共查询到10条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
3.
《中国新技术新产品》2020,(17)
太阳能电池是当前理想的可再生能源,因此多种太阳能电池成为研究热点,其中硅晶太阳能电池更是备受关注,但是其转换效率是当前的难题之一。该文对硅晶PN结的光谱特性与结深关系进行分析,提出了可响应多波段的双PN结光电池结构,该结构可减少热损失/量子损失,从而提高转换效率。 相似文献
4.
利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(~3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性. 相似文献
5.
一、引言硅器件与集成电路中广泛采用Al作为欧姆接触材料,常规的合金化工艺(例如在N_2中于500℃下加热20分钟)对浅结常会引起所谓尖峰效应,导致PN结的特性变坏甚至短路。 相似文献
6.
通过选择性离子注入,在硅片表面形成P区、N区紧密接触的PN结结构.实验发现,在黑暗条件下,PN结N型区域可被HF酸或BOE溶液选择性腐蚀;该腐蚀速率与HF酸溶液浓度有关,随环境温度升高而加快,腐蚀速率范围为0.25~3.5nm/min;腐蚀后硅片表面平整.对腐蚀机理进行了初步讨论.结合氧化硅蚀刻缓冲液(BOE溶液)氧化硅牺牲层腐蚀技术,发展出一套硅纳米线加工工艺;利用该工艺,加工出特征尺寸小于100nm的硅纳米线. 相似文献
7.
8.
基于MEMS技术在P型<100>晶向双面抛光单晶硅片上制作c型硅杯,在C型硅杯上表面扩散P+,采用磁控溅射法在扩散区上制备择优取向为<0002>晶向的n-ZnO薄膜,形成n-ZnO/P-Si异质结.采用HP4280A型C-V特性测试仪分析n-ZnO/p-Si异质结的C-V特性,该异质结为突变结.采用HP4145B型半导体参数测试仪分析n-ZnO/p-si异质结,I-V特性,结果给出,n-ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,电流随外加偏压按指数函数增加,反向电流不饱和,采用突变异质结的正反向势垒能带结构对其,I-V特性进行分析. 相似文献
9.
根据固体物理的基本理论,通过测量PN结的正向伏安特性,采用非线性回归方法计算了电子电荷量,该值与公认值的误差仅为1.19%。该项研究结果拓宽了测量电子电荷量的渠道,有一定的参考意义和应用价值。 相似文献