对铌锑锆钛酸铅系压电陶瓷的掺杂改性

通过对铌锑锆钛酸铅三元系固溶压电陶瓷的掺杂改性试验,发现以不同的等价离子如Ba~(2+)、Sr~(2+)等取代Pb~(2+)和以不同的金属离子如Nb~(5+)、La~(3+)、W~(6+)Fe~(3+)、Cr~(3+)、Mn~(3+)等掺杂(掺杂量0.5mol％～0.1mol％)对固溶铌锑锆钛酸铅陶瓷的压电、介电性能的影响明显不同。该文还讨论了烧结温度和保温时间对晶粒尺寸的影响。     

制造工艺对铌锂锆钛酸铅陶瓷压电特性的影响

研究了制造工艺对铌锂锆钛酸铅(PLN)三元系陶瓷压电特性的影响。以研究结果为据调整工艺条件,从而获得了一种高温稳定性好的压电陶瓷,200℃相对于25℃时,Δf_r/f_r为2.1×10~(-2),Δε_(83)~T/ε_(3a)~T为44×10~(-2),Δk_p/k_p为-3×10~(-2)。     

镨掺杂对锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响

用固相反应法制备了镨掺杂锆钛酸铅（PZT）压电陶瓷,研究了镨掺杂对材料性能的影响。样品是在锆钛比为变量，镨含量为3％（摩尔比），制备工艺相同的条件下进行的。对其压电和介电性能测试结果表明：与未掺杂PZT相比，掺镨后的PZT相界发生了移动，即移向了富锆的一端，其在锆钛比约为1.17-1.27之间；居里温度Tc随锆钛比的增加而降低，在本研究的系统内，锆钛比最小和最大时分别为1.04和1.50，其相应的居里温度分别为330℃和278℃；压电系数d33、机电耦合系数kp及介电常数ε/ε0均在1．17处达最大值，d33=420pC/N,k0=0.53;极化前的ε/ε0达1400，极化后ε33^T/ε0达2000；介电损耗tanδ随锆钛比的增加呈上升趋势，而机器品质因数Qm大幅度下降，在锆钛比为1．17处达最小值75。     

锑锰锆钛酸铅压电陶瓷的MnO2改性研究

探讨了MnO2过量对锑锰锆钛酸铅(Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3,简写为PMSZT5)压电陶瓷的性能影响。通过X线衍射(XRD)分析了PMSZT5+z%MnO2(z=0～0.7,质量分数)陶瓷的相组成。结果发现,合成温度900℃保温2h后可得到完全钙钛矿结构。随着锰含量的增大,体系从准同型相界向三方相转变。z>0.1、1 240℃烧结温度下,介电常数ε3T3/ε0、压电常数d33、机电耦合系数kp达到最佳值,即ε3T3/ε0=1 560、d33=350pC/N、kp=0.63。该组成的谐振频率fr、横向机电耦合系数k31和压电常数d31的温度稳定性与未掺杂相比有所改善。过量锰的加入使PMSZT5的居里温度降低。     

HfO2含量对铌锑锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响

针对Pb(Sb,Nb)O3-Pb(Zr,Ti)O3压电陶瓷制备过程中谐振反谐振频率差值Δf出现的波动现象,利用配料递减称量法,研究了HfO2含量对Pb(Sb0.5Nb0.5)0.08Zr0.50Ti0.42O3+1.5%(质量分数)MnO2三元系压电陶瓷的晶相结构、微观形貌和电性能的影响。同时分析了ZrO2原料中HfO2杂质的成因。结果表明:HfO2在该三元系压电陶瓷中属于无害但无用的杂质。通过调整ZrO2配料含量,可以使其Δf控制在合格范围内(7.0~8.0kHz),而且其他的电性能基本保持不变。     

镧掺杂钛酸铋钠钾系无铅压电陶瓷的制备工艺

利用XRD、SEM等技术分析方法,研究了工艺条件对[(Na0.5Bi0.5)0.82(K0.5Bi0.5)0.18]1-xLaxTiO3(x=0~0.1)无铅压电陶瓷的物相组成、显微结构和压电性能的影响。结果表明:提高合成温度至870~900℃有利于主晶相的形成;在1130℃下烧结可得到高致密样品。同时研究了极化工艺条件对材料压电性能的影响:极化温度保持在80~100℃之间,极化电场强度为4MV/m可以得到较好的压电性能。     

FTO玻璃衬底上锆钛酸铅多层膜的微结构与光学特性

应用化学溶液沉积法,在涂布氟掺杂SnO2的玻璃衬底上制备了具有16个周期的PbZr0.4Ti0.6O3多层膜,并对其微结构与光学性能进行了研究.测试表明,玻璃基底上的PbZr0.4Ti0.6O3多层膜具有均匀、平整、致密和无裂纹的表面形貌,呈现出由致密层和多孔疏松层交替排列构成的层状结构,且具有单一钙钛矿相.在350～900nm的波长范围内,反射光谱曲线上存在一个中心波长位于450nm、带宽约为41nm、峰值反射率超过91%的高反射率带;与反射光谱相对应,在相同频段的透射光谱曲线上出现了一个与反射带等宽、中心波长位于450nm的透射谷,谷的最小透过率小于6%.这项研究进展对拓展铁电多层膜的应用范围将有积极作用.     

钛—锆合金系的中子衍射性能探讨

钛和锆的合金系属连续置换成固溶体。钛的热中子散射相位与锆的热中子散射丰位成及相关系。它们的散射方式分别是:b=-0.38×10_(-12)厘米;b=-0.62×10_(-12)厘米,含钛62％（原子）和锆38％（原子）的合金。在它的中子衍射图中不出现衍射峰。这时制作不希望出现热是子散射的装置时,是极为有用的。在同一元素的各同位素对热中子散射呈正负方位基础上,提出了同位素合金新概念。     

液晶材料与STN型液晶盒制造工艺的适应性探讨

本文叙述了在TN型液晶器件制造过程中,液晶材料的选择特点,STN型液晶器件与TN型液晶器件液晶材料选择的区别及STN型液晶器件的液晶材料选择要点,最后本文还对STN型液晶器件制造过程中液晶材料的选择与配制作了简要概述。