提高FZ NID硅成品率

本文根据中子嬗变掺杂的原理、工艺,着重分析了影响ＮＴＤ硅成品率的因素;命中率及断面均匀性。通过换位法、旋转辐照工艺,较大幅度地提高了ＮＴＤ硅单晶的命中率、断面均匀性及成品率。     

Improving Percentage of Finished Product of FZ NTD Silicon

本文根据中子嬗变掺杂的原理、工艺,着重分析了影响NTD硅成品率的因素:命中率及断面均匀性.通过采用换位法、旋转辐照工艺,较大幅度地提高了NTD硅单晶的命中率、断面均匀性及成品率.     

关于单晶硅电阻率测量的精确性

半导体硅必须具有掺杂合金在晶体范围内分布的高度均匀性,一方面,这是仪表制造工艺进步的必要条件(例如,在电气工业中已经面临创建其参数接近理论极限的大功率器件任务),而另一方面—更新式的仪表首先是通讯仪表都要求硅具有高度的电阻率分布均匀性。     

新型半绝缘磷化铟晶片研制成功

中国科学院半导体研究所材料科学中心研制成功一种新型半绝缘磷化铟 (ＩｎＰ)晶片 ,它的出现对于改善和提高ＩｎＰ基微电子器件的性能具有重要的意义。这种通过高温退火工艺所制备的半绝缘晶片既保持了传统原生掺铁衬底的高阻特性 ,同时铁浓度大大降低 ,电学性质、均匀性和一致性显著提高。磷化铟是继硅和砷化镓之后又一重要的Ⅲ Ⅴ族化合物半导体材料 ,但是目前半绝缘类型ＩｎＰ衬底的生产质量急需改善和提高。中国科学院半导体所的有关科研人员采取了三个步骤来制备非掺杂半绝缘磷化铟衬底 ;首先用液封直拉法拉制高纯低阻非掺杂磷化铟单…     

硅的中子嬗变掺杂

本文根据硅单晶生长工艺中近年来的发展动向,系统地描述了中子嬗变掺杂硅(NTD)的原理、历史、工艺、放射性、损伤产生机理、退火处理、材料性能和应用。指出这种掺杂方法所获得的电阻率均匀性是任何其它方法无可比拟的,并有用于大规模生产的趋向。     

高反压硅晶体管的优质材料——NTD硅单晶

借助于热中子辐照,使Si~(30)激活产生P_(31),从而取得掺杂元素分布极为均匀,并能实现准确掺杂的硅单晶。这类单晶有效地用于功率器件领域。本文介绍这类材料的制备,辐照损伤消除,晶体性能及用于制备高反压晶体管的情况。所制备的单晶断面电阻率不均匀度≤5％,寿命达200～500μs,用该类材料制备的DF-104高反压硅晶体管最高耐压达2300V,比用常规掺杂法单晶制备的管子耐压高200～400V。     

试述影响掺杂钨条密度的因素及其生产控制

<正> 掺杂钨条的密度对于制作灯泡用钨丝的生产具有至关重要的作用,因此获取适宜密度的掺杂钨条,对于生产具有必要的强度、延性、韧性和抗下垂性等综合性能优异的钨丝是有重要意义的。下面将生产过程中影响掺杂钨条密度的几个主要因素略述如下:一、掺杂元素的影响我厂生产的灯泡用钨丝的各项性能是通过在 WO_3中掺杂少量的硅、铝、钾的化合物来达到的。实践证明:硅和铝在烧结时几     

硅区熔气相掺杂工艺的研究

本文介绍了目前区熔掺杂方法的现状、区熔气相掺杂的优点和基本原理及工艺。气相掺杂成功地应用于区熔在国内还属首次尝试。实践证明气相掺杂比液相掺杂优越:掺准率高,电阻率均匀性明显改善。     

压煮法制备超细含钇钨粉的工艺研究

机械合金法和湿掺杂法制备含稀土元素的钨复合纳米粉末前驱体存在杂质引入、稀土元素偏聚等问题,导致颗粒均匀性差而影响合金性能。本研究采用压煮法制备含钇钨粉,探究了压煮温度、固液比对含钇钨粉粒径及均匀性的影响。结果表明,相比于湿掺杂法,压煮法改善了钇元素的分布形式进而达到细化钨晶粒的目的,在压煮温度为220℃、固液比为6 g/mL的工艺条件下制备得到的含钇钨粉粒径小且均匀性良好,其平均粒径可以达到0.25μm。     

负压吹氧制中低碳铬铁

一、前言冶金用氧及低压冶金在工业上推广应用之后,使产量和质量显著提高。铁合金工业上曾引进这项技术,使精炼产品强化脱硅,缩短冶炼时间,及用低压制取微碳、超微碳铁铬,金属铬、金属钒等。铁合金生产上通常用碳素还原,制碳素铁合金;用硅合金还原,制中低碳铁合金,因为硅化物强于碳化物。目前就中低碳铬铁生产看来,有电硅热法和热兑混炼法二种。电硅热法若能普遍采用热装和精炼末期吹氧脱硅,则可以使单位产品电耗大为降低,但     

硅铝铁标准物质的研制

根据我国硅铝铁标准物质的需求,制备了2种硅铝铁标准物质。按照硅铝铁合金技术标准的要求,选取表面无气孔、无杂物的不同含量的硅铝铁合金作为原材料,经过去除外皮、夹杂,分选,制成直径40～50 mm的块状样品,用颚式破碎机粉碎至粒度小于2 mm的颗粒,充分混匀后再用制样机反复研磨,使物料全部通过0.125 mm（120目）的筛网。对制得的标准物质进行均匀性和稳定性检验,结果表明该标准物质具有良好的均匀性与稳定性。采用多家实验室对标准物质中的硅、铝、铁3个元素进行定值分析,分析数据经格拉布斯法、科克伦准则和夏皮罗-威尔克法检验,显示研制的标准物质的正态检验值均大于置信概率95 %的列表值,定值数据均呈正态分布或近似正态分布。     

ATB掺杂新工艺的研究

木文对铵钨青铜(ATB)掺杂过程的掺杂效应及掺杂均匀性的有关工艺条件及参数进行了较系统的研究。以保持ATB原有物化特性为前提,确定了未见过资料报道的调酸用酸的类别、掺杂料的烘干温度等工艺参数;给出了低铝掺杂剂中K/Si的范围,并着重研究和对比了湿法、干法、浸润掺杂和掺杂效应、掺杂均匀性的关系。结果表明湿法掺杂的偏差最大,约为±63％。本文推荐的浸润掺杂新工艺的掺杂分布偏差仅为±5.6％,在83年到85年先后进行了三个批量共450kgATB的工业规模试验。钨粉中含钾可稳定在80±20ppm,掺杂元素的分布偏差分别为±12％、±10.8％。这是一种掺杂效应高、偏差小、技术先进、新颖、节能的掺杂新工艺。设备简单,可广泛应用于制丝行业     

掺La对钼粉还原过程及粉体颗粒的影响

通过各种检测手段对不同La2O3含量及不同掺杂方式中，钼粉还原过程及粉体进行了系统的研究。结果表明：掺杂方式对La分布均匀性有显著影响，以二氧化钼为掺杂母体的La分布均匀性较以纯钼粉为母体时的均匀性高；La2O3在还原过程中起到细化粉末的作用。     

掺杂钼板的韧性机制

用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X-射线能量弥散分析以及通过测定机械性质等对掺杂钼板的韧性作了研究,并与纯钼板对比.结果表明,掺有少量硅、铝、钾的经交叉轧制的钼板在高温退火以后大大地韧化了.出乎预料的是,掺杂钼板中主要的第二相并非是钾泡,而是含硅的粒子,这些粒子改善了掺杂钼板的韧性.     

生产4英寸硅片的分子束外延设备

据日本电报电话公用公司报道,由该公司设计,经Anelva公司制造的硅分子束外延设备能大量生产4英寸的硅外延片。生产一片外延片需20分钟,最高的生长速率为20(?)/s。硅片沉积室50cm~3。硅片可以旋转,整个片子上的厚度均匀性变化<±5％。掺杂剂为锑,掺杂均匀度变化<±10％。均匀度的变化反应整个硅片上温度变化±5℃。加     

高性能等离子喷枪用多元复合稀土钨电极研制

本论文以"多元复合稀土钨电极及其制备技术"2008年国家技术发明二等奖为基础,采用喷雾干燥法并结合两段氢气还原成功制备出多元复合稀土掺杂钨粉。经过冷等静压压制、中频感应烧结后制备出等离子喷枪电极。实验结果表明,多元复合稀土的掺杂,降低了钨粉的粒度,进而提高了稀土在电极中元素的分布均匀性,稀土元素分布均匀性的提高降低了钨电极的烧损量,同时采用中频感应烧结制备的电极密度要大于垂熔烧结制备的电极。与目前使用的等离子喷枪电极相比,采用中频感应烧结制备的多元复合稀土钨电极抗烧损性能更好,电极寿命更长。     

聚乙二醇模板对多孔氧化物复合材料的影响

以聚乙二醇(PEG)为模板剂、正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,采用溶胶-凝胶法合成了铜掺杂介孔硅铝氧化物复合材料,并通过N2等温吸附-脱附法、X射线衍射、红外光谱等测试对产物进行表征,考察了PEG质量、分子量以及CuO掺杂量对复合材料孔结构的影响.结果表明:加入PEG能够明显增加复合材料的比表面积,随PEG质量增大,介孔孔容增多,孔径分布较均匀,加入24g PEG时比表面积增加一倍达到约500m2·g-1.PEG的分子量为600～2 000时样品以4 nm介孔为主,而分子量为10 000时,样品以小于2 nm的微孔为主.     

在反应堆内进行硅的“掺杂”

卡尔斯鲁厄原子能研究中心自1974年以来,在它的FR2研究性反应堆内,为半导体制造厂家用中子辐照了一百五十万克(1.5吨)高纯硅,使一定数量的硅原子在窄小的范围内转变为磷原子。与采用扩散磷进行掺杂的方法相比,这种核方法可以使磷原子均匀地分布在硅晶体内。由中子辐照硅制备的结     

半导体材料稀土掺杂的理论及应用

近年来，稀土掺杂导体材料已成为引人注目的研究课题。本文阐述了硅和主要Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中掺杂的原理、掺杂方法；材料的制备及其电学、光学性质，并简要介绍了目前稀土掺杂半导体材料在光电器件方面的应用结果。     

掺硅的GaAs体单晶的补偿比及载流子浓度的分布

采用红外吸收法测定熔体生长掺硅的GaAs单晶的补偿比。实验结果表明:当2×10~172×10~18/厘米~3,θ分别随n的减少或增加而增加。 从施主、受主浓度的分布是同步的,以及沿锭长分布符合定向凝固的杂质分凝规律,提出与杂质硅有关的Si_(As)和Si_(Ga)·V_(Ga)为主要补偿受主,并讨论了Si的掺杂行为。 垂直于晶体生长方向的试样的n,N_D和N_A的分布特征,表明N_A似乎是影响均匀性的主要缺陷。根据实验结果,简要地讨论改进均匀性和减小补偿比的一些措施。