CoFe_2O_4的制备、结构表征与气敏性能

采用共沉淀方法,以可溶性钴盐和铁盐为源物质,以氢氧化物作为沉淀剂,制备出了具有尖晶石结构的CoFe2O4复合氧化物粉末.由CoFe2O4粉体制成的旁热式厚膜气敏元件无需掺杂,对乙醇、丙酮、乙酸具有较高的灵敏度.     

CoFe2O4的制备、结构表征与气敏性能

采用共沉淀方法,以可溶性钴盐和铁盐为源物质,以氢氧化物作为沉淀剂,制备出了具有尖晶石结构的CoFe2O4复合氧化物粉末.由CoFe2O4粉体制成的旁热式厚膜气敏元件无需掺杂,对乙醇、丙酮、乙酸具有较高的灵敏度.     

MO2—α—Fe2O3材料的气敏特性

采用化学共沉淀的方法合成了Sn~(4 ),Ti~(4 ),Zr~(4 )掺杂的。α-Fe_2O_3气敏陶瓷材料。用X射线衍射仪和透射电子显微镜分析了材料的微观结构及化学组成。用RQ-1型气敏元件特性测试仪测试了掺杂元素、掺杂量、工作温度,检测气体等对α-Fe_2O_3气体灵敏度和工作阻值的关系。结果表明:少量MO_2(M=Sn,Ti,Zr)的掺杂能显著提高α-Fe_2O_3的气体灵敏度,并且能够降低。α-Fe_2O_3气敏元件的工作电阻,有利于α-Fe_2O_3气敏材料的实用化。     

NiO—Fe2O3气敏材料制备过程的跟踪研究

用化学共沉淀法在不同条件下制备Ｆｅ２Ｏ３掺杂不同浓度ＮｉＯ的气敏材料，再利用分光光度法对其上层清液及沉淀中的Ｆｅ＾３＋，Ｎｉ＾２＋进行跟踪检测。结果表明，通过调整掺杂量选择适当的沉淀剂及最适宜的酸度，可得到较理想的气敏材料。     

ZnO气敏陶瓷的制备与气敏性能研究

ＺｎＯ气敏陶瓷的制备与气敏性能研究徐甲强，朱文会，陈源（化学工程系）关键词氧化锌；陶瓷微结构；气敏材料中图分类号ＴＮ３０４．９９ＴＱ１７４．０５ＺｎＯ是一种ｎ型半导体材料，具有多种功能。例如：半导体性，压电性，萤光性和光电效应等。在压敏、光催化、光电...     

溶胶-凝胶法制备的SnO2薄膜气敏特性研究

以SnCl4·5H2O为原料、用Sol-gel法制备出了SnO2薄膜,并对该薄膜的气敏特性进行了测试.结果表明,SnO2薄膜低温下对乙醇气体有较高的灵敏度和较快的响应恢复时间,且长期稳定性较好.     

纺锤形纳米γ—Fe2O３的气敏性能

用Ｎa2CO3代替ＮaOH作沉剂,制备了纺锤形纳米γ－Fe2O３,采用ＸＲＤ和ＴＥＭ对材料进行了表征,经测试,发现材料在３００℃工作温度下对ＬＰＧ有选择性检测能力（对Ｈ２的选择系数为４）,并具有相当的气敏稳定性,此外,还发现γ－Fe2O３的气敏机理不仅是体控性机制,在一定温度下,表面吸附氧也起到一定作用。     

超微粒SnO2的制备与气敏特性研究

本文采用化学沉淀法合成了平均晶粒尺寸在22nm左右的超微粒SnO_2及第一过渡系金属(Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn)氧化物掺杂的SnO_2气敏材料。利用综合热分析仪及X射线衍射仪对材料的热性质和物质结构进行了分析。实验表明,用纯SnO_2制备的气敏元件,无需掺杂即具有很好的灵敏度,但稳定性较差,响应恢复较慢;而经高温处理的SnO_2气体灵敏度又较低。通过对SnO_2气敏元件制备工艺及工作条件的选择,发现NiO、CuO、ZnO掺杂的SnO_2元件具有工作温度低(100～250℃)、响应速度快(<10s)、恢复时间短(<30s)、及灵敏度和稳定性良好的特点,是一类很有发展前途的气敏材料。     

a—Fe2O3粉体材料的制备与气敏性能研究

采用相转移法研制单分散ａ－Ｆｅ２Ｏ３超细粉，研究了制备工艺对Ｆｅ２Ｏ３萃取率的影响，并对超细粉进行了Ｘ射线衍射、透射电镜和红外光谱表征，结果表明：无机溶胶的ｐＨ值、表面活性剂的用量、萃取剂等对超细粉的产率有影响，超细粉的颗粒尺寸的４０ｎｍ，为稳定的非晶态单分散Ｆｅ２Ｏ３。就所制备的超细ａ－Ｆｅ２Ｏ３粉末的气体灵敏度而言，相转移法优于化学沉淀法。     

掺杂SO4^2-对In2O3电导和气敏性能的影响

用超声分散浸渍法制备了掺杂SO2-4的In2O3半导体气敏材料,并对其电导和气敏性能进行了研究.结果表明:SO2-4的掺入改变了N型半导体In2O3材料的导电性能;少量SO2-4(w(SO2-4)≈2%)的存在,能提高材料的比表面积和表面吸附氧On-2量,187℃下对乙醇有较好的选择性和灵敏度.     

多功能NiO-SnO_2气敏材料的敏感特性

SnO_2是发现最早,也是应用最广泛的氧化物气敏材料之一。它具有对可燃性气体普遍敏感的特性,即存在着对单一气体选择性差的问题。提高SnO_2材料的选择性是解决其实用化进程中的一个重要课题。我们采用氨水作沉淀剂,用化学共沉淀法合成了3种不同配比的NiO-SnO_2气敏材料,400℃处理后的产物为非晶或微晶体,用透射电镜观察,这些材料的平均粒径在40nm左右。X射线衍射证明,材料中     

制备方法对Ag－SnO_2材料结构与气敏性能的影响

采用化学浸渍法和光照分解法合成了银掺杂的ＳｎＯ２气敏材料，用Ｘ射线衍射法分析了材料的物相组成，用Ｘ光电子能谱研究了材料的价键结构，用静态配气法测试了材料的气敏性能．结果表明：浸渍法Ａｇ－ＳｎＯ２的气敏性能优于光照分解样品，光照波长为４１５ｎｍ时，样品的气敏性能优于其它波长照射的样品。经ＸＲＤ谱图分析，浸渍法Ａｇ－ＳｎＯ２样品没有Ａｇ物相分离，而光照法样品出现Ａｇ２Ｏ２和ＡｇＣｌ物相。浸渍法样品的ＸＰＳ谱图表明，Ａｇ在ＳｎＯ２的表面以Ａｇ和Ａｇ２Ｏ组成．     

K2 O/MgFe2 O4磁性固体碱催化剂的制备、表征 及催化酯交换制备碳酸甘油酯

为了解决生物柴油制备过程中副产物甘油过剩、碳酸甘油酯产率低和催化剂回收困难的问题,以聚乙二醇600（PEG-600）为模板和分散剂,采用溶胶凝胶法制备镁铁氧体（MgFe2O4）,以其为载体,KNO3为活性组分前驱体,采用浸渍法制备K2O/MgFe2O4磁性固体碱催化剂。通过X射线衍射、 X射线光电子能谱、扫描电镜、CO2程序升温脱附(CO2-TPD)和磁性分析对催化剂进行表征,并将催化剂用于甘油与碳酸二甲酯酯交换制备碳酸甘油酯的反应中,考察其催化性能。结果表明：制备的K2O/MgFe2O4形成了K-Fe-Mg键,K2O/MgFe2O4表面呈霉菌状,具有较多的中强碱位点和强碱位点,且具有较好的磁性;在PEG-600加入量10 g（硝酸镁1.5 g、硝酸铁4.71 g）、反应温度105 ℃、反应时间2 h、催化剂用量3%、甘油与碳酸二甲酯物质的量比1∶ 2的条件下,甘油转化率可达到99.53%,碳酸甘油酯产率可达到96.36%,且制备的催化剂重复使用性能良好,在重复使用5次后,碳酸甘油酯产率仍可达80.14%。综上,所制备的催化剂具有高甘油转化率、高碳酸甘油酯产率、重复使用性能高（通过外部磁场即可回收）等优点,有望实现工业化。     

催化剂对氧化物气敏性能的影响

综述了催化与气敏性能之间的关系，以及稀有金属、过渡金属等作为催化剂对气敏材料气体灵敏度、选择性的影响。结果表明：催化剂的加入对提高气敏材料的气敏性能有显著作用．     

纺锤形纳米γ-Fe2O3的气敏性能

用Na2CO3代替NaOH作沉淀剂,制备了纺锤形纳米γ-Fe2O3,采用XRD和TEM对材料进行了表征.经测试,发现材料在300℃工作温度下对LPG有选择性检测能力(对H2的选择系数为4),并具有相当的气敏稳定性.此外,还发现γ-Fe2O3的气敏机理不仅是体控性机制,在一定温度下,表面吸附氧也起到一定作用.     

添加剂对SnO_2气敏材料敏感特性的影响

SnO_2材料是研究最早,应用最广的气敏材料之一。在实用过程中,需添加少量的贵金属以控制SnO_2的灵敏度和选择性。采用浸渍法和化学共沉淀法制备了15种金属或金属氧化物掺杂的SnO_2气敏材料。通过比较它们之间的气敏性能,发现Ag,CuO,ZnO可作为SnO_2普敏元件的廉价添加剂。ZnO和RE_2O_3的掺杂可明显提高SnO_2对酒精的气敏选择性。此外,添加剂Ag和CeO_2与基体材料SnO_2之间的电子相互作用也被发现。添加剂对SnO_2气敏性能的影响:     

纳米气敏粉体的制备技术

气体敏感材料的纳米化是提高半导体气体传感器灵敏度的主要手段之一,通过控制材料的颗粒尺寸可控制材料的敏感程度．纳米气敏材料可用固相法、液相法和气相法制备,颗粒尺寸可通过控制工艺条件来实现．一般情况下,气相法颗粒最小、气体灵敏度高,但由于产量小,仅适合气...     

添加剂对氧化钛气敏材料敏感特性的影响

采用化学共沉淀法和浸渍法制备了不同金属或氧化物掺杂的ＴｉＯ２气敏材料，通过透射电镜、电子衍射和ｘ射线衍射对材料的结晶形态和物相进行了分析，用静态配气法测试了气敏材料的敏感特性．结果表明：这些材料的颗粒尺寸小于０．１μｍ，８００℃处理样品为金红石型ＴｉＯ２与锐钛矿型ＴｉＯ２的混合物．通过选择合适的添加剂和工作温度可分别获得选择性酒敏元件、ＣＯ气敏元件和可燃气体普敏元件     

溶胶-凝胶法制备的纳米In2O3气敏性能研究

以氯化铟为前驱体 ,通过溶胶 -凝胶法制备了纳米In2 O3 颗粒 .经TG -DSC热分析表明 :In(OH) 3 在 2 72 9℃附近脱水形成In2 O3 .经XRD ,TEM等手段表征的结果显示 :所合成的纳米In2 O3属立方晶型 ,晶粒尺寸约 2 0nm .气敏性能测试结果表明 :纳米In2 O3 气敏元件对TMA及NH3 灵敏度高 .通过与某公司提供的粒度为 3.0 77μm的In2 O3 制成的气敏元件比较得知 ,纳米In2 O3 气敏元件对TMA的灵敏度提高特别明显 .     

ZrO2掺杂SnO2厚膜的制备及其气敏性能研究

采用化学共沉淀法成功地制备了ZrO2掺杂的SnO2超微粉,用丝绸印刷法制备了厚膜型气敏传感材料,并制成了平面型气敏元件.研究了不同掺杂量、不同烧结温度的厚膜材料的气敏性能.实验表明掺杂降低了纯SnO2厚膜的电阻及敏感温区的温度,并且烧结温度对气敏性能影响较大.在200℃下,掺杂量为1%的ZrO2-SnO2厚膜对浓度为2×10-5的H2S气体具有较好的灵敏度(β=5.2),响应恢复时间均＜1 min.