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绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动与保护 总被引:4,自引:0,他引:4
在介绍IGBT结构原理及特点的基础上,讨论了设计IGBT驱动电路应考虑的问题和IGBT的过压和过流保护技术。在大功率高压开关电源中的应用证明,所设计的驱动保护电路性能良好。 相似文献
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光电隔离器(PVI)为MOSFET和IGBT提供隔离的栅极驱动。但是,在关断时,PVI不能下拉栅极排放栅极电荷。采用一个可编程结晶体管(PUT)就可提供很快的栅极下拉,在0.2μs内使栅极放电,排放掉高达5A的电流。PUT为一四层结构,很像可控硅整流器.但它具有更灵敏的阳极选通。在该应用中,PUT栅极由PVI驱动,其驱动电压等于或大于保持PUT处于阻塞状态时的阳极电压,这样就没有电流流经阳极一阴极通道(图1)。当PVI“关断”时,PUT的栅极电压下降到低于阳极电压,触发PUT并导致阳极-阴极通道… 相似文献
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功率IGBT的驱动保护及其应用技术 总被引:4,自引:0,他引:4
文章叙述了功率绝缘栅控双极性晶体管IGBT对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题,同时根据这些要求给出了几种功率IGBT的实用驱动和保护电路的应用实例. 相似文献
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一种实用的IGBT驱动电路张开如,程斌(山东矿业学院济南分院,济南,250031)功率绝缘栅双极晶体管(简称IGBT)因具有开关频率高、通断电流大等优点而得到越来越广泛地应用。随之而来的各种驱动电路也应运而生,其中有分立元件构成的驱动电路,也有专用的... 相似文献
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IGBT正逐渐成为中、大功率电源产品设计中的首选开关年,IGBT的使用成功与否关害于其驱动及保护电路的设计,本文讲述这方面的内容。 相似文献
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本文介绍日本三菱电气公司研制的M57959L/M57962L型IGBT驱动电路的内部结构,工作原理、封装形式主典型应用电路。 相似文献
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绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动保护集成电路是为适应新一代IGBT的应用而设计的专用集成电路,它具有故障检测、故障输出、缓关断驱动输出、降栅压、负栅压等功能,最高工作频率可达到100kHz,输出驱动电流为±200mA。对电路及保护功能进行了分析和研究,并给出了实验结果 相似文献
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IR2110是一种有高低两路输出,耐压值500V,速度快的大功率MOS管或IGBT驱动器,其控制特性好,两路输入分别控制两路输出,使用方便灵活,连线简单,外围器件少,普遍应用于驱动由两个大功率MOS管或IGBT构成的半桥式,以向式或其他形式的电路。 相似文献
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高压高速功率MOSFET驱动器IR2110 总被引:1,自引:0,他引:1
IR公司推出的MOSFET和IGBT驱动IR2110,功耗低,浮置电源采用自举电路输入与CMOS兼容,具有滞后电压锁定。本文较详细地介绍了该器件的内部结构,管脚功能,该器件可用于开关电源,电机驱动,电子镇流器和充电器中,本文还给出了几种实用电路。 相似文献
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德国西门康(SEMIKRON)公司生产的SKHI21/22混合双路IGBTMOSFET驱动器具有先进的监控电路,可有效防止IGBT损坏,本文着重了介绍了其内部结构功能和部分典型参数。 相似文献
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串联谐振型激光器用开关电源的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了采用功率IGBT模块研制成功的大功率串联谐振型激光器用开关电源的工作原理及IGBT的过压、过流保护方法,给出了访原主回路、驱动电路结构及电源系统的相关波形,该电源已成功地应用地双光路激光焊接机上,与传统激光电源比较,有明显优越性。 相似文献
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德国西门康公司生产的SKM系列IGBT功率模块,不必使用RCD吸收电路,并联时能自动均流,开关损耗不随温度正比地产加,SOA曲线为矩形,并具有不必负压关断、短路电流自动抑制、正温度特性且没有寿命刹手特点。本文分析了SKM系列IGBT功率模块的特点,并与其它型号IGBT进行了比较。 相似文献
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本文所述的IGBT开关型脉冲激光电源适用于泵浦高频脉冲YAGI激光器,由于采用新型IGBT逆变开关和先进的数字控制技术,并进行全面的电磁兼容设计,使该光电源的总体技术性能和可靠性大大提高,文中叙述了激光电源的主电路,控制电路以及调Q电路的工作原理,并给出了主要参数的实测波形及简要分析。 相似文献
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美国UNITRODE公司生产的IGBT驱动器UC1727,只需用很少量的外部元件就可以从单隔离变压器接收功率和信号去驱动一只IGBT功率器件,可广泛用于对电机、开关和其它需要完全电隔离负载线全桥或半桥的控制及驱动。 相似文献
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本文介绍IGBT、EXB841和LEM模块在大功率PWM直流伺服驱动系统中的应用和系统抗干扰设计。使用效果表明,基于IGBT的设计,可提高大功率直流伺服系统的可靠性和性能、减小体积、降低成本。 相似文献
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简述了IGBT的设计技术和制造工艺。对IGBT的I-V特性,开关特性及闩锁效应了系统的研究,结合实际工艺对IGBT的版图及工艺进行了优化设计,合作开发了适于制作IGBT的异型厚外延材料。成功地制作了10A/800V,20A/1050V的IGBT芯片,给出了试制样品的测试结果。 相似文献