Preparation of GaN Nanorods by Rare Earth Metal Tb Catalyst-Assisted Process

利用稀土金属Tb作为催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga203/Tb薄膜制备出GaN纳米棒.X射线衍射和傅里叶红外吸收谱测试结果表明,制备的样品为六方结构的GaN.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜对样品进行测试,结果显示样品为单晶结构的纳米棒,直径为80～200 nm,长度达几十微米.最后简单地讨论了GaN纳米棒的生长机制.     

氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.     

氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.     

GdPO4:Eu纳米棒束的熔盐合成及其发光性能研究

采用等摩尔硝酸钠硝酸钾作为反应介质,利用熔盐法制备了GdPO4:Eu纳米棒束。利用X射线衍射、红外光谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、荧光光谱和荧光寿命等测试手段对GdPO4:Eu纳米棒束的结构、形貌和发光性能进行了研究。X射线衍射结果表明,样品在250℃开始结晶,450℃结晶完全。扫描电子显微镜和透射电子显微镜研究表明,产物主要由结晶度高的纳米棒组成的宽50～60nm,长600～1200nm的纳米棒束。发射光谱和激发光谱的研究结果表明:5D0-7FJ特征发射峰强度和激发光谱的强度随烧结温度的提高而增强,最佳掺杂浓度约为7%。     

氧化锌纳米棒束的制备、表征及性质研究

以水合醋酸锌和水合肼为反应物,在不使用任何表面活性剂的条件下,采用一种简单温和的液相法制备了氧化锌纳米棒束.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对所得产物的结构和形貌进行了表征,利用荧光光谱仪对产物的室温发光性质进行了测试.测试结果证明所得产物为定向排列的纳米棒自组装而成的尺寸均匀、结晶良好的氧化锌纳米棒束,单根纳米棒的直径20～30 nm,其相结构为六方纤锌矿氧化锌.所得产物在紫外区381 nm处具有一个尖锐的发光峰,在400～600 nm的可见光区域的发光被显著减弱,显示了优良的发光性质.     

球状纳米硅氧化物的制备

以硅、二氧化硅为原料,采用水热沉积法制备了球状纳米硅氧化物。用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能量色散谱仪、荧光光度计等测试手段观测了样品的形貌,分析了样品的成分、结构及光致发光（PL）特性。扫描电镜、透射电镜的研究结果表明,所得样品为高纯、直径较均匀的球状纳米硅氧化物。选区电子衍射结果表明,所得纳米硅氧化物球为无定形结构。PL测试表明,样品具有较强的蓝光发射能力。     

溶剂热法水热后处理合成ZnS纳米棒

采用水热后处理方法将片状、共价键结合的有机-无机复合硫化物ZnS·0.5en放入热液中热解,制备六方纤锌矿结构ZnS纳米棒,利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、红外吸收光谱仪分析了水热后处理对ZnS的晶体生长和结构形貌的影响.结果表明ZnS纳米棒是单晶结构,长度达1μm,直径约有30～40nm.纳米ZnS纳米棒的生长符合溶剂配位分子模板机理.     

约束弧等离子体制备碳包覆铁纳米颗粒的性能

采用约束弧等离子体技术制备碳包覆铁纳米颗粒,利用X射线衍射、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、X射线能量色散分析谱仪和N2吸附等测试手段对样品的化学成分、形貌、微观结构、比表面积和粒度等特征进行表征分析。结果表明：采用约束弧等离子体技术制备的碳包覆纳米金属颗粒具有明显的核？壳结构,内核金属为体心立方结构的铁,外壳为无定形碳。颗粒大多呈球形和椭球形,粒径分布在15～40nm范围内,平均粒径为30nm,内核粒径为18nm,外层碳的厚度为6～8nm,比表面积为24m2/g。     

ZnO／Ga2O3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响

通过在不同温度下氨化ZnO／Ga2O3膜，在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料。氨化前，ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上。用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分，利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌。通过对测试结果的分析可知在Si衬底上由ZnO挥发辅助生长出六方纤锌矿GaN纳米结构晶体，并且ZnO／Ga2O3的氨化温度对形成GaN纳米材料具有明显的影响。     

CdS纳米棒的化学浴沉积法制备和机理研究(英文)

采用化学浴沉积法制备了高纵横比的CdS纳米棒。二苯硫腙(DPTA)作为有机添加剂用于合成CdS纳米棒。用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)表征样品的结晶性能和微观结构。XRD结果表明,样品中同时存在六角相和立方相,当pH值为10.5时,六角相CdS的(111)峰的衍射强度最大,同时出现立方相CdS。TEM结果显示,可以通过调节pH值控制CdS纳米晶的形貌,当pH值为10.5时,CdS纳米棒的纵横比最大,直径约50nm,长约3μm。对CdS纳米晶电学性能的研究表明,与用PVA作为添加剂和在纯乙醇中制备的CdS纳米棒相比,用DPTA作为添加剂制备的CdS纳米棒具有更低的电阻值。这是因为DPTA分子中存在2个大π键,有利于电子的传输。还讨论了CdS纳米棒的生长机理和DPTA修饰CdS纳米棒中的电子转移。     

镍纳米颗粒填充碳纳米管的制备和表征

采用阳极弧放电等离子体技术制备了Ni纳米颗粒填充的碳纳米管,并利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、拉曼光谱(Raman)和X射线能量色散分析谱仪(XEDS)等测试手段对样品的化学成分、形态和物相结构等特征进行了表征。结果表明,采用本实验的方法能获得大量的被纳米金属颗粒填充的碳纳米管,内部填充物为fcc结构的Ni纳米颗粒,外围薄层为石墨碳层。碳纳米管的外径在30~40nm范围内,壁厚5~8nm,内部填充的纳米颗粒呈球形和椭球形,粒径均匀。     

氨化Ga2O3 /Nb膜制备的GaN纳米线的光学和微观结构特性的研究

采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900℃下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线.用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜详细分析了GaN纳米线的结构和形貌.结果表明:采用此方法得到的GaN纳米线有直的形态和光滑的表面,其纳米线的直径大约50nm,纳米线的长约几个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于367 nm的很强的紫外发光峰.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.     

氧化铟锡八面体纳米结构的制备及发光性能研究

本文利用了一种简单的热蒸发法制备出了氧化铟锡(ITO)八面体纳米结构,借助X射线衍射分析仪、能谱分析、场发射扫描电子显微镜以及透射电子显微镜观测样品的结构形貌以及成分分析,结果显示ITO八面体纳米结构每个棱的长度在50～300 nm之间,所得到的晶体棱角分明.利用分光光谱仪观测样品的发光性能,发射中心分别处于417 n...     

锰酸锂多孔纳米结构的制备及其表征（英文）

利用柠檬酸辅助溶胶-凝胶法制备了锰酸锂多孔纳米结构,其中柠檬酸起着络合剂和燃烧供热剂的双重作用。所得产物用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜进行表征并测试其比表面积、孔径分布。结果表明,制备产物为具有蜂窝状外形的双重孔状结构材料,一种是尺寸在几百纳米的类似半球的大孔,另一种则是尺寸只有几纳米的狭缝型介孔。这种双重孔状结构是由超细纳米颗粒连接而成,其尺寸主要在3到10 nm之问。其BET表所积是116 m~2/g,明显高于文献报道的其他方法制备的锰酸锂纳米材料。     

六方柱状ZnO纳米棒的制备及其微观结构和光学性能

通过简易的共沉淀法制备了尺寸均一(直径约300 nm,长度约2.5μm)的六方柱状Zn O纳米棒。系统研究了热处理气氛和Al掺杂量对Zn O纳米棒的微观结构及光学性能的影响。X射线衍射结果表明所制备的Zn O纳米棒属于六方纤锌矿结构并且具有很好的结晶性。场发射扫描电子显微镜和透射电子显微镜揭示了其棒状形貌,单晶性和a轴择优取向生长的特征。能量色散X射线光谱仪、拉曼光谱和紫外-可见-近红外光谱的分析均表明Al成功掺杂进入Zn O的晶格中。近紫外与可见波段的漫反射光谱表明:相对于纯的Zn O样品,Al的掺杂能够抑制其光的吸收(Al掺杂能够抑制样品色心的形成),提高其可见光透过率。通过H2气氛的热处理以及Al元素掺杂的协同作用可以优化Zn O纳米棒的光学性能(高的近红外光吸收率、高的可见光透过率)。     

热退火对离子注入制备Au纳米颗粒生长和光学性能的影响

利用金属蒸发真空多弧离子源(MEVVA源)注入机,将Au离子注入到高纯石英玻璃衬底中来制备Au纳米颗粒,Au离子注入的加速电压分别为20、40和60 k V,注入剂量为1×1017ions/cm2,随后将注入样品在普通管式退火炉中700~1000℃退火处理。研究了注入条件和热退火参数对Au纳米颗粒的形成、生长、分布以及光学性能的影响。采用光学吸收谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对注入样品的光学性能、表面形貌和微观结构进行了测试和表征。实验结果表明,采用该低压离子注入结合热退火工艺的方法,所制备的Au纳米颗粒具有很强的局域表面等离子体共振特性,同时该方法也为制备尺寸和分布可控的Au纳米颗粒提供了一些新的参考途径。     

纳米银粉的微结构研究

采用阳极弧放电等离子体法成功制备了银纳米粉体，并利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和选区电子衍射（SAED）对样品的形貌、晶体结构、粒度及其分布进行性能表征。利用静态表面吸附仪测试样品对N2的吸附-脱附等温线，依据BJH理论模型分析样品的孔结构；利用BET吸附公式计算出样品的比表面积。结果表明：所制备的银纳米粉末的晶体结构与相应的块体材料基本相同，为fcc结构，其粒度主要分布在10～50nm，平均粒度为26nm，比表面积为23．81m^2／g，呈规则的类球形分布。     

表面纳米化7A52铝合金在油润滑条件下的耐磨性能

采用高速颗粒轰击技术在7A52铝合金表面制得一定厚度纳米结构表层,利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察了表面纳米晶层的微观结构特征,利用多功能纳米压痕仪和往复式摩擦磨损试验机测试了样品表面纳米化前后的硬度和耐磨性能。结果表明:7A52铝合金经高速颗粒轰击处理后样品表层形成了厚度约90μm塑性变形层,最表层晶粒尺寸约为8～20nm;表面纳米晶层的显微硬度约为原始样品的1.76倍;在油润滑的低载荷和中等载荷条件下,表面纳米化抛光样品的磨损量为原始样品的1/2～1/3;表面纳米化样品的磨损机制为磨粒磨损和黏着磨损,而原始样品的磨损机制为黏着磨损和疲劳磨损,表明其具有优异的耐磨性能。     

棒状金纳米粒子的制备及其光谱特性

以银离子为辅助粒子,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,抗坏血酸为弱还原剂,利用晶种法制备棒状金纳米粒子,着重研究晶种用量与氯金酸量的比例对棒状纳米粒子形状和产率的影响。利用透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）仪对纳米粒子的形貌及晶体结构进行分析,利用紫外可见光谱（UV-Vis）对产物进行光谱表征。结果表明,纳米棒为面心立方结构,其UV-Vis出现位于530 nm处的短波吸收和970~980 nm的长波吸收,随着晶种与氯金酸用量比例的增加,纳米棒的长径比出现先增大后减小的趋势,并最终形成球形颗粒。最后探讨晶种用量影响金纳米棒生长的机制。     

AZ91D镁合金表面机械研磨处理后显微结构研究

采用表面机械研磨(SMAT)技术在AZ91D镁合金上制备出纳米晶结构表层,利用X射线衍射(XRD)仪、透射电子显微镜(TEM)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)研究由表层沿厚度方向的组织结构变化特征.结果表明:经过表面机械研磨处理, 样品表层形成了厚度约为40 μm的变形层, 平均晶粒尺寸由约40 nm逐渐增加到约200 nm.