从CARBON 2003国际会议看当今炭材料科学的研究热点和发展趋势

Carbon2 0 0 3于 2 0 0 3年 7月 6日至 10日在西班牙北部的海滨小城Oviedo举行。本次会议由西班牙炭素学会承办。来自世界各地 38个国家约 4 2 0位学者参加了这次会议。与会代表中人数较多的国家有西班牙、日本、美国、法国、德国、英国和韩国。因突如其来的“非典”的影响 ,我     

CARBON2002在北京召开

每年召开一次的国际炭素会议是炭素领域最重要和规模最大的学术交流系列会议 ,世界各国从事炭材料研究方面的著名学者和科研人员在会上介绍他们的最新科研成果及在该领域的最新动态。 2 0 0 2年度国际炭材料会议于 2 0 0 2年 9月 15至 2 0日在北京清华大学举行。本次会议由 2 0 0 2国际炭会议组委会、中国电工技术学会石墨 -炭材料专业委员会和中国金属学会炭材料委员会协调组织 ,中国科学院金属研究所、中国科学院山西煤炭化学研究所和清华大学联合承办 ,得到了中国自然科学基金委、科技部、中国科学院及国内外企业的支持。来自世界各地约 …     

2001年亚太实验室认可合作组织（APLAC）大会在北京召开

第 1 5届ＡＰＬＡＣ大会于 2 0 0 1年 1 0月 2 2日～ 2 6日在北京召开 ,来自于亚太区域 1 8个国家或地区的 2 4个实验室认可机构的近 80名代表参加了此次会议。本次大会由中国实验室国家认可委员会 (ＣＮＡＣＬ)和中国国家出入境检验检疫实验室认可委员会 (ＣＣＩＢＬＡＣ)共同承办 ,这是我国国家实验室认可机构首次承办ＡＰＬＡＣ年会 ,既反映了国际组织对我国经济发展充满信心 ,也体现了他们对我国实验室认可工作的肯定和重视。亚太实验室认可合作组织 (ＡＰＬＡＣ)成立于 1 992年 ,旨在增强亚太地区实验室认可机构之间以及对实验室认可工…     

纳米炭材料国际会议在日本召开

纳米炭材料国际会议 (ＮａｎｏＣａｒｂｏｎｓ 2 0 0 1)于2 0 0 1年 11月 13日至 16日在日本的长野市召开。会议主席由日本信州大学的远腾 (Ｅｎｄｏ)教授和东京工业大学的安田 (Ｙａｓｕｄａ)教授共同担任。来自世界各地的 35 0位代表参加了会议 (其中日本代表有近百人 ) ,有 2 0多家从事纳米炭材料研制和开发的公司和部分仪器制造公司在会上进行了展览或宣传 ,共有 15 0篇学术论文在会上进行了交流 ,其中口头报告 5 0多篇。我国清华大学的康飞宇参加了会议 ,并有 3篇论文在会上进行了交流。此次大会是今年在日本举行的又一次纳米材料与纳…     

第23届IMAC在美国奥兰多成功召开

第 2 3届 IMAC国际会议于 2 0 0 4年 1月 31日至 2月 3日在美国弗州奥兰多市召开。 IMAC原为“国际振动模态分析会议”的缩写 ,由于 IMAC的成功和相关技术的发展 ,2 0世纪 90年代后期会议名称扩展为“IMAC国际结构动力学会议”。本届会议是近年来规模最大的一次 ,充分表明了 IM     

美国真空学会“AVS-52”在波士顿召开

“美国真空学会第五十二届国际会议和展览会（AVS-52）”于2005年10月30日～11月4日在波士顿（Boston）召开，北京清华大学电子工程系查良镇教授应邀出席大会并作了学术报告。     

第23届IMAC在美国奥兰多召开

第 23届国际振动模态分析会议 (缩写IMAC)于2005年 1月 29日至 2月 5日在美国费州奥兰多市召开。由于IMAC的成功和相关技术的发展, 20世纪 90年代后期会议名称扩展为“IMAC国际结构动力学会议”。本届会议是近年来规模最大的一次,代表多达六百余人。我国上海交通大学振动、冲击     

CARBON2002会议文集题录

(ＣＯＮＴＥＮＴＳＯＦＣＡＲＢＯＮ 2 0 0 2 )1 .1　具有有序纳米孔结构的炭材料的新制备工艺1.2　一种新型的纳米孔结构的炭化硅复合材料的合成技术1.3　用模板法合成均匀有序的多孔炭1.4　通过氮吸附和表面光谱分析研究有序中孔炭ＣＭＫ 5的表面及其孔结构2 .1　碳纳米管在电子场发射器研究领域的挑战和进展2 .2　等离子弧制备单壁碳纳米管的形成的新控制因素2 .3　ＨＰＬＣ中的特种金刚石2 .4　负载纳米级金属颗粒的炭薄膜的合成及微结构2 .5　Ｎｉ涂层碳纳米管聚合物复合体的微波介电常数和渗透性3.1　中子照射对石墨造成的损伤及对其…     

第24届IMAC国际会议在美国St．Louis市成功召开

第24届IMAC国际会议于2006年1月30日～2月2日在美国圣路易斯市召开。由（美国）试验力学学会组织的IMAC会议原名国际振动模态分析会议，由于IMAC的成功和相关技术的发展，90年代后期会议名称扩展为“IMAC国际结构动力学会议”。自此，IMAC内容大大增加。领域也大大扩展，成为振动工程界规模最大的盛会。本届会议有来自世界二十多个国家的600名代表参加，包括海内外十多位中国学者。     

第二十四届双年度炭会议简况

第２４届双年度炭会议于１９９９年７月１２～１６日在美国南卡罗来纳洲（ＳｏｕｔｈＣａｒｏｌｉｎａ）查尔斯顿（Ｃｈａｒｌｅｓｔｏｎ）举行。会议共收到４０２篇论文，有２９个国家和地区的代表参加。其中活性炭领域的论文占１３％；吸附和表面科学的占２３％；炭纤维的占８％；炭纤维复合材料占１４％；能量储存用炭于占９％；金刚石和气相沉积炭占３％；富勒烯和纳米管占５％；工业应用占８％；插层占２％；中间相，炭化和石墨化占１０％；反应和气化占５％。大会由ＦｒｅｄＢａｋｅｒ（大会主席），ＴｉｍＢｕｒｃｈｅｌｌ（学术主席…     

Rand 教授和利兹大学炭材料研究简介

Brian Rand是英国利兹大学材料系主任 ,教授 ,英国材料学会会员 (FIM) ,担任过英国化学工业学会炭材料分会主席 ,Carbon,British CeramicTransactions及《新型炭材料》编委。他在陶瓷和耐火材料系统的流变性方面颇有研究 ,于 1 986年获美国陶瓷学会 Alfred W Allen奖。他多年来从未间断过对炭材料的研究 ,是最早对沥青及中间相沥青流变性进行系统研究的学者。他在炭材料研究方面迄今已发表学术论文 1 50余篇 ,而且在多本书及手册中著有专章。他在沥青及中间相沥青的流变学方面作了许多开创性工作。他在国际炭材料会议上多次作大会演讲…     

2000年欧洲炭会议(第一届国际炭会议)简况

20 0 0年欧洲炭会议 (第一届国际炭会议 )于2 0 0 0年 7月 9日～ 1 3日在德国柏林举行 ,有 30个国家和地区的代表参加。会议收到论文 52 0篇 ,其中材料与前驱体占 1 0 % ;吸附与表面科学占 2 6% ;炭化与石墨化占 7% ;纤维及复合物占 1 4% ;炭的界面及化学修饰占 8% ;反应和催化占 7% ;工业应用占 1 3% ;煤及生物质的反应占 4 % ;新型炭占1 1 %。大会由 Peter Scharff和 Wilhelm Forhs主持。共分九个专题在四个会场进行交流 ,每个专题又分数个方面 ,具体如下 :( 1 )材料与前驱体包括沥青、石墨、煤、烃类、石油及生物质等原料的加工及改性 …     

2001年美国炭会议(第二届国际炭会议)论文集题录

1 .1　多孔钽基金属腓1.3　细胞 分子对于电刺激造骨细胞的反应1.4　热解炭殖入物中原子氧的评估1.5　波兰炭纤维医学经验的评估1.6　炭纤维基复合材料治疗硬组织损伤2 .1　炭材料变形和断裂的一些样态2 .3　热压对ＣＶＩ法渗透的炭 炭复合材料的微结构和机械性能的影响2 .4　Ｗａｒｒｅｎ Ｂｏｄｅｎｓｔｅｉｂ方程解释无序碳的特征2 .5　微波辐射法对各向异性和各向同性沥青基炭的进一步炭化2 .6　浸润炭纤维毡的表面的结构和性质3 .1　中孔炭分子筛的表面化学3 .2　氧化对于ＰＥＴ基活性炭表面性能的影响3 .3　活性炭表面Ｎ ,Ｏ 和Ｈ 的…     

炭/炭复合材料抗氧化涂层厚度的光学金相测量

选用A，B，C和D四个炭／炭复合材料试样进行抗氧化涂层厚度的光学测量研究。其中试样A和B孔隙度相同，均为15．85％，对其涂覆粒径分别为1μm和10μm的B4C涂层；试样C和D孔隙度分别为13．52％和16．78％，对其均涂覆粒径为10μm的B4C涂层。通过光学金相测量分析其涂层厚度。结果表明，当试样孔隙度相同时，涂层材料粒度越小，其涂层厚度越厚；当抗氧化涂层材料粒度相同时，试样孔隙度越大，涂层厚度越厚。同时，在抗氧化涂层厚度计算过程中，对试样组织内部没渗透抗氧化涂层的孔隙需进行图像处理，以期得到涂层厚度的准确值。     

炭/炭复合材料切削加工试验研究

探讨了Ｃ／Ｃ复合材料结构和机构物理性能的特殊性及机构切削加工的特点。用ＳＥＭ观察了不同切削条件下切屑的断口形貌。用５种不同的刀具材料、刀具角度及几何开头相同的刀具，在一定的切削工艺参数条件下，对该材料进行切削试验，以刀具有前刀面和／或后刀面的磨损率为判据，最佳刀具材料为ＹＧ８，在切削Ｃ／Ｃ复合材料的过程中，轨具的磨损极为严重，刀具磨损的主要机理是粘着磨损和磨粒磨损。     

半导体桥电热性质初探

介绍了半导体桥(SCB)发火器件的工作机理。通过对恒流作用下V型半导体桥的电热特性建立数学模型,得出了SCB的夹角越小、发火电流越大则发火时间越快的关系。但是,由于夹角受到半导体桥临界能量的影响,存在一个最小值,也是V型角的最佳角度。本文同时给出了一个计算升温时间的公式。     

半导体桥电热性质初探

介绍了半导体桥(SCB)发火器件的工作机理。通过对恒流作用下V型半导体桥的电热特性建立数学模型,得出了SCB的夹角越小、发火电流越大则发火时间越快的关系。但是,由于夹角受到半导体桥临界能量的影响,存在一个最小值,也是V型角的最佳角度。本文同时给出了一个计算升温时间的公式。