耗尽态SIMOX MOS晶体管的低频噪声

耗尽态ＳＩＭＯＸＭＯＳ晶体管的低频噪声＝Ｌｏｗ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｎｏｉｓｅｉｎｄｅｐｌｅｔｉｏｎ－ｍｏｄｅＳＩＭＯＸＭＯＳｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊．英］／Ｅｌｅｗａ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．－１９９１．３８（２）．－３...     

在SIMOX结构中辐照诱生ESR有源缺陷

在ＳＩＭＯＸ结构中辐照诱生ＥＳＲ有源缺陷＝Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ－ｉｎｄｕｃｅｄＥＳＲａｃｔｉｖｅｄｅｆｅｃｔｓｉｎＳＩＭＯＸｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊．英］／Ｓｔｅｓｍａｎ，Ａ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｎｕｃｌ．Ｓｃｉ．－１９９０．３７（６）．－２０...     

Electron Momentum Spectroscopy of Metal and Metal Oxide Thin Films

ＥｌｅｃｔｒｏｎＭｏｍｅｎｔｕｍＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙｏｆＭｅｔａｌａｎｄＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＴｈｉｎＦｉｌｍｓＸ．ＧｕｏＭ．ＶｏｓＳ．ＣａｎｎｅｙＡ．Ｓ．ＫｈｅｉｆｅｔｓＩ．Ｅ．ＭｃＣａｒｔｈｙＥ．Ｗｅｉｇｏｌｄ（ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｔｒｕｃ...     

SIMOX结构隐埋氧化层的体电学传导

ＳＩＭＯＸ结构隐埋氧化层的体电学传导＝ＢｕｌｋｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎｉｎｔｈｅｂｕｒｉｅｄｏｘｉｄｅｏｆＳＩＭＯＸｓｔｒｕｃｔｕｒｅ［刊，英］／Ｒｅｖｅｓｚ，Ａ．Ｇ．…／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．－１９９３，１４０（１１...     

用SPICE模拟薄膜SOI／CMOS集成电路

用ＳＰＩＣＥ模拟薄膜ＳＯＩ／ＣＭＯＳ集成电路＝ＴＦＳＯＩ／ＣＭＯＳＩＣｓｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｕｓｉｎｇｓｐｉｃｅ［会，英］／ＸｉＸｕｅｍｅｉ…∥ＴｈｅＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅＴｈｉｒｄＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＳｏｌｉ...     

超薄SOI MOSFET漏击穿机理的分析

超薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ漏击穿机理的分析＝Ａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅｄｒａｉｎｂｒｅａｋｄｏｗｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｉｎｕｌｔｒａ－ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，ｓ［刊，英１］／Ｙｏｓｈｉｍｉ．Ｍａｋｏｔｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤ...     

极薄SOI MOSFET的2维解析模型

极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...     

薄膜SOI／CMOS器件结构的设计考虑

薄膜ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件结构的设计考虑＝Ｄｅｓｉｇｎｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎｓｆｏｒｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩ／ＣＭＯＳｄｅｖｉｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊，英］／Ａｏｋｉ．Ｔａｋａｈｉｒｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，－１９８９．５...     

SWiTEST：适合CMOS组合电路的开关级测试生成系统

ＳＷｉＴＥＳＴ：适合ＣＭＯＳ组合电路的开关级测试生成系统＝ＳＷｉＴＥＳＴ：ａｓｗｉｔｃｈｌｅｖｅｌｔｅｓｔｇｅｎｅｒａ－ｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍｆｏｒＣＭＯＳｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎａｌｃｉｒｃｕｉｔｓ［刊，英］／Ｌｅｅ．Ｋ．Ｊ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃｏ...     

SOI MOSFET的跨导

ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的跨导＝Ｔｒａｎｔｃｏｎｄｕｃ－ｔａｎｃｅｏｆｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒＭＯＳＦＥＴ＇ｓ［刊，英］／Ｃｏｌｉｎｇｅ，Ｊ．Ｐ∥ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．Ｌｅｔｔ．－１９８５．６（１１）．－５７３～５７４用背栅偏压作...     

适于嵌入应用的一种25MS／s8位CMOSA／D转换器

适于嵌入应用的一种２５ＭＳ／ｓ８位ＣＭＯＳＡ／Ｄ转换器＝Ａ２５ＭＳ／ｓ８－ｂｉｔＣＭＯＳ．Ａ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｃｒｆｏｒｅｍｂｅｄｄｅｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｐｅｌ－ｇｒｏｍ，ＭＪＭ…∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．...     

薄膜n沟SOIFET断路期间异常电压的过冲

薄膜ｎ沟ＳＯＩＦＥＴ断路期间异常电压的过冲＝Ａｎｏｍａｌｏｕｓｖｏｌｔａｇｅｏｖｅｒｓｈｏｏｔｄｕｒｉｎｇｔｕｒｎ－ｏｆｆｏｆｔｈｉｎ－ｆｉｌｍｎ－ｃｈａｎｎｅｌＳＯＩＭＯＳＦＥＴ’ｓ［刊，英］／Ｓｈａｈｉｄｉ，Ｇ．Ｇ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎ...     

OPTICAL FIBER-MOBILE COMMUNICATION

ＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲ－ＭＯＢＩＬＥＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮ￥ＦＥＮＧＸｉ－Ｙｕ；ＳＵＮＴｉｅ－Ｃｈｅｎｇ（ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤａｌｉａｎ１１６０２３）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｏｆｍｏｂｉｌ...     

单次和多次注入SIMOX与键合减薄背面埋氧化物特性的比较

单次和多次注入ＳＩＭＯＸ与键合减薄背面埋氧化物特性的比较＝ＡｃｏｍｐａｒｓｉｏｎｏｆｂｕｒｉｅｄｏｘｉｄｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｌｓｏｆｓｉｎｇｌｅａｎｄｍｕｌｔｉｐｌｅｉｍｐｌａｎｔＳＩＭＯＸａｎｄｂｏｎｄａｎｄｅｔｃｈｂａｃｋｗａｆｅｒ［刊，...     

NH_3－氮化N_2O~－生长氧化物的MOS特性

ＮＨ＿３－氮化Ｎ＿２Ｏ￣－生长氧化物的ＭＯＳ特性＝ＭＯＳｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＮＨ＿３ｎｉｔｒｉｄｅｄＮ＿２Ｏ￣－ｇｒｏｗｎｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｙｏｏｎ，Ｇ，Ｗ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３，１...     

优化双极器件的改善BiCMOS电路延迟的CAD方法

优化双极器件的改善ＢｉＣＭＯＳ电路延迟的ＣＡＤ方法＝ＡＣＡＤｐｒｏｃｅｄｕｒｅｆｏｒｏｐｔｉｍｌｚｉｎｇｂｉｐｏｌａｒｄｅｖｉｃｅｓｒｅｌａｔｉｖｅｔｏＢｉＣＭＯＳｃｉｒｃｕｉｔｄｅｌａｙ［刊．英］／Ｄｅｓ－ｏｕｋｌ．Ａ，Ｓ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃ...     

只有两个外部元件的BiCMOS话音电路

只有两个外部元件的ＢｉＣＭＯＳ话音电路＝ＡＢｉＣＭＯＳｓｐｅｅｃｈｃｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈｏｎｌｙｔｗｏｅｘｔｅｒ－ｎａｌｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ［刊，英］／Ｃａｓｔｅｌｌｏ，Ｒ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｌｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．１９９３．２８（７）．...     

CMOS／SIMOX和CMOS／BESOI的γ射线辐照特性比较

用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，分析了引起ＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移的两种因素（辐照诱生氧化层电荷和新生界面态电荷）。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ，由于寄生背沟ＭＯＳ结构的影响，经辐照后背沟漏电很快增大，经３００Ｇｙ（Ｓｉ）辐照后器件已失效。而厚膜ＢＥＳＯＩ器件由于顶层硅膜较厚，基本上没有背沟效应，其辐照特性优于体硅器件。最后讨论了提高薄膜ＳＩＭＯＸ器件抗辐照性能的几种措施。     

AUTHOR INDEX of J.Infrared and Millimeter Waves Vol.21(2002)

ＡｎｄｒｅｅｖａＥＶ———ＳｅｅＩｖａｓｉｖＺＦ(81)ＢＡＯＣｈａｏ———ＳｅｅＬＩＢｏ(2 5 7)ＢＡＯＥｅｒｄｕｎｃｈａｏｌｕ　ＸＩＡＯＪｉｎｇ Ｌｉｎ(ＩｎｎｅｒＭｏｎｇｏｌｉａＵｎｉｖｅｒ ｓｉｔｙｆｏｒＮａｔｉｏｎａｌｉｔｉｅｓ,Ｔｏｎｇｌｉａｏ,ＩｎｎｅｒＭｏｎｇｏｌｉａ 0 2 80 4 3,Ｃｈｉｎａ) :Ｅｆｆｅｃｔｓｔｈｅｒｍａｌｏｆｌａｔｔｉｃｅｖｉｂｒａｔｉｏｎｏｎｓｅｌｆ ｔｒａｐ ｐｉｎｇｅｎｅｒｇｙｏｆｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｍａｇｎｅｔｏｐｏ ｌａｒｏｎｉｎｓｅｍｉ ｉｎｆｉｎｉｔｅｐｏｌａｒｃｒ…     

Er,O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究

在Ⅲ－Ⅴ族半导体ＧａＡｓ外延层上共注入Ｅｒ和Ｏ离子（ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ）．经面对面优化退火后，光致发光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ－ＰＬ）谱中观测到对应Ｅｒ３＋第一激发态到基态４Ｉ１３／２－４Ｉ１５／２跃迁，其相对强度较单注入Ｅｒ的ＧａＡｓ（ＧａＡｓ：Ｅｒ）增强１０倍，且谱线变窄．从二次离子质谱（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ－ＳＩＭＳ）和卢瑟福背散射实验给出退火前后Ｅｒ在ＧａＡｓ：Ｅｒ样品中的剖面分布．ＳＩＭＳ测量分别给出Ｏ注入前后Ｅｒ和Ｏ在ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ中的深度剖面分布，分析表明Ｅｒ和Ｏ共注入后形成光学激活有效的发光中心．