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相似文献
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1.
采用第一性原理方法研究了层状阴极材料LaSrCoO4±δ及PrBaMn2O5+δ的电子结构、缺陷形成能及氧离子迁移能,针对La/Sr、Pr/Ba等A位原子分层有序排列和交替混合排列2种结构,系统地分析了其对电子结构、氧空位及间隙氧缺陷的影响.结果表明:对于LaSrCoO4±δ,La/Sr分层有序排列更利于间隙氧离子的形...  相似文献   

2.
本文对Ba-La-Cu-O中Ba_3La_3Cu_6O_(14+δ)相(336相),Ba_2La(LaCe)_(31-x)Ce_xCu_3O_(7-δ)中Ba_3(LaCe)_3Cu_6O_(14+δ)相(336相)进行了研究,用Sr部分取代Ba-La-Cu-O中的Ba,当Sr/Ba<80%时,体系发生336相到123相的转变.  相似文献   

3.
通过第一性原理计算,讨论GdBaCo_2O_(5.5)及Fe掺杂体系的稳定磁有序结构。基态下的GdBaCo_2O_(5.5),Co原子磁矩以G类反铁磁排列最为稳定,且处于高自旋态;引入的Fe原子掺杂,倾向于进入被八面体晶格氧包围的Co格点;且可以显著提高低温下铁磁相的稳定性;这些都与实验报道一致Co变价引入额外氧空位后,晶胞中有两层氧空位缺陷形成能较低,有利于氧离子在层中迁移,这与分子动力学模拟的报道吻合.  相似文献   

4.
固体氧化物燃料电池(SOFC)也称为陶瓷燃料电池,其关键组成电解质、阴极和阳极均为陶瓷氧化物材料。致密电解质薄膜材料是核心,主要是(纯)氧离子导体,其电导率依赖于氧化物中的氧离子空位传导,氧空位主要来源于氧化物中低价金属离子掺杂;工业上主要使用萤石结构Y_2O_3掺杂的ZrO_2(YSZ)和Sc_2O_3掺杂的ZrO_2(ScSZ),更高氧离子电导率的材料包括掺杂的CeO_2、δ-Bi_2O_3和掺杂的LaGaO_3钙钛矿材料,有望在中低温下使用。电极都是多孔陶瓷材料,同时具有氧离子传导和电子传导性能。工业上阳极主要采用Ni-YSZ多孔金属陶瓷,具有混合离子电子导电性(MIEC)的钙钛矿材料是现在的研究热点。工业上阴极材料主要是掺杂LaMnO_3和YSZ复合陶瓷,在高温下具有良好的电化学性能和稳定性;中高温范围内被认可的材料是掺杂LaFeO_3基钙钛矿材料,以La_(0.6)Sr_(0.4)Co_(0.2)Fe_(0.8)O_3-δ为代表,具有良好的电化学活性和稳定性;优化材料组分和结构仍然是阴极材料的研究重点,也是SOFC领域必须突破的重要方向。  相似文献   

5.
采用固态反应法制备了Sr掺杂的PrBa_(1-x)Sr_xCo_2O_(5+δ)氧化物,对其进行了XRD分析和热电性能测试,研究Sr掺杂对其热电性能的影响,结果表明:在x=0,0.25,0.5,0.75掺杂比例范围内,Sr离子很好地进入了PrBa_(1-x)Sr_xCo_2O_(5+δ)的晶格,形成双层钙钛矿结构,没有形成新的杂相;在测温范围内,PrBa_(1-x)Sr_xCo_2O_(5+δ)材料的Seebeck系数均为正值,说明PrBa_(1-x)Sr_xCo_2O_(5+δ)为p型半导体材料;Sr掺杂可以改善PrBa_(1-x)Sr_xCo_2O_(5+δ)样品的电导率,而样品的Seebeck系数随着掺杂浓度增加逐渐降低;Sr掺杂可以改善PrBa_(1-x)Sr_xCo_2O_(5+δ)样品的功率因子,PrBa_(1-x)Sr_xCo_2O_(5+δ)在1073 K有最大的功率因子90μW/mK~2。  相似文献   

6.
以耐高温聚酰亚胺(PI)树脂作为基体,La~(3+)/Ca~(2+)共掺杂的钛酸钡(Ba(La,Ca)Ti O_3)粉体作为吸波剂,采用热压法制备了PI/Ba(La,Ca)Ti O_3复合吸波材料。研究了Ba(La,Ca)Ti O_3粉体的晶相结构、复合材料的断面结构、弯曲强度以及复合材料在低频波段的介电常数和吸波性能。结果表明:Ba(La,Ca)Ti O_3粉体晶相结构单一,晶粒发育良好,颗粒呈现类球形;复合材料介电常数的实部和虚部都随着Ba(La,Ca)Ti O_3用量的增加而提高,力学性能随着Ba(La,Ca)Ti O_3用量的增加先提高后降低;当Ba(La,Ca)Ti O_3用量为12%时,在350℃下PI/Ba(La,Ca)Ti O_3复合材料的吸波峰值为-14.7 dB(2.6 GHz),表明其具有优异的高温低频吸波性能。  相似文献   

7.
Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BMT)陶瓷是A(B′1/3B″2/3)O3(A=Ba,Sr;B′=Zn,Mg;B″=Nb,Ta)型复合钙钛矿化合物中的一种,A位由Sr离子取代Ba离子,形成(Ba1-xSrx)(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BSMT)固溶体型化合物,也具有复合钙钛矿结构。Sr含量x≥0.6时发生相转变,形成一种新的低温相,这是由于氧八面体畸变造成的。这种低温相结构与BMT六方晶系结构相比具有较低的对称性。低温相的形成.可显著降低BSMT陶瓷的烧结温度.在150℃即可烧结致密(BMT为160℃)。BSMT的微观结构和介电性能(如介电常数ε和介电常数温度系数aε)的变化也与此相转变有关。  相似文献   

8.
通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(RS)、扫描电子显微镜(SEM)、电子顺磁共振(EPR)和介电测试技术研究了Ce和Ca共掺杂BaTiO_3陶瓷的结构、价态、位占据和介电性质。Ba/Ti比例有效的影响了陶瓷的结构。所有陶瓷样品中Ce离子不能以Ce~(4+)完全并入Ti位,或以Ce~(3+)完全并入Ba位。当Ba/Ti=1,(Ba_(1-x)Ca_x)(Ti_(0.95)Ce_(0.05))O_3(x=0.05)陶瓷形成单相四方结构,具有Ba位(Ca~(2+)/Ce~(3+))和Ti位(Ca~(2+)/Ce~(4+))混合价态的双位占据,缺陷复合体Ca~(2+)-Ce~(4+)形成。CeCa_5A(Ba/Ti=0.937)陶瓷为单相立方结构,展现一级相变的介电行为,室温附近具有非常高的介电常数(ε′=16000)。  相似文献   

9.
采用传统固相法制备Ca1-xLaxBi_(2)Nb_(2)O_(9)(CBN-xLa,x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)陶瓷,研究了La^(3+)掺杂对CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)陶瓷的晶体结构、微观形貌、介电性能、压电及铁电性能以及高温导电机制的影响.结果表明,适量的La^(3+)取代Ca^(2+)优化了晶体结构,细化晶粒,通过施主掺杂降低了氧空位,有效地改善了CaBi_(2)Nb_(2)O_(9)陶瓷的电性能.其中Ca0.92La0.08Bi_(2)Nb_(2)O_(9)是最优组分,获得压电性能d33、Curie温度T_(C)和剩余极化强度2Pr分别为11.7 pC/N、905℃和9.51μC/cm^(2),并且在550℃条件下的tanδ为3.87%,退火处理后,所有组分样品在800℃条件下均保持较稳定压电性能.复阻抗谱表明阻抗是由晶粒晶界共同作用,导电机制与氧空位有密切关系,且La^(3+)能有效提高高温电阻率,使得其在高温传感器中具有应用潜力.  相似文献   

10.
以溶胶-凝胶法和固相反应方法分别合成了硅酸盐氧基磷灰石A2La8(SiO4)6O2(A=Ca,Sr,Ba),经XRD表征,证明所得产品为磷灰石相.和固相反应方法相比,溶胶-凝胶法合成磷灰石反应温度低,高温焙烧时问短.电化学阻抗谱研究表明:随着A(A=Ca,Sr,Ba)半径的增大,电导率也逐步加大,活化能却逐步减小.700℃时溶胶·凝胶法合成的Ba2La8(SiO4)6O2的电导率(4.42×10-6S·cm-1)要比固相反应法合成的电导率大一个数量级.离子迁移数和氧分压对电导率的研究表明,主要的电荷载体是O2-离子.  相似文献   

11.
采用固相反应制备了低温烧结(Ba0.71Sr0.29)TiO3-x Bi2O3/Li2O(x=0.02、x=0.03、x=0.05)陶瓷,差热分析结果表明助熔剂Bi2O3/Li2O可降低(Ba0.71Sr0.29)TiO3陶瓷的烧结温度至820℃并获得相对密度为97%的BST陶瓷。X射线衍射发现制备过程有少量次生相生成,分别为Li2TiO3和Ba2TiO4。实验结果表明Bi2O3/Li2O助熔剂降低了(Ba0.71Sr0.29)TiO3的铁电性,这也是导致介电常数和介电损耗降低的原因。低温烧结机理涉及碳酸钡的中间体的形成,Li离子的熔融态迁移至BST结构中提供了促进反应进行的液相。  相似文献   

12.
用x-射线粉末衍射(XRD)、x-光电子能谱(XPS)、氧吸附--程序升温脱附(O-TPD)研究了柠檬酸热分解法制备的钙钛矿型SrxTiO3-δ(x=0.9,1.0,1.1)催化剂组成、结构与甲烷氧化偶联反应(OCM)催化性能,结果表明钙钛矿型SrxTiO3-δ催化剂随着Sr/Ti比的增加,催化剂的氧空位增多,催化剂表面吸附氧含量增大,吸附氧脱附温度升高,与其C2选择性相关联。认为表面吸附态氧物种为OCM反应主要活性氧物种。  相似文献   

13.
用固相法研究了钨离子(W6 )掺杂对铋层状钛酸铋钙镧[Ca0.7La0.3Bi4(Ti1-xWx)4O15,CLBTWx]陶瓷的铁电性能、介电性能和压电性能的影响,得到了W6 掺量与铋层状CLBTWx陶瓷性能的关系.用X射线衍射和扫描电镜研究了W6 掺量对铋层状CLBTWx陶瓷微观结构和物相的影响,探讨了W6 掺杂改性的机理.结果表明:随着W6 掺量的增加,CLBTWx陶瓷的介电常数(ε)先增大后减小;介质损耗(tanδ)先减小后增大;压电应变常数(d33)先增大后减小;剩余极化强度(Pr)先增大后减小然后再增大再减小;矫顽场(Ec)变化规律与Pr的相同.当W6 掺量为0.025mol时,可得到综合性能好的无铅铋层状CLBTWx陶瓷,其烧结温度为1 120~1 140℃时,CLBTWx陶瓷的ε=183.15;tanδ=0.00446;d33=14×10-12C/N;2Pr=26.7μC/cm2;2Ec=220kV/cm.该类材料适合于制备铁电随机存取存储器和高温高频压电器件.W6 掺杂从生成钙空位或铋空位、形成焦绿石相、促进陶瓷致密化、偏析晶界影响陶瓷晶粒的均匀生长等方面来影响铋层状CLBTWx陶瓷性能和结构.  相似文献   

14.
本文通过高温固相法成功合成了黄长石型Pr_(1+x)Sr_(1-x)Ga_3O_(7+0.5x) (x=0-0.4)氧离子导体材料,并对该固溶体材料进行了交流阻抗测试。结合静态晶格模拟计算数据,确定了材料的间隙氧缺陷生成能,从能量角度成功解释了含间隙氧缺陷Pr_(1+x)Sr_(1-x)Ga_3O_(7+0.5x) (x=0-0.4)氧离子导体稳定存在的可能性。材料在固态氧化物燃料电池、氧传感器等领域具有潜在应用。  相似文献   

15.
用溶胶-凝胶法合成了氧化铈稀土双掺杂Ce0.8Nd0.2-xPrxO1.9(x=0,0.10,0.15)固溶体。用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD),Raman光谱和交流阻抗谱研究了固溶体的结构和导电性。XRD结果表明:经800℃焙烧所有的样品都形成了单相立方萤石结构,平均晶粒尺寸为22~32nm。X射线光电子能谱结果表明:样品中镨离子以混合价态(Pr3+和Pr4+)存在。Raman谱结果表明:Ce0.8Nd0.2-xPrxO1.9具有氧缺位的立方萤石结构,Pr离子的掺杂有利于氧缺位增加。阻抗谱表明:稀土双掺杂Ce0.8Nd0.2-xPrxO1.9(x=0.10,0.15)的电导率高于稀土单掺样品Ce0.8Nd0.2O1.9的,Ce0.8Nd0.05Pr0.15O1.9的电导率最大,在600℃时的电导率为2.63×10-2S/cm,导电活化能Ea=0.40eV(600~800℃),Ea=0.62eV(400~600℃),与Ce0.8Nd0.05Pr0.15O1.9材料内部更多的氧离子缺位和小极化子电子导电相关。  相似文献   

16.
采用溶胶–凝胶法制备了La2CuO4和La2–xMxCuO4–δ(M=Ca、Sr和Ba)晶体。通过X射线衍射、扫描电子显微镜和紫外–可见–近红外光谱对La2CuO4和La2–xMxCuO4–δ(x=0.1)粉体进行了测试和表征。结果表明,700℃煅烧2 h,可以获得单相La2CuO4和La2–xMxCuO4–δ(M=Ca、Sr和Ba),且均为正交晶型结构。光谱性质表明,La2CuO4和La2–xMxCuO4–δ系化合物在紫外–可见和近红外范围都有较宽的吸收。La2CuO4、La1.9Ca0.1CuO4–δ、La1.9Sr0.1CuO4–δ和La1.9Ba0.1CuO4–δ的带隙分别为1.44、1.57、1.40 eV和1.37 eV。带隙的变化是由于碱土金属离子的半径不同,造成对键的不匹配性的影响不同而引起的。  相似文献   

17.
采用电子陶瓷合成工艺制备了致密的钛酸铋钠基固溶陶瓷(1–x)(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3–xLa(Zn_(0.5)Ti_(0.5))O_3,研究了该系陶瓷的相组成、微观形貌及介电性能。结果表明:在(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3中引入La(Zn_(0.5)Ti_(0.5))O_3后形成了单相钙钛矿固溶体;随着La(Zn_(0.5)Ti_(0.5))O_3引入量的增加,晶粒形貌由球状向立方体状转变,晶棱显著锐化,晶粒细化,尺寸更加均匀;La(Zn_(0.5)Ti_(0.5))O_3的引入使得(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3晶体中氧空位增多以及A、B位离子种类增多,晶体结构中离子分布无序化程度加剧,致使该系陶瓷的介电频率色散显著,介电弛豫激活能降低(从1.7 e V降低至1.32 e V),弛豫性增强。  相似文献   

18.
通过傅立叶红外光谱仪(FFIR)技术研究了由快中子辐照直拉硅中引入的辐照缺陷--双空位(V2)退火行为,主要研究了不同中子辐照剂量对双空位的影响.实验结果表明:随辐照剂量的增加双空位缺陷的浓度并不会无限地增加;间隙氧原子很容易与双空位缺陷结合形成比较稳定的空位-氧复合体,当退火温度超过200℃,双空位吸收峰消失.  相似文献   

19.
本文利用傅立叶变换红外光谱技术(FTIR)及正电子湮没谱技术(PAS)对快中子辐照硅中的双空位(V2)的退火行为作了详细研究.研究发现区熔硅中双空位在250 ℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350~450 ℃,它们将进一步结合形成具有三维结构的四空位型缺陷;而在直拉硅中双空位主要通过捕获间隙氧或A中心(VO)形成V3O复合体而消失.  相似文献   

20.
采用电子陶瓷合成工艺制备了致密的钛酸铋钠基固溶陶瓷(1–x)(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3–xLa(Zn_(0.5)Ti_(0.5))O_3,研究了该系陶瓷的相组成、微观形貌及介电性能。结果表明:在(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3中引入La(Zn_(0.5)Ti_(0.5))O_3后形成了单相钙钛矿固溶体;随着La(Zn_(0.5)Ti_(0.5))O_3引入量的增加,晶粒形貌由球状向立方体状转变,晶棱显著锐化,晶粒细化,尺寸更加均匀;La(Zn_(0.5)Ti_(0.5))O_3的引入使得(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3晶体中氧空位增多以及A、B位离子种类增多,晶体结构中离子分布无序化程度加剧,致使该系陶瓷的介电频率色散显著,介电弛豫激活能降低(从1.7 e V降低至1.32 e V),弛豫性增强。  相似文献   

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