砷化镓集成电路

本文评述了 GaAsLSI 的性能和加工工艺。最近,应用无位错 LEC 单晶和步进重复的精细光刻,在 2in 晶片内将 FET 闽值电压标准偏差降至20mV。应用这一工艺,制造了存取时间为4.1ns 的 GaAs16Kb 静态 RAM 和全功能4Kb 的 SRAM。GaAsLSI 技术有潜力从实验室研究过渡到工业应用。     

砷化镓数字集成电路

集成电路问世近二十年来,在提高电路性能、集成度和降低成本等方面都取得了显著的成绩.1978年,64KRAM的研制成功标志着集成电路技术发展到一个新阶段,即由大规模向超大规模过渡的新阶段.在VLSI的研制中,除继续对二十年来一直垄断集成电路领域的硅技术进行大力研究外,超导和砷化镓技术的研究工作也很活跃.虽然     

砷化镓集成电路的发展

本文介绍GaAsIC的开发情况,并对几种GaAsIC的特征结构作一比较。首先,介绍GaAs逻辑电路、存储器和线性电路的开发情况,并阐述高电子迁移率GaAsIC。然后,说明GaAsIC对衬底的要求及GaAsIC的发展趋势。     

日臻成熟的砷化镓集成电路

砷化镓集成电路的开发生产工作是很活跃的。渗入到很有生气的应用领域是因为砷化镓集成电路具有高速、低燥声等特征。现在以军用为主!今后将转移到以商用为中心的通信、计算机、计量测量仪器领域等。砷化镓集成电路的研究开发工作在日本和美国是特别盛行的、日本把商用砷化镓集成电路的投资已列为重点,美国则着重在军用。为此,将来日本很可能会占据世界市场。砷化镓器件在实际应用方面,还有微波低燥声放大器,功率放大器等。单片集成电路亦在进行研究。数字电路方面的高速门阵列已有出售。作为砷化镓集成电路的主要难题,仍然是基片材料的质量问题。     

砷化镓集成电路的应用

综述了迅速发展的砷化镓集成电路市场、电路应用种类以及相关的器件和技术。     

砷化镓集成电路CAD系统

介绍了一个在ＳＵＮ工作站上自主开发的砷化镓集成电路ＣＡＤ系统。该系统可完成微波、毫米波集成电路ＣＡＤ及砷化镓超高速数字集成电路ＣＡＤ。应用该系统已完成１５０余种砷化镓集成电路的优化设计，取得良好效果。     

砷化镓集成电路趋于实用化

砷化镓集成电路在这十年间由于器件基本结构、材料生长技术等的迅速发展,已达到实用化的阶段。现以器件结构为中心,对最近砷化镓集成电路的动向作一介绍。     

砷化镓集成电路的应用

综述了迅速发展的砷化镓集成电路市场、电路应用种类以及相关的器件和技术。     

砷化镓集成电路CAD系统

介绍了一个在ＳＵＮ工作站上自主开发的砷化镓集成电路ＣＡＤ系统。该系统可完成微波、毫米波集成电路ＣＡＤ及砷化镓超高速数字集成电路ＣＡＤ。应用该系统已完成１５０余种砷化镓集成电路的优化设计，取得良好效果。     

砷化镓数字集成电路现状及趋向

虽然目前硅集成技术已开始朝着甚高速集成电路的方向前进,但它毕竟要受到其自身电学性能的限制.与硅相比,砷化镓材料具有较高的低场迁移率,在相当小的电场下即出现速度饱和;易于获得半绝缘特性的衬底,而且受激载流子的寿命短.因此,砷化镓器件中的串联电阻低;平均载流子速度高;工作电压低;     

砷化镓集成电路的成品率技术

本文介绍有关砷化镓单片电路成品率技术的最新进展。阐述了成品率驱动设计策略的原理。     

超高速砷化镓集成电路的封装

本文报导了两种36腿芯片-载体封装,它们能满足超高速砷化镓集成电路在3GHz时钟速率和100ps的上升下降时间要求。根据传输时延、抽头长度、串音干扰和电源等原则,对这种封装结构要求进行了分析,开发了两种具有内部接地平面、电源旁路电容器的封装和一种最大尺寸为1×1cm~2的封装;第一种封装途径基于多层共烧陶瓷技术,而第二种途径是利用把GaAsIC小片安装在象芯片-载体那样的一块硅IC表面的方法。就后一种情况而论,除了有较低的封装热阻外,这种硅-芯片还可提供屏蔽的传输线、电源调整、终端电阻器和衰减电阻器,以及能降低管壳的热阻等。     

砷化镓集成电路的现状报告

<正> 一、引言在相同尺寸下,砷化镓集成电路与硅集成电路相比较,前者可获得较高的速度,或在相同速度下获得较低的功耗。此外,砷化镓在增强抗辐射以及在较高温度下工作方面比起硅来亦有潜在的优势。砷化镓集成电路工业已经从1974年制造第一个单门开始发展至今,可以制作如全功能4k静态RAM和6k门阵列这样的复杂电路。     

光纤系统用新一代砷化镓集成电路

微波半导体公司(MSC)已经把自己的多系列传统微波器件扩大到包括用于光纤方面的砷化镓集成元件。这意味着,您可以把您的光纤系统所急需的砷化镓集成电路元件列出清单,要求讲究高度信誉、具有丰富经验的唯一来源-MSC提供产品。您将从您的系统性能和可靠性的改善中得到好处,此外,也会从商品市场最高度集成化中获取实惠。您可以从一套革新的砷化镓产品的完整系列中,选择理想的产品用于诸如综合业     

接收机要求砷化镓集成电路吗?

科学技术的发展正使硅基片甚高速集成电路程序跃变成砷化镓集成电路,这种电路予示出对付变化着的电磁场威胁环境的一种方法。人们的努力主要集中在对通信系统的要求能较好的对付苏联非常复杂的干扰能力及新的电子侦察、电子干扰和电子反于扰(ESM、ECM 和 ECCM)上。近期发展起来的设计技术巳经淘汰了传统和耗时制图板法的电路设计法,允许把复杂的设计功能从计算机直接转换成工作硬件。在普通的混合电路、微波集成电路(M1C_s)中,     

国外砷化镓集成电路的开发现状

<正> 一、前言与Si相比较,GaAs有许多独特的优点,因此,在最近几年里,GaAsIC的开发有了飞速的进展。在高速IC方面,已有集成度为每个芯片10万个器件的电路问世;在微波IC方面,单片混频器的频率范围高达75～110GHz。目前从事砷化镓方面的开发研究人员,仅西方世界就有4500人之多。应用领域也在不断扩大。GaAsIC正在成为半导体IC的新的生力军。     

手机用砷化镓单片集成电路

南京电子器件研究所于 1 997～ 1 999年分别研制了用于手机射频电路的专用系列单片集成电路 ,包括双刀双掷开关、开关功放、低噪声放大器等。这些单片覆盖频率 90 0 MHz、1 80 0 MHz,可用于 90 0 MHz或 1 80 0 MHz手机 ,其中双频双刀双掷开关可用于双频手机。封面示出开关功放的芯片照片 ,封底示出塑封双刀双掷开关产品的照片。主要产品的典型指标为 :双刀双掷开关 (双频 ) :工作频率 /MHz:880～ 2 0 0 0插入损耗 /d B:0 .6 ( 1 0 0 0 MHz) /1 .1 ( 2 0 0 0 MHz)隔离度 /d B:>1 7.0 ( 1 0 0 0 MHz) /1 1 .0 ( 2 0 0 0 MHz)电压驻波…     

砷化镓单片微波集成电路工艺述评

本文讨论了砷化镓单片微波集成电路的优缺点、工艺特点、应用领域和今后展望.