生上述问题的诸因素,分析目前国内拉制重掺锑硅单晶的工艺和几种典型的热系统,提出运用减压拉晶法制备重掺锑硅单晶的工艺。这项工艺对提高直拉重掺锑硅单晶的质量和成品率都有明显的效果。     

直拉重掺硼硅单晶的研究进展

系统介绍了直拉重掺硼(B)硅单晶研究的最新进展。主要内容包括重掺B硅单晶的基本性质，利用重掺B籽晶进行无缩颈硅单晶生长技术，重掺B硅单晶的机械性能，重掺B硅单晶中的氧和氧沉淀，以及B的大量掺杂与大直径直拉硅单晶中空洞型(Void)原生缺陷的控制关系。在此基础上，探讨了当前直拉重掺B硅单晶生产和研究中存在的主要问题。     

上海市半导体材料2003年学术年会日前召开

上海市有色金属学会、上海市金属学会的半导体材料专业委员会于 2 0 0 3年 12月 17日在上海科学会堂召开了“2 0 0 3年上海半导体材料学术年会” ,出席会议的有 3 0多家科研院所、高校和生产厂家的 10 0多位有关领导和专家。半导体材料专业委员会主任王曦博士和副主任戴宁博士主持了会议。上海市集成电路行业协会理事会、上海市金属学会副理事长、宏力公司董事长邹世昌院士到会致词 ,中科院北京半导体研究所研究员梁骏吾院士、上海市集成电路行业协会副秘书长薛自教授等 10位专家作了精彩报告。其中 ,梁骏吾院士的报告题目为“Ⅳ族元素半导…     

中国制造出8英寸硅单晶抛光片

“直径 2 0 0mm(8英寸 )硅单晶抛光片高技术产业化示范工程”近日通过国家整体验收。承担此项目的北京有色金属研究总院 (科称“有研总院”)利用自主知识产权技术 ,形成了年产 6 0 0 0万平方英寸 8英寸硅单晶抛光片的生产能力。据介绍 ,这是我国目前建设成功的第一条可满足 0 2 5 μm线宽集成电路需求的 8英寸硅单晶抛光片生产线。有研总院院长屠海令介绍说 ,示范工程生产的硅单晶抛光片已在国内大批量应用 ,并向国际一流集成电路制造公司批量供货。如今 ,示范工程生产线运行状况良好 ,销量稳定增长。中国制造出8英寸硅单晶抛光片…     

在国产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条件摸索,成功实现了在国产设备上拉制φ101mm.区熔硅单晶.填补了空白,节约了外汇,打破了迷信,为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心.     

历产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大。大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产Φ１０１ｍｍ区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索，成功实现了在国产设备上搠制Φ１０１ｍｍ区熔硅单晶。填补了空白，节约了外汇，打破了迷信，为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心。     

CZ法硅单晶生长中(dT/dx)_(S-L)与热系统结构的关系

实验测量了用CZ法生长硅单晶时(dT/dx)_(s-L)与热系统结构的关系。△T-x曲线呈非线性。指出了曲线斜率发生较大变化的a点的位置在硅单晶生长中的重要意义。为硅单晶生产中设计热场提供了依据。     

在国产炉上研制区熔D101mm硅单晶

高反压，大电流电力电子器件的发展要求FZ硅单晶直径进一步增大，大直径FZ硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产D101mmFZ硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索。成功实现了在国产设备上拉制D101mmFZ硅单晶。填补了空白。节约了外汇。为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心。     

科技简讯

我国第一台直拉大直径硅单晶炉诞生大直径硅单晶是发展大觇模集成电略的关键材科,用大直径硅单晶切制硅片可以提高生产率和材科利用率,从而降低成本。为把我国硅单晶材料的生产提高到一个新的水平,上海有色金属研究所自行设计、自行制造了一台高达6.5米的大直径硅单晶炉,为拉制大直径硅单晶准备了条件。经调试和投料11公斤试拉表明,各项性能均达到预定的指际:投料量可达16公斤以上,真空度达10~(-5)乇,温度控制情度达±0.5℃,可用于高真空、低真尘、充氩或     

Φ105 mm区熔硅单晶的生长工艺研究

介绍了FZ硅单晶的熔区悬浮原理 ,说明了生产Φ10 5mmFZ硅单晶所用多晶原材料的技术标准 ,通过对不同形式的加热线圈进行分析 ,指出了较理想的加热线圈 ,讨论了反射器和改进后的晶体夹持装置的具体应用。对Φ10 5mmFZ硅单晶的关键生长工艺进行了描述     

硅单晶退火工艺研究

一前言近年来,电子工业的飞速发展,不断对硅单晶性能提出新的要求,特别是改善硅单晶电学参数的稳定性,已成为突出的质量问题之一。为此,国内各高等院校和科研单位对此进行了大量的研究,推动了硅单晶热处理工艺的进展。我厂在这个基础上,开始摸索热处理工艺。本工作着重对硅单晶电阻率稳定性,进行一系列不同温度下的热处理试验,其试验     

上冶半导体材料硅的生产和发展

上海冶炼厂硅材料生产开始于1970年,迄今已有十二年历史,现在我厂采用三氯氢硅还原法生产高纯硅,硅单晶的产量,在原设计的生产能力上增长了一倍;产品由单一的直拉单晶,发展了区熔硅单晶;产品的品种规格,按不同的型号,晶体直径和电阻率的参数进行生     

可拉制电阻率高度均匀硅单晶的FCCZ法

FCCZ 法是由日本东芝公司研究开发的一种生产硅单晶的新技术。东芝公司于1988年4月7日首次公布了一些简单数据,宣称:①用本技术生产的硅单晶头、尾电阻率偏差可控制在3%以内;②片子内电阻率偏差可减少到6%;③用这种技术生产硅片的成本,IC 用硅片可减少30%,大功率用硅片可减少35%。东芝公司半导体技术部部长平野均在     

上海市金属学会一九八五年度有色金属年会即将举行

上海市金属学会有色金属学术委员会和半导体学术委员会联合举办的一九八五年度有色金属年会经过积极的筹备,得到上海各厂、科研院所和大专院校的领导和科技人员     

单晶硅悬浮区熔炉的发展和设计要点

自七十年代以来,电子工业的发展异常迅速,这与其主要的基础材料—半导体硅单晶制备技术的日益提高紧密相关。当前,硅单晶产量的四分之三以上是用直拉法生产的,主要用于各种规模和类型的集成电路、分立元件和光电器件上。但是在冶金,机     

区熔硅单晶掺杂公式的探讨

中子嬗变掺杂法已广泛应用于区熔硅单晶生产中,然而常规掺杂法具有方法简易灵活,生产周期短,成本较低的特点,仍不失其使用价值。本文从真空提纯理论入手,引入了掺杂区熔后料棒杂质浓度的表达式,得到了适用于区熔硅单晶生产的常规掺杂公式并进行了有关工艺理论上的探讨。