半导体P-N型温差发电器件热电性能研究

区熔法工艺制备的Ti2Be3温差发电材料,以PN结为研究对象。通过有限体积法对单对半导体PN结模型的温度、流场进行模拟,并用热阻分析法对传热过程进行计算,考虑热电转换过程受PN结空腔内气体对流、热传导和辐射的影响。研究结果表明,数值模拟和热阻分析法所得结果吻合,芯片传热过程中陶瓷基板热阻耗散46%的温差,且当热端温度达1 000K时,辐射传热量占总传热量的37%;因此对半导体PN结模型进行优化,适当降低陶瓷基底热阻有利于提高半导体PN结实际温差和应用价值。     

PN结正向压降温度特性实验的几点改进措施

本文讨论了PN结正向压降温度特性实验中容易出现的几个问题,并提出了相应的改进措施。     

提高转换效率的双PN结太阳能电池结构

太阳能电池是当前理想的可再生能源,因此多种太阳能电池成为研究热点,其中硅晶太阳能电池更是备受关注,但是其转换效率是当前的难题之一。该文对硅晶PN结的光谱特性与结深关系进行分析,提出了可响应多波段的双PN结光电池结构,该结构可减少热损失/量子损失,从而提高转换效率。     

一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(~3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物（ITO）,p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.     

Al-Si10秒钟快速退火的接触性能研究

一、引言硅器件与集成电路中广泛采用Al作为欧姆接触材料,常规的合金化工艺(例如在N_2中于500℃下加热20分钟)对浅结常会引起所谓尖峰效应,导致PN结的特性变坏甚至短路。     

BOE溶液腐蚀PN结N型区域现象

通过选择性离子注入,在硅片表面形成P区、N区紧密接触的PN结结构．实验发现,在黑暗条件下,PN结N型区域可被HF酸或BOE溶液选择性腐蚀;该腐蚀速率与HF酸溶液浓度有关,随环境温度升高而加快,腐蚀速率范围为0．25～3．5nm／min;腐蚀后硅片表面平整．对腐蚀机理进行了初步讨论．结合氧化硅蚀刻缓冲液（BOE溶液）氧化硅牺牲层腐蚀技术,发展出一套硅纳米线加工工艺;利用该工艺,加工出特征尺寸小于100nm的硅纳米线．     

Mg_2Si/Si异质结的制备及I-V特性研究

采用磁控溅射和热处理系统制备Mg_2Si/Si异质结。首先在n-Si(111)衬底上沉积Mg膜,经热处理后得到Mg_2Si/Si异质结。利用XRD、SEM、表面轮廓仪、伏安特性测试仪和霍尔效应测试仪,研究了Mg_2Si/Si异质结的晶体结构、表面形貌、Mg_2Si薄膜厚度、I-V特性及导电类型。结果表明,成功制备了Mg_2Si/Si异质结,并得到其平均载流子浓度(-9.30×1012 cm-3)、导通电压(0.31V)、导通电流(0.6mA)、工作电压(0.53V)等,测得该异质结为n-n型。     

基于MEMS制作n-Zn0/p-Si异质结及特性

基于MEMS技术在P型<100>晶向双面抛光单晶硅片上制作c型硅杯,在C型硅杯上表面扩散P+,采用磁控溅射法在扩散区上制备择优取向为<0002>晶向的n-ZnO薄膜,形成n-ZnO/P-Si异质结.采用HP4280A型C-V特性测试仪分析n-ZnO/p-Si异质结的C-V特性,该异质结为突变结.采用HP4145B型半导体参数测试仪分析n-ZnO/p-si异质结,I-V特性,结果给出,n-ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,电流随外加偏压按指数函数增加,反向电流不饱和,采用突变异质结的正反向势垒能带结构对其,I-V特性进行分析.     

测量电子电量的又一种可行方法

根据固体物理的基本理论，通过测量PN结的正向伏安特性，采用非线性回归方法计算了电子电荷量，该值与公认值的误差仅为1．19％。该项研究结果拓宽了测量电子电荷量的渠道，有一定的参考意义和应用价值。     

电学法热阻测试切换误差评估方法研究

半导体器件电学法热阻测试过程中，电流切换带来的误差是影响测试准确性的重要原因，且该误差目前尚无有效方法评估。在对误差原理分析基础上，设计了“双芯片”测试回路结构避免电流切换，得到不含切换误差的结温参考量值，实现了对仪器测试结果的有效评估。结果显示，该方法能够对热阻测试仪切换过程误差进行定量评估，在热阻测试仪计量方面具有较好的实际意义。